【課題】サファイア基板表面に、結晶性のよい窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を生産性よく製造する方法を提供する。
【解決手段】窒素原子を有する窒素源ガスと水素ガスとの混合ガス雰囲気下において、サファイア基板を１３５０℃以上１７５０℃以下の温度で加熱することにより、サファイア基板の表面に窒化アルミニウム単結晶層が形成された積層体を製造する方法であり、条件を調整すれば、サファイア基板と窒化アルミニウム単結晶層との界面に空隙を有する積層体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板や石英基板等をベースとした材料・プロセスを用いることによって、高品質なグラフェン膜を有する基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層上の金属炭化物膜、例えばＳｉＣ膜を酸化処理することによって得られる、絶縁層上にグラフェン膜と金属酸化物膜、例えばＳｉＯ_２膜が順次積層されてなる基板。更に、かかる基板の表面の金属酸化物膜を除去することによって得られる、絶縁層とその表面に積層されたグラフェン膜とからなる基板。絶縁層としては、Ｓｉ基板上にＳｉＯ_２層が形成されたもの、あるいは、石英基板が好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタに対するスレショルド電圧制御および駆動電流改良のための方法および構造体を提供する。
【解決手段】デバイスを形成する方法は、基板を用意するステップと、基板上に界面層を形成するステップと、界面層上にＨｉｇｈ−ｋ誘電体層を堆積するステップと、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上に酸素除去層を堆積するステップと、アニールを実施するステップとを含む。Ｈｉｇｈ−ｋ金属ゲート・トランジスタは、基板と、基板上の界面層と、界面層上のＨｉｇｈ−ｋ誘電体層と、Ｈｉｇｈ−ｋ誘電体層上の酸素除去層とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体の酸化物を安定化させることができる上、欠陥密度が低くて電子移動度が高い誘電体層を得て、デバイスの信頼性及び性能を大幅に改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０内に設け、第１のゲルマニウムドープト領域を含む第１の電極と、第１の電極上に設け、半導体酸化物及び安定金属を含む第１の誘電体層２３と、第１の誘電体層２３上に設ける第２の電極とを備える。第１の電極及び第２の電極によりキャパシタを形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、真空雰囲気での成膜を用いずに低温プロセスで欠陥密度の少ない酸化シリコン膜の成膜を実現することを可能にする。
【解決手段】基板１１上にポリシラン化合物を含有する溶液を塗布して塗布膜１２を形成した後に、不活性雰囲気中で第１熱処理を行って、前記塗布膜１２をシリコン膜１３に形成する工程と、前記シリコン膜１３上にポリシラン化合物を含有する塗布膜１４を形成した後に、不活性雰囲気中で第２熱処理を行って、前記塗布膜１４を酸化シリコン前駆体膜１５に形成する工程と、酸化雰囲気中で第３熱処理を行って、前記酸化シリコン前駆体膜１５を酸化シリコン膜１６に形成するとともに、前記シリコン膜１３を緻密化する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】成膜基板表面にダメージを与えず、サブオキサイド層の発生を極力抑制し、酸化膜の絶縁特性をより向上させて酸化膜を薄膜化させることができる高密度シリコン酸化膜の製造方法およびその製造方法により製造する高密度シリコン酸化膜を有するシリコン基板、半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】１気圧酸素雰囲気中で、３００℃から４３０℃の範囲内の任意の温度にシリコン基板を加熱し、前記シリコン基板に２２２ｎｍ以下の紫外線を照射した状態で、基板表面に、酸素ガスをフローメーターにおける２０℃での酸素ガス流量換算で１００ｍｌ／ｍｉｎ以上流しながらシリコン基板１表面に酸化膜３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体デバイスにおいてシリコン含有物質を選択的に酸化する方法の提供。
【解決手段】 一態様において、急速熱処理装置を用いて、水素を多く含む雰囲気中で高圧においてインサイチュで水蒸気を生成させることによって基板を選択的に酸化する。基板における金属やバリヤ層のような他の物質は酸化されない。 （もっと読む）

