【課題】リードタイプの電子部品を配線基板に実装する際の熱によって電子部品の電気的な特性が劣化してしまうことを防止できるリードタイプの電子部品及びリードフレームを提供する。
【解決手段】隣接して配されたパッド部７、パッド部８及びパッド部９と、パッド部７、パッド部８及びパッド部９からそれぞれ同一方向に延設されたリード端子１、リード端子２及びリード端子３とを備えており、リード端子１、リード端子２及びリード端子３は、隣り合うリード端子間のピッチが狭い狭ピッチ部位（図中、領域Ｄ１で示す部位）と、隣り合うリード端子間のピッチが広い広ピッチ部位（図中、領域Ｄ３で示す部位）とをそれぞれ備え、前記狭ピッチ部位は、前記広ピッチ部位よりもパッド部７、パッド部８及びパッド部９側に配され、リード端子１、リード端子２及びリード端子３のうちの少なくとも１つのリード端子は、前記広ピッチ部位に第１突出片１２，１２を備えた。 （もっと読む）

【課題】アイランドと封止樹脂１０４との密着性を向上させつつ、アイランド上面の有効面積を増大させた半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子１８と、半導体素子１８が実装されるアイランド１４と、金属細線１６Ａ、１６Ｂを介して半導体素子１８と電気的に接続されたリード１２Ａ、１２Ｂと、半導体素子１８等を封止する封止樹脂２４とを主要に有し、アイランド１４の周辺部に段差部３０を設けた構成となっている。更に、段差部３０は、第１段差部３２および第２段差部３４から構成されているので、これらが封止樹脂２４と嵌合することにより、絶縁性樹脂２４とアイランド１４との密着強度が向上されている。 （もっと読む）

【課題】半導体センサチップを搭載する板状のモールドシートの上面に有底筒状の蓋体を配し、モールドシート及び蓋体により半導体センサチップを含む空洞部を形成した構成の半導体装置において、そのシールド性向上を図る。
【解決手段】モールドシート３の上面３ａをなす板状のステージ部１１にその周辺から内側に向けて切り欠き１７を形成し、半導体センサチップ５に電気接続する接続部１３ａ及びこれからステージ部１１の外側に向けて伸びるサポートリード１８を有するリード端子１３を切り欠き１７内に配し、ステージ部１１及びリード端子１３を電気的に絶縁させる絶縁部１５により樹脂モールドしてモールドシート３を構成する。切り欠き１７内のサポートリード１８には上面３ａよりも下方に配される窪み部を形成し、蓋体９の開口端９ａをステージ部１１の上面３ａ及び窪み部上に形成された絶縁部１５上にわたって配する。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを搭載するためのダイパットと、このダイパットを中央に位置させて設定された仮想の四辺のうちの対向する二辺から外向きに延びるように配置された放熱フィンと、前記四辺のうちの残りの二辺に向かう方向に形成された複数のインナーリードとを有した半導体装置において、アウターリードと放熱フィンとのカットベンド工程における半導体装置の生産性の向上を図る。
【解決手段】リードフレームが吊りリード８を有する。吊りリード８は、半導体装置における樹脂封止エリア１７の内部と、リードフレームにおける封止樹脂から露出した放熱フィン４の部分以外の部分とにわたって配置されている。 （もっと読む）

【課題】ハーフカットダイシングにより端子部を分離した状態においても端子部と樹脂モールド部とを強固に結合状態とする。
【解決手段】樹脂モールド部５内の半導体チップ１を外部に接続するための端子部４が、樹脂モールド部５に埋設された内部端子部７と、これに積層状態に重ねられ樹脂モールド部５の底面に一部が露出される外部端子部８とを有し、一対の端子部４が縦列状態で複数対並べられており、その両端子部４における前記内部端子部７は、外部端子部８よりも幅の広い幅広部９を有し、各対の幅広部９の間又は外側端子部８の間に、モールド樹脂が入り込んだ樹脂侵入部１６が設けられ、この樹脂侵入部１６において各対の端子部４が樹脂モールド部５の底面からのハーフカット状態のダイシング溝１７によって分断されている。 （もっと読む）

【課題】 リードフレームのインナーリードを補強する。
【解決手段】半導体チップを接着搭載するためのダイパッド１１ｇと、１つの半導体装置の領域を区画し最終的に切断除去される横方向タイバー１１ｈおよび縦方向タイバー１１ｉと、縦方向タイバー１１ｉに基端が接続されたインナーリード１１ａ〜１１ｄとを有するリードフレームにおいて、インナーリード１１ａ〜１１ｄの先端に補強片１１ａ１〜１１ｄ１を連続形成し、その補強片１１ａ１〜１１ｄ１の先端を横方向タイバー１１ｈに接続する。 （もっと読む）

方法および装置は、リードフレームに結合された集積構成要素を有するセンサを提供する。一実施形態では、センサは、集積構成要素からの外部リードをダイの反対側に含む。別の一実施形態では、リードフレームは、渦電流を低減させるための溝を含む。
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【課題】 リード間隙と材料の板厚とプレス時のパンチ形状との関係に影響を受けて形状が制限される事がない半導体装置用リードフレームとその製造方法を提供すること。
【解決手段】 リードまたはダイパット２とパンタグラフ型の吊りリード３とフレーム枠４とを備えたリードフレーム１で、吊りリード３を介してフレーム枠４に配設されたリードまたはダイパット２が構成されているのでフレーム枠４と、吊りリード３を介して該フレーム枠４に配設されたリードまたはダイパット２と、の間に力をかける事により吊りリード３を塑性変形させて互いに対向するリードまたはダイパット２同士間のリード間隙を狭く変化調整できるのでリードフレーム１をプレス加工する際のパンチ形状が狭幅に制限されず、完成時のリード間隙と材料の板厚に制限を課す事がない。 （もっと読む）

【課題】スルーゲート方式等の樹脂封止ができないパッケージであっても、外部の端子やフィン部等に樹脂フラッシュが発生するのを防止でき、２次モールド部に１次の樹脂を巻き込むことのないリードフレームおよびそのリードフレームを用いた特性の良好な光半導体装置を提供する。
【解決手段】 ゲート領域を所定の間隔をあけて挟む２つの第１ゲート部材１２,１３と、その２つの第１ゲート部材１２,１３をさらに外側から挟む２つの第２ゲート部材１４,１５とを有する二重構造のゲート部９を備える。上記ゲート部９により形成されたゲート領域を除いて、内側樹脂部２０が形成される第１モールド領域を囲うように第１タイバー１０を設ける。さらに、上記第１タイバー１０の外側かつ内側樹脂部２０を囲む外側樹脂部が形成される第２モールド領域を囲うように第２タイバー６,７を設ける。 （もっと読む）

【課題】大型チップの使用に際しても小型でかつオン抵抗の低いＭＯＳＦＥＴを形成することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】樹脂パッケージ１０と、前記樹脂パッケージ１０内部で、一体化されチップ搭載部２ｄを構成する少なくとも２本の主リード２ａ、２ｂ、２ｃと前記チップ搭載部２ｄに搭載された半導体チップ６と、前記半導体チップの表面でそれぞれ電極に接続された第１および第２の表面リード３ａ，３ｂとを含み、前記主リード２ａ、２ｂ、２ｃおよび前記第１および第２の表面リード３ａ、３Ｂが前記樹脂パッケージ１０の底面と同一面上をまっすぐに伸長するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）