【課題】安定して強い酸化力で基板の表面を酸化しシリル化することができる半導体基板の表面処理方法および基盤処理装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面処理方法は、硫酸を電気分解して酸化性溶液を生成する工程と、酸化性溶液を用いて半導体基板の表面に酸化膜を生成する工程とを備える。酸化性溶液を用いて半導体基板の表面を酸化しＯＨ基を生成し、半導体表面にシリル化剤を供給し、ＯＨ基とシリル化剤に含まれる有機物の加水分解により得られるＯＨ基との結合及び脱水縮合反応により半導体基板の表面を疎水化する。 （もっと読む）

【課題】ＧａＮなどの窒化物半導体材料の酸化皮膜形成処理、エッチング処理を半導体材料にダメージを与えることなく効率よく行うことを可能にする。
【解決手段】硫酸濃度が５６〜９０質量％の硫酸溶液を電解して生成した過硫酸含有硫酸溶液を、窒化物半導体材料に接触させて、前記半導体表面に酸化皮膜を生成する。該処理は、表面処理部２と、電解装置３と、硫酸溶液を表面処理部と電解装置とを含む経路で循環させる循環路１０，２０，３０，３１と、表面処理部に供給される過硫酸を含む硫酸溶液を加熱する加熱部２２と、電解装置に供給される硫酸溶液を冷却する冷却部３２とを備える表面処理システム１で行う。半導体材料のダメージを抑えつつ、酸化が困難であった素材の半導体に安定した酸化膜を形成でき、酸化処理後に安定したエッチングを行うこともできる。 （もっと読む）

【課題】高効率に酸化膜の表面を平滑化し、高品質な酸化膜を提供する。
【解決手段】たとえばアルミニウムの薄膜５が形成された半導体基板３を陽極とし、白金などからなる電極を陰極７として電解設備１０の容器１を満たす電解液９中で陽極酸化処理を行ない、薄膜５を酸化する。酸化が完了した後も引き続き陽極酸化処理を続行することにより、酸化された薄膜５に多数形成された多孔質組織を緻密化し、薄膜５の最上面を平滑化する。 （もっと読む）

光起電性結晶シリコン半導体ウェハーの前側表面にマスクされた領域及びマスクされない領域を形成するために前記ウェハーの前側表面にマスクを形成することを必要とする。前記ウェハーのエミッタ内へ少なくともその中のデッド・ゾーンの範囲までは伸長するように前記前側表面の前記マスクされない領域に第１のシリコン酸化物層を電気化学的に形成する。前記マスクを除去し、前記第１のシリコン酸化物層のほぼ全部が除去されるまで前記第１のシリコン酸化物層をエッチ・バックする。次に、第２のシリコン酸化物層が前記前側表面を不動態化するに十分な厚さを有するように前記前側表面に前記第２のシリコン酸化物層を電気化学的に形成する。この方法は、代替的に、半導体接合部を有さないＰＶ結晶シリコン半導体ウェハーのマスクされない領域に第１の電気化学的に形成されたシリコン酸化物層を介してドーパントを拡散し、次に、前記第１のシリコン酸化物層をエッチバックし、そして、第２の電気化学的に形成されたシリコン酸化物層で不動態化することによりエミッタを形成することを必要とするものであってもよい。
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本発明は、半導体基板（１）上に酸化層（９）を形成する方法を提供する。この方法は、例えば３次元構造を含む、少なくとも１つの孔（５）を含むような半導体基板（１）を得る工程と、酸性の電解質溶液中で基板を陽極酸化することにより、例えば３次元構造を含む半導体基板（１）上に酸化層（９）を形成する工程と、を含む。
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【課題】 誘電体ストレッサ要素をもつ半導体デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 活性半導体領域と、全てが該活性半導体領域内に配置されたチャネル領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する電界効果トランジスタ（「ＦＥＴ」）とを含むチップが提供される。このＦＥＴは、チャネル領域の長さ方向の長手方向と、該チャネル領域の幅方向の横断方向とを有する。埋込み誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の東部部分のような、該活性半導体領域の一部の主面より下方の第１の深さで水平方向に延びる上面を有する。表面誘電体ストレッサ要素は、活性半導体領域の主面において該活性半導体領域に横方向に隣接して配置される。表面誘電体ストレッサ要素は、主面から第１の深さより実質的に深くない第２の深さまで延びる。埋込み誘電体ストレッサ要素及び表面誘電体ストレッサ要素によって加えられた応力が協働して、せん断応力をＦＥＴのチャネル領域に加える。 （もっと読む）

【課題】電気化学的な酸化方法による酸化のみでシリコン酸化膜の絶縁特性を向上可能なシリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】被処理層の主表面とは反対側の電極を陽極として、陽極と電解液中で被処理層の主表面側に対向配置される陰極との間に通電することで被処理層の各シリコン微結晶それぞれの表面にシリコン酸化膜を形成するにあたって、シリコン微結晶とシリコン酸化膜との界面近傍の遷移層の幅が１ｎｍ以下となるように陽極と陰極との間に流れる電流の電流密度を制御する。ここで、シリコン基板を被処理層とした場合には、電流密度を２ｍＡ／ｃｍ^２とした参考例１の密度分布「イ」では遷移層の幅が約１ｎｍであり、電流密度を１０ｍＡ／ｃｍ^２として更に急速熱酸化処理を行った参考例４の密度分布「ニ」と同程度の界面特性が得られるので、電流密度を例えば２ｍＡ／ｃｍ^２とすればよい。 （もっと読む）