【課題】強誘電体等からなる金属酸化物膜を所望の位置に低温で低コストで形成する。
【解決手段】金属酸化物膜を形成するための前駆体溶液に、金属酸化物膜が成膜される基板を浸す工程と、前記基板と前記前駆体溶液との界面に光を集光した状態で、前記光を走査しながら照射する工程と、を有し、前記前駆体溶液は前記光を透過するものであって、前記基板上に前記金属酸化物膜を形成することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】環境への負担が小さくかつ表面電荷密度が大きい半導体被覆用ガラスを提供する。
【解決手段】質量％で、ＺｎＯ ５０〜６５％、Ｂ_２Ｏ_３ １９〜２８％、ＳｉＯ_２ ７〜１５％、Ａｌ_２Ｏ_３ ３〜１２％、Ｂｉ_２Ｏ_３ ０．１〜５％の組成を含有し、鉛成分を実質的に含有しないことを特徴とする半導体被覆用ガラス。 （もっと読む）

【課題】シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことにより、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得ることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗのシリコン層の表面に、ゲート絶縁膜との間に介在される界面酸化層を形成する成膜方法において、シリコン層をケミカル洗浄処理することによってケミカル酸化膜を形成するケミカル酸化膜形成工程と、ケミカル酸化膜の形成された被処理体に対して酸素分圧が０．２〜２Ｐａの範囲内の雰囲気中で熱処理を施すことにより界面酸化膜を形成する熱処理工程とを有する。これにより、シリコン層の表面をケミカル酸化膜で保護した状態で低酸素分圧酸化を行うことで、膜厚の面内均一性が高くて且つ欠陥の少ない極めて薄い界面酸化膜を得る。 （もっと読む）

【課題】例えば主として粉体の成膜材料を用いることによって成膜材料を選択的に加熱することができ、もって迅速に且つ効率的に成膜処理を行うことが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、被処理体の表面に成膜材料を付着させて成膜材料層７０を形成する付着工程と、成膜材料層の形成された被処理体に電磁波７４を照射して成膜材料層を加熱することによって薄膜７２Ａを形成する照射工程とを有する。これにより、例えば主として粉体の成膜材料を用いることによって成膜材料を選択的に加熱し、迅速に且つ効率的に成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体に原料を溶解させた処理媒体を用いてトレンチ内部を埋め込むに際し、トレンチ内部にボイドが残されないように成膜を行う。
【解決手段】切替部３０によって処理媒体供給部１０から処理媒体７０をチャンバ４０に供給することにより基板５０の表面５１側に埋め込み膜６０を形成する成膜工程と、切替部３０によってエッチング媒体供給部２０からエッチング媒体８０を供給することにより溝５３の開口部側に形成された埋め込み膜６０をエッチングするエッチング工程と、を繰り返し行う。これにより、溝５３の開口部側に形成された埋め込み膜６０をエッチング媒体８０によって選択的にエッチングして溝５３の開口部が埋め込み膜６０によって閉塞されることを抑制しつつ、基板５０の表面５１側に成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】 メソポーラス体およびメソポーラス体を作製する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、鋳型材料を含む鋳型を供給することと、鋳型に前駆体を浸透させること、前駆体を鋳型内で反応させて堆積物を形成すること、および鋳型から鋳型材料を除去してメソポーラス材料を形成すること、によってメソポーラス材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電特性に優れた誘電体膜を簡便に成膜する方法を提供する。
【解決手段】本発明の誘電体膜の成膜方法は、溶媒中に誘電体膜を構成する粒子を分散させる工程と、粒子を分散させた溶媒中にカチオンを含む溶液を添加する工程と、溶液を添加した溶媒中にアノード（陽極）およびカソード（陰極）を浸漬させ、直流電圧を印加することによりアノード上に粒子を析出させ、粒子の集合体からなる誘電体膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】蒸気圧の低い固体の成膜原料を、任意の導入速度で定常的に成膜チャンバー内へ導入させることができる固体成膜原料導入装置、該導入装置によって複数種類の固体成膜原料の導入速度を制御しながら成膜チャンバー内へ導入することができる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体の供給源と、前記超臨界流体の供給源に接続され、超臨界流体に対して不活性な充填材２が中空部１ｂに充填されるとともに、超臨界流体に対して溶解可能な固体成膜原料Ｓが中空部１ｂに充填可能なカラム１と、を具備してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】膜中の欠陥を低減させるとともに、良質で誘電率の高いシリコン酸窒化膜を提供する。
【解決手段】
シアン化合物を、好ましくはアルコール類、ケトン類、ニトリル類及びエーテル類に代表される非水溶媒に溶解させた溶液３中において、半導体基板１に０．５Ｖ以上１０Ｖ以下の電圧を印加して該半導体基板１上に薄膜６を形成することにより、該膜中にシアノ結合を含むシリコン酸窒化膜が形成することができる。 （もっと読む）

【課題】優れた膜の組成制御性及び段差被覆性を有する有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いて作製された複合酸化物系誘電体薄膜を提供する。
【解決手段】１種又は２種以上の有機金属化合物を有機溶媒に溶解した有機金属化学蒸着法用溶液原料の改良であり、その特徴ある構成は、有機溶媒が１,３-ジオキソランであるか、あるいは有機溶媒が１,３-ジオキソランからなる第１溶媒と、１,３-ジオキソランにアルコール、アルカン、エステル、芳香族、アルキルエーテル及びケトンからなる群より選ばれた１種又は２種以上の第２溶媒とを混合した混合溶媒であるところにある。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、第１３族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を提供する。
【解決手ュ段】 このタイプの最近利用できるトランジスタとは反対に、本発明に係るトランジスタはホモ基板１１上に製造され、そのホモ基板はガリウム含有窒化物から製造され、核化層を有さず、そのバッファ層３は公知のＨＥＭＴより極めて薄い。好ましくは、少なくともバッファ層３は本発明にかかるトランジスタの一部であって、エピタキシャル法により製造され、エピタキシャルプロセスにおける上記層の成長方向は基板１１の成長方向と本質的に垂直をなす。この発明はまた、高電子動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の製造方法にも関するものである。 （もっと読む）