【課題】内側の電極に汚れが付くのを確実に防止し、かつ成膜領域を広くする。
【解決手段】１組の電極１２，１３と、もう１組の電極２３，２２間でそれぞれ常圧でプラズマ空間Ｐを発生させる。供給源７１，７２から各プラズマ空間Ｐに反応ガスを供給する。２つのプラズマ空間Ｐ，Ｐを通過した反応ガスが吹き出される２つの吹出口１ｂ，１ｂの間に供給源８０から金属含有ガスを供給する。ガス整流板３１で、吹き出された後の反応ガスと金属含有ガスとの合流ガスの流路を被処理面に沿うよう形成する。ガス整流板３１を２組の電極すべての被処理面を向く面に被せ、かつ２組の電極のうち両外側の電極より外側へ突出させ、更に外側に排気機構９１，９２を設ける。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上に成膜されるＳｉエピタキシャル層中の結晶欠陥、特に双晶欠陥を低減する。
【解決手段】サファイア基板１０のＲ面１２上にエピ成長によりＳｉ膜１４を成膜する工程、Ｓｉ膜上にＳｉＯ₂膜を形成する工程、ＳｉＯ₂膜を格子状にパターニングして、被エッチング領域２４を形成する工程、ＳｉＯ₂膜パターン２２をマスクとして、ＫＯＨを含む溶液で被エッチング領域のエッチングを行い、ＳｉＯ₂膜パターン直下に、Ｓｉ膜由来のファセット面を有する成長用マスク前駆体２６を形成する工程、成長用マスク前駆体の表面に絶縁膜２８を形成して成長用マスク３０を作成する工程、及び露出したＲ面に選択エピ成長法で、成長用マスクで囲まれた領域を充填して、成長用マスクの高さよりも厚い単結晶Ｓｉ層４１を平坦に成長させる工程を備える。 （もっと読む）

【課題】厚さを正確に制御し、界面構造を改善し、電子トラップを低密度とし、さらに、誘電体層および基板から／へのドーパントの不純物拡散を阻止することができるプロセスを提供する。また、既存の製造プロセスに容易に統合することができ、しかも、コストはほとんど増すことがないプロセスを提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化物またはＥＥＰＲＯＭのトンネル酸化物として使用するための、極薄誘電体層を成長させるためのプロセスを記載する。ウェハと酸窒化物との界面におよび酸窒化物の表面に窒素濃度のピークを有し、かつ、酸窒化物のバルク内に低い窒素濃度を有する、シリコン酸窒化物層が、酸化窒素および窒素性酸化ガス内で一連のアニールを行なうことによって形成される。 （もっと読む）

引張応力を有する緻密化されたシリコン酸窒化膜を形成する方法、及び緻密化されたシリコン酸窒化膜を含む半導体デバイスが開示される。緻密化されたシリコン酸窒化膜は、ＬＰＣＶＤプロセスにて基板上に多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜を堆積すること、及びＳｉＮＣ：Ｈ膜に酸素を混入し、それにより、多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜より高い密度を有する緻密化されたＳｉＯＮＣ：Ｈ膜を形成するために、多孔質ＳｉＮＣ：Ｈ膜を酸素含有ガスに曝すことによって形成されることができる。緻密化されたシリコン酸窒化膜は、半導体デバイスを含んだ基板上に含められ得る。
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【課題】半導体基板（１２）に形成され、シリコン酸化物およびそれの異なる程度の窒化（１８Ｄと１８Ｅ）で構成されたＰＦＥＴゲート誘電体層（１６）およびＮＦＥＴゲート誘電体層（１４）でそれぞれ覆われたＰＦＥＴ領域およびＮＦＥＴ領域を有するＣＭＯＳ半導体（１０）材料を形成する方法を提供すること
【解決手段】シリコン基板（１２）にＰＦＥＴ領域（１６）およびＮＦＥＴ領域（１４）を設け、その上にＰＦＥＴおよびＮＦＥＴゲート酸化物層を形成する。ＰＦＥＴ領域の上のＰＦＥＴゲート酸化物層の窒化を行って、ＰＦＥＴ領域の上のＰＦＥＴゲート酸化物層に、第１の濃度レベルの窒素原子を有する、ＰＦＥＴ領域の上のＰＦＥＴゲート誘電体層（４２）を形成する。ＮＦＥＴゲート酸化物層の窒化を行って、第１の濃度レベルと異なる濃度レベルの窒素原子を有する、ＮＦＥＴ領域の上のＮＦＥＴゲート誘電体層（４０）を形成する。ＮＦＥＴゲート誘電体層（４０）およびＰＦＥＴゲート誘電体層（４２）は、同じ厚さを有することができる。 （もっと読む）