【課題】配線レイアウトのパターン形状に依存した効果をＬＰＥに容易に取込む。
【解決手段】半導体集積回路の設計支援装置は、図形演算機能を有する第１の情報処理部１１０と、第２の情報処理部１２０とを備える。第１の情報処理部１１０は、レイアウト情報に含まれる各配線層のレイアウトパターンに対して図形演算を施すことによって、予め定める特定形状の配線パターンを抽出する。第２の情報処理部１２０は、製造プロセスに依存した配線または配線層間の絶縁層の厚みの設計値からのずれの大きさを、レイアウト情報から抽出した配線幅および配線密度の情報と、抽出された特定形状の配線パターンに関する情報とに基づいて予測する。そして、第２の情報処理部１２０は、予測した設計値からのずれの大きさを取り入れた配線および配線層間の絶縁層の厚みに基づいて、配線の寄生パラメータを抽出する。 （もっと読む）

【課題】レイアウトデータの検証を行うＬＶＳ処理やＤＲＣ処理と、ＯＰＣ処理には、プログラムの実装に重複（冗長）な処理が存在する。そこで、これらの処理を、統合することも考えられる。しかし、そのような統合を実際に行えば、プログラムの変更が大規模になり、半導体設計装置のコストを上昇させてしまう。そのため、既存のリソースを有効活用しつつ、ＯＰＣ処理の処理スピードを向上させた半導体設計装置が、望まれる。
【解決手段】半導体設計装置は、半導体集積回路のレイアウトデータの検証を行うレイアウトデータ検証部と、レイアウトデータ検証部が生成するＯＰＣ処理用中間データを用いて、ＯＰＣ処理を行うＯＰＣ処理部と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】複数の階層ブロックが互いに重なり合うことを許容しつつレイアウト設計を行う際に、設計期間の長期化を防ぐこと。
【解決手段】複数の内部要素をそれぞれ含む複数の階層ブロックを、内部要素を割り当て可能な内部要素リソースが配置された実装領域に対してレイアウトする場合に、第１の階層ブロックと第２の階層ブロックとが重複領域において重なり合うとき、第１の階層ブロックの内部要素のうちの重複領域に含まれる第１の内部要素の個数と、第２の階層ブロックの内部要素のうちの重複領域に含まれる第２の内部要素の個数との合計が、重複領域に含まれる内部要素リソースの個数以下となるように、第１の階層ブロックおよび第２の階層ブロックを配置し、第１の内部要素の個数と第２の内部要素の個数との比に応じて、重複領域に含まれる内部要素リソースを、第１の階層ブロックと第２の階層ブロックに割り当てる。 （もっと読む）

【課題】精度よく簡便にチップサイズを見積もることができる、半導体集積回路のチップサイズ見積もり装置、及び半導体集積回路のチップ見積もり方法を提供する。
【解決手段】回路の機能の実現に最小限必要なゲート数である最小機能ゲート数を入力する入力部１と、セルライブラリごとに所定の動作速度の達成に必要となるゲート数と前記最小機能ゲート数との比率である性能考慮ゲート数係数が予め設定された設定値保持部２１と、前記最小機能ゲート数と前記性能考慮ゲート数係数とから算出されるゲート数を用いて前記回路の総面積を見積もる計算部２２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】外部電源電圧が変動した場合でも、安定に動作する半導体装置を実現することが可能なクロックツリー生成方法を提供する。
【解決手段】プログラム５のＣＴＳ部８は、電源領域Ａから電源領域Ｂにクロック信号ＣＬＫ１，ＣＬＫ２を伝達する経路Ｌ１，Ｌ２を設け、電源領域Ａ内の経路Ｌ１，Ｌ２にそれぞれアンカーバッファＢ１，Ｂ２を配置し、遅延回路Ｄ１，Ｄ２を電源領域Ｂ内の経路Ｌ１，Ｌ２にそれぞれ配置し、遅延回路Ｄ３，Ｄ４をアンカーバッファＢ１，Ｂ２の入力ノード側の経路Ｌ１，Ｌ２にそれぞれ配置する。したがって、外部電源電圧ＶＤＤ１，ＶＤＤ２が変動した場合でも、クロック信号ＣＬＫ１，ＣＬＫ２の遅延時間は同じになる。 （もっと読む）

