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Fターム[5F067AA08]の内容

IC用リードフレーム (9,412) | 目的、効果 (1,630) | 外部リード保護(モールド) (9)

Fターム[5F067AA08]に分類される特許

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【課題】粗化処理したリードフレームを用いてQFNの製造工程において、耐熱性粘着テープにより封止工程での樹脂漏れを好適に防止しながら、しかも貼着したテープが一連の工程で支障をきたしにくい耐熱性粘着テープを提供する。
【解決手段】表面に粗化処理が施されたリードフレーム10のアウターパッド側に耐熱性粘着テープを20貼り合わせた金属製のリードフレームのダイパッド11c上に半導体チップ15をボンディングする搭載工程と、リードフレームの端子部11b先端と半導体チップ上の電極パッド15aとをボンディングワイヤ16で電気的に接続する結線工程と、封止樹脂17により半導体チップ側を片面封止する封止工程を少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、耐熱性粘着テープは、300℃以下の温度領域でガラス転移温度(Tg)が認められない支持基材を使用していることを特徴とする半導体装置の製造方法。 (もっと読む)


【課題】センサ装置を大型化することなく、タイバーが封止されてなるセンサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品20が実装される実装部11、外部に接続される接続リード12、実装部11と連結されていると共に当該実装部11の外側に延びるタイバー13が一体に形成されているリードフレーム10を用意する。そして、実装部11に電子部品20を実装し、タイバー13を上金型41と下金型42との間に挟持することにより、実装部11を上金型41と下金型42との間に構成されるキャビティ43の内部に保持する。その後、キャビティ43にモールド樹脂30を充填し、モールド樹脂30を硬化する前にタイバー13を切断すると共に実装部11に連結されたタイバー13の切断部をモールド樹脂30で覆う切断工程と、切断工程後に、モールド樹脂30を硬化させる工程と、を行う。 (もっと読む)


【課題】封止樹脂のマスキング性を損なうことなく、リードフレームとマスキング用テープとの線膨張係数の違いに起因して常温と樹脂封止温度との温度差によってリードフレームに発生する反りを低減する。
【解決手段】マスキング用テープ20は、半導体素子60が一方面(上面16)に搭載されるリードフレーム10の他方面(下面18)に被着して用いられる。そして、本実施形態のマスキング用テープ20は、厚み方向に非貫通の凹部30が、長さ方向に亘って連続的にまたは繰り返して形成されている。 (もっと読む)


【課題】外部電極端子の実装面に傷や異物付着を起こさせない。
【解決手段】枠部と、枠部内のタブ11と、枠部からタブ11に向かって延びて先端部分でタブ11を支持するタブ吊りリードと、枠部からタブ11に向かって延びるリード4とを含む単位リードフレームパターンを複数配列したマトリクス型リードフレーム25を用意し、タブ11の一面に半導体チップ13を固定し、半導体チップ13の電極とリード4の内端を導電性のワイヤ15で接続し、半導体チップ13、ワイヤ15、リード4の内端部分を片面モールドにて絶縁性樹脂の封止体2で覆うとともに封止体2の実装面16にリード4やタブ吊りリードを露出させ、リード4やタブ吊りリードを切断する、半導体装置の製造方法において、片面モールド時に封止体2の外側に封止体2よりも厚い接触防止体43を形成し、切断工程で接触防止体43を切断除去する。 (もっと読む)


【課題】 従来の半導体装置では、樹脂封止体の鍔状体、特に吊りリードの所は、ゲートやエアーベントがあることから、ここだけ樹脂が厚く形成されている。よってリードフレームを切断する際に、鍔状体の上を支持体で支持してパンチングするが、この厚みの不均一部分に支持体が当接することからバリが発生する。
【解決手段】 同一面から成る吊りリード242および前記つりリードの両側に位置する鍔状体22Bの表面を支持手段62で支持して、図13の如く、前記リードフレームから切断する。図4(A)に示すように、外周面32上には樹脂による凹凸が形成されないため、支持手段で吊りリード24および硬化樹脂22Bを確実に固定できる。
その結果、樹脂くずの発生を抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】銅合金条又はステンレス鋼条等の金属材料(被めっき材)に施されたリフローSnめっきにおいて、耐ウィスカー性を有することを特徴とするリフローSnめっき材を提供することであり、その材料を用いた電子部品を提供する。
【解決手段】金属材料表面にリフローSnを施しためっき材において、下地めっきとしてNiまたはNi合金めっきを有し、下地めっきの上の表面めっきに存在する純Sn層の平均厚みが0.05μm〜0.6μmであり、かつ表面めっきの断面に存在するNiとSnの合金層の割合が50%95%であることを特徴とする低ウィスカー性リフローSnめっき材。 (もっと読む)


【課題】半導体素子を装着するための中空部を有する樹脂製のパッケージ本体の底面部分に、パッケージ本体の底面よりも中空部側に位置するパッケージ下面部が設けられている面実装タイプ樹脂製中空パッケージの製造方法において、成形金型に凸部を形成することなく、パッケージ下面部の寸法、形状の変化に柔軟かつ容易に対応できるようにし、しかも、樹脂バリの発生を抑制できるようにすること。
【解決手段】成形金型5表面とリードフレーム8との間に離型フィルム9を介在させ、この離型フィルムにパッケージ下面部に対応する凸形状9aを形成することで、パッケージ下面部を形成するようにした。また、離型フィルム9を樹脂バリの発生を抑制するためのシール材としても利用するようにした。 (もっと読む)


【課題】極めて薄く具現されても安定性を確保することが可能な樹脂流れ改善用のリードフレーム構造を有する側面型LEDパッケージを提供する。
【解決手段】側面型LEDパッケージ100はLEDチップ、上記LEDチップが一面に装着され側面に凸凹構造を有するストリップ型のリードフレーム140、及び上記LEDチップを受容する空洞がある前半部及び上記リードフレーム140により上記前半部から区分される中が満ちている後半部を具備する樹脂からなる一体型のパッケージ本体を含む。上記リードフレームの凸凹構造は樹脂流れを改善しLEDパッケージ100が極めて薄く具現されてもその安定性を確保することが可能である。 (もっと読む)


【課題】集積回路メモリであるダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)の設計に於いて、ソリッドステート装置を密閉する方法を提供する。
【解決手段】結合パッドにリードフレームが接続される型式のソリッドステート装置を密閉する方法であって、密閉処理中、タイバーをリードフィンガーの支持体として供することを特徴とする。また、リードフレームの一部分は、ソリッドステート装置の電気回路の一部を形成するのが好ましい。また、タイバーを切断する工程を含むのが好ましい。 (もっと読む)


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