【課題】 上層配線の線幅面積を減少させて、上下配線間の相互干渉による不具合を低減する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成された第１の配線７を覆うＴＥＯＳ膜から成る第１の層間絶縁膜８と、該第１の層間絶縁膜８を隔てて前記第１の配線７にコンタクトする第２の配線９と、該第２の配線９を覆うＴＥＯＳ膜から成る第２の層間絶縁膜１０と、該第２の層間絶縁膜１０を隔てて前記第２の配線９にコンタクトする第３の配線１１と、該第３の配線１１を覆うシリコン窒化膜１３とポリイミド系絶縁膜１４から成るパッシベーション膜１２とを具備し、前記第３の配線１１には相互干渉を起こし易い映像信号に用いられているクロマ系信号や同期信号やシリアルコントロール信号等が流れていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】 ＳＯＧ膜のＳi原子と有機基（例えばＣＨ₃基）やＨ基の結合がアッシング時に切れるのを抑制して誘電率を低く抑える。
【解決手段】 低誘電率の有機又は無機ＳＯＧ膜にパターン化レジスト膜をマスクとしてエッチングを行って配線溝を形成し、この後、枚葉式ダウンストリーム型のプラズマアッシング装置を用いて、酸素ガスプラズマによるアッシング処理を例えば１．２Torrの圧力雰囲気下で施してレジスト膜を除去し、この後配線溝にバリヤメタル形成後、Ｃuを電界メッキ法にて埋設して配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造体の製造工程のＳＯＧ膜のエッチバック工程で、第１の金属配線を露出しない構造とする。
【解決手段】表面に段差２３のある絶縁膜１上に選択的に第１の金属配線２を形成し、この第１の金属配線２上にメタル系絶縁膜であるチタン酸化膜３を形成する。その露出面に第１のＰ−ＴＥＯＳ膜４を形成する。チタン酸化膜３の直上を除く第１のＰ−ＴＥＯＳ膜４の表面にＳＯＧ膜５を形成し、チタン酸化膜３上とＳＯＧ膜５上に第２のＰ−ＴＥＯＳ膜６を形成する。最後に第２のＰ−ＴＥＯＳ膜６上に第２の金属配線７を形成して、多層配線構造体が完成する。ここでは２層の金属配線２、７を例に上げたが、さらに多層の配線構造体の場合も、同様に各膜を積層することで製作できる。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂系絶縁膜を層間絶縁膜等に用いた際の、コンタクトプラグの埋め込み形状不良やコンタクト抵抗の上昇を防止する。
【解決手段】 原料ガスとして、芳香族化合物あるいは複素環式化合物を含む原料ガスを採用し、プラズマＣＶＤ法により有機樹脂系絶縁膜４を形成する。
【効果】 有機樹脂系絶縁膜中の低分子量の揮発性成分が充分除去され、コンタクトプラグ形成時の脱ガスが防止される。このため、埋め込み形状に優れた低抵抗の層間接続を達成することができる。 （もっと読む）