【課題】遅延計算に要する処理時間を短縮して、タイミング解析全体に要する処理時間を短縮可能とする。
【解決手段】タイミング解析方法は、半導体チップ上にレイアウトされた回路に対して電圧降下解析を行い、電圧降下解析結果に基づいて、チップ上の電圧降下を所定の電圧範囲ごとの領域として電圧降下領域ファイルを作成し、遅延のばらつきを表現する第１ＯＣＶ係数が電圧降下を考慮して所定の電圧ごとに対応付けられたＯＣＶ係数ファイルを用いて、電圧降下領域ファイルの所定の電圧範囲に対応する第２ＯＣＶ係数を領域ごとに算出し、算出した第２ＯＣＶ係数と領域とを対応付けてＯＣＶ領域ファイルを作成し、遅延ライブラリを用いてレイアウトされた回路に対して遅延計算を行い、遅延計算結果とＯＣＶ領域ファイルの領域ごとの第２ＯＣＶ係数を用いてタイミング解析を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体集正規回路の設計時に論理合成以後にあたる下流工程に用いる設計ツールに、設計者に依存することなく適切なタイミング制約を与える。
【解決手段】半導体設計支援装置に、非同期回路を内在する電気回路の設計時に ソースコードに対して行われたＣＤＣ検証結果と 当該ソースコードのコーディングに用いられた仕様策定工程で定められた既知情報とから、ソースコードに含まれる全てのクロックについて明確化処理してＣＤＣ検証用設定ファイルとして収集取得する手段と、ＣＤＣ検証用設定ファイルとＣＤＣ検証結果から得られた非同期パス毎の入出力パスと から、下流工程で用いられる設計ツールで読み込み可能な形式に合わせるように所定の情報を抽出処理してタイミング制約ファイルを生成出力する手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】設計効率の向上を図ること。
【解決手段】設計支援装置１０は、既存の半導体集積回路に含まれる機能マクロの情報と、機能マクロ間の接続情報を含むアーキテクチャ情報が品種毎に管理されたデータベースから、作成する半導体集積回路に搭載する機能マクロを含む品種を検索する。そして、設計支援装置１０は、検索により得られた品種のアーキテクチャ情報を前記データベースから抽出し、作成する半導体集積回路のアーキテクチャ情報と、抽出した前記品種のアーキテクチャ情報を比較し、設計する半導体集積回路のアーキテクチャ情報に類似するアーキテクチャ情報の品種を抽出する。 （もっと読む）

【課題】クロック遅延などを調整し易くすることで、タイミングエラーを適切に収束させる。
【解決手段】クロックツリー生成装置は、クロックツリーに関する情報と、クロックツリーに含まれる複数のフリップフロップが用いている複数のクロックに関する情報とを取得する取得手段と、取得手段によって取得された複数のクロックごとに、それぞれのクロックで駆動されるフリップフロップの数を特定するフリップフロップ数特定手段と、フリップフロップ数特定手段によって特定された複数のクロックごとのフリップフロップの数に基づいて、複数のクロックの中でフリップフロップの数が少ない上位のクロックを所定数だけ特定するクロック特定手段と、クロック特定手段によって特定されたクロックで駆動されるフリップフロップを基準にして、クロックツリーを分割する分割手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】配線の効率化を図ること。
【解決手段】設計支援装置１は、表示部２に接続されており、記憶部１ａと、選択部１ｂと、配置部１ｃと、判断部１ｄと、配線部１ｅと、確定部１ｆとを有している。記憶部１ａは、回路の論理接続情報と配置対象のセルのセル情報を記憶する。選択部１ｂは、記憶部１ａに記憶されたセル情報のうち、配置対象のセルのセル情報を選択する。配置部１ｃは、入力された座標に基づき、選択されたセル情報のセルの仮の配置を行う。判断部１ｄは、配線モードであるか否かを判断する。配線部１ｅは、判断部１ｄが配線モードであると判断した場合、仮の配置がされたセルに接続する配線について仮の配線を行う。確定部１ｆは、セルの配置位置の確定に基づいて、配線されたセルの仮の配線の配置位置を確定する。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩにおける電源遮断領域を拡張する方法及びそのプログラムを提供する。
【解決手段】回路要素とネット情報とを記述したハードウエア記述ファイルに対して，電源遮断領域の入力端子Ａから第1のノードＢであるラッチ回路または入力ポートをトレースによって抽出し，さらに，遮断領域の出力端子に接続される第１のアイソレーションセルの出力端子Ａ’から第２のノードＢ’であるラッチ回路または出力ポートをトレースによって抽出する第１の抽出工程と，第１のノードＢから第３のノードＣとなるラッチ回路または出力ポートをトレースによって抽出し，さらに，第２のノードＢ’から第4のノードＣ’であるラッチ回路または入力ポートをトレースによって抽出する第２の抽出工程とにより，無駄に動作する組み合せ回路を抽出し、前記回路をハードウエア記述ファイルと電源仕様ファイルに追加するとともに，アイソレーションセルを移動する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】消費電力を削減した半導体集積回路及びその設計方法を提供する。
【解決手段】半導体集積回路の設計方法は、複数の標準フリップフロップ回路及び低消費電力フリップフロップ回路を配置するステップと、セルタイプを指標に含む評価関数を用いて、配置されたフリップフロップ回路を複数のクラスタにグループ化するステップと、標準フリップフロップ回路のみで構成されたクラスタに対して第１クロックバッファを割り当て、低消費電力フリップフロップ回路を含むクラスタに対して前記第１クロックバッファよりサイズの大きい第２クロックバッファを割り当てるステップと、クロック配線するステップと、を備える。 （もっと読む）

【課題】
複数階層を有する半導体集積回路の階層レイアウトを行なう際に、複数個所で使用される下位モジュールについての各配置箇所における下位モジュール近傍の上位階層の配線状況を考慮して、下位モジュールのレイアウト設計を行なうことを課題とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために、本発明に係るレイアウト設計装置は、複数階層を有する半導体集積回路のレイアウト設計装置であって、複数個所で使用される下位モジュールについて、前記下位モジュールが配置される上位モジュール内のそれぞれの配置箇所近傍の上位階層の配線情報を抽出し、抽出した上位階層の配線情報を、前記下位モジュールのレイアウト設計を行なう際の配線禁止領域として設定し、前記下位モジュールのレイアウトを行なう。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の素子及び配線のレイアウトにおけるガードリングの設計の自由度を高める。
【解決手段】設計装置は、デザインルールを記憶するデザインルール記憶部１１、予め設計されたレイアウトを記憶するレイアウト記憶部１２、デザインルールに適合したガードリング幅を設定幅として設定するガードリング幅設定部２１、レイアウト上にガードリングの形成経路を指定するための経路指定部３２、指定経路に基づいてガードリング形成経路を認識する経路認識部２２、ガードリング形成用のレイヤーリストを記憶するガードリング形成用レイヤー記憶部１３、認識経路の下地レイヤーに応じたガードリング形成用のレイヤーを設定するガードリング形成用レイヤー設定部２３及び認識経路に設定幅で設定レイヤーを反映させてガードリングを生成するガードリング生成部２４を備えている。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、半導体集積回路のレイアウト処理におけるセル配置の際に、隣り合う２つのセルの特性を考慮した配置によって最適化することことを目的とする。
【解決手段】 上記課題は、隣接して配置されるセルの組み合せ毎にショート可否とセル枠のオーバーラップ可能な距離との対応付けを含む最適化ライブラリを格納する第一記憶領域と、デザインルールを満たすセル配置において、前記第一記憶領域に格納されている前記最適化ライブラリを参照することによって、前記ショート可能なセルの組み合せに対して前記セル枠をオーバーラップさせて配置する第一最適化手段とを有することを特徴とする半導体集積回路のレイアウト装置により達成される。 （もっと読む）

【課題】チップの設計期間を短縮する。
【解決手段】ＣＰＵ１は、設計対象の回路を構成するセルのうち、所定のサイズより大きいセルサイズを有するセルのみの回路情報をゲートレベルで記述した簡易ネットリスト４３と、所定のサイズより大きいセルサイズを有するセルのみの仕様データを含むセルリスト４４とを用いてフロアプランを行い、仮フロアプランデータ４７を生成する。ＣＰＵ１は、ユーザによって回路全体のフロアプランが行われるときに、回路を構成するセルの仕様データである全体ライブラリ４２と、回路を構成するセルの回路情報をゲートレベルで記述した全体ネットリスト４５と、仮フロアプランデータ４７と、簡易ネットリスト４３を全体ネットリスト４５に整合させるためのセルリスト４４とを出力する。 （もっと読む）

【課題】集積度の高い半導体集積回路の場合でもレイアウト設計における配線に係る時間を短縮する。
【解決手段】半導体集積回路のレイアウト方法は、回路構成要素の配置された領域へ配線を実施後に、予め設定された条件よりも配線が混雑する配線混雑箇所を抽出するステップと、配線混雑箇所を含む領域に、配線の実施が禁止される複数の配線禁止領域を生成するステップと、複数の配線禁止領域を迂回して配線を実施するステップと、迂回して配線を実施した後に、複数の配線禁止領域を削除するステップと、複数の配線禁止領域を削除した後に、再配線を実施するステップとを具備する。複数の配線禁止領域を生成するステップは、配線層毎に、配線の混雑に対応した領域内に配線禁止領域を発生させる割合に基づいて、複数の配線禁止領域の大きさ及び間隔を算出するステップと、算出結果に基づいて、領域に複数の配線禁止領域を生成するステップとを備える。 （もっと読む）

【課題】設計期間の短縮化を図ること。
【解決手段】設計支援装置は、クロックツリー合成処理（ステップ２３）にて生成したクロックツリーに含まれるクロックパスについて、電圧・温度の遅延感度をそれぞれ算出し、２つのクロックパスの遅延感度の差を０に近づけるように、クロックパスの遅延感度を調整する。 （もっと読む）

【課題】 ソース領域側だけに不活性イオン注入領域が形成される非対称型ＳＯＩ電界効果トランジスタを容易に実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 イオン注入前にトランジスタが形成される半導体層のゲート電極について対称構造をなす２つの電極のいずれか一方をソース又はドレインとして指定する電極指定データを予め保持する設計工程と、電極指定データに応じてソース領域側だけのイオン注入を可能にするためのイオン注入用マスクを製作するマスク製作工程と、対称をなす２つの電極を有する半導体層表面にフォトレジストを塗布しイオン注入用マスクを用いて露光してフォトレジストの少なくともソース領域に対応する部分を除去するレジスト形成工程と、レジスト形成工程の実行後、イオン注入用マスクに対応して残されたフォトレジストを有する半導体層表面からイオンを注入する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】タイミング違反の修正の問題を解消する。
【解決手段】設計装置１０は、クロックツリーを生成するクロックツリー生成部１２１と、クロックツリー生成部１２１により生成されたクロックツリーに対応する回路データについて、セットアップタイミングを考慮せずにホールド違反を修正するように、遅延素子を論理的に挿入する論理修正部１２２と、論理修正部１２２の処理結果に基づいて、半導体集積回路のレイアウトを修正するレイアウト修正部１２３と、レイアウト修正部１２３により修正された半導体集積回路のレイアウトを出力する出力部１２４と、を備える。 （もっと読む）