【課題】板材からなるダイパッド部と、その上面に半田を介して接合された半導体チップとを封止樹脂により封止した半導体パッケージにおいて、半導体チップとダイパッド部との剥離を防止できるようにする。
【解決手段】ダイパッド部３が、平板状に形成されて上面１１ａに半導体チップを接合する配置板部１１、及び、配置板部１１から屈曲して前記上面１１ａの上方に延びる立ち上がり部１２と、その上端から該立ち上がり部１２と逆向きに屈曲して前記上面１１ａに沿って配置板部１１から離間する方向に延びる折り返し部１３とからなる多重折曲部１５を有して構成され、立ち上がり部１２が、前記上面１１ａに対向するように配置板部の上面１１ａの周縁から外側に延びる仮想の延長線に対して９０度以上の角度で屈曲され、多重折曲部１５が封止樹脂６によって封止され、多重折曲部１５が半導体チップを挟み込む位置に一対形成された半導体パッケージ１を提供する。 （もっと読む）

【課題】熱放散性や製造容易性に優れ、かつ水分等の異物の侵入を抑えたＣＳＰ構造の半導体装置、並びにその半導体装置を構成するリードフレームを形成するための異形断面条及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様において、突起３が形成された部分であるアウターリードとしての２つの厚肉部２Ａ、及び２つの厚肉部２Ａの間のインナーリードとしての薄肉部２Ｂを有するリードフレーム５Ａと、ボンディングワイヤ１２を介して薄肉部２Ｂに電気的に接続される半導体チップ１１と、リードフレーム５Ａ及び半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ１４と、を含み、リードフレーム５Ａの上面及び下面の樹脂パッケージ１４に接触する部分に、突起３に平行な線状の微小溝４Ａ、４Ｂが形成され、微小溝４Ａ、４Ｂの深さは前記突起の高さよりも小さく、２つの厚肉部２Ａの一部が樹脂パッケージ１４の底面及び側面に露出する半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ダイパッドが底面から露出した半導体装置において、ダイパッドへの樹脂バリの付着がなく、放熱性能のよいリードフレーム、リードフレームの製造方法、及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２１を載せるダイパッド１１の裏面が露出するタイプの半導体装置２０に使用するリードフレーム１０において、ダイパッド１１の裏面の外周部に、パッケージ下面方向に突出する第１の金属バリ１６が形成され、しかも第１の金属バリ１６の先端が平坦となっている。そして、ダイパッド１１の周辺にダイパッド１１の裏面と同一面を有する複数の外部端子２６が形成され、複数の外部端子２６の各端子外周部に、パッケージ下面方向に突出する第２の金属バリ２７を形成し、前記第２の金属バリ２７の先端が平坦となっている。 （もっと読む）

【課題】プライマの塗布範囲を適切に選択することができるリードフレーム、半導体装置及び製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明によるリードフレーム１は、所定の延在方向に延びる外部端子２、６を含むリードフレーム１であって、延在方向に垂直な垂直線上におけるリードフレーム１の厚み方向の寸法が、垂直線と厚み方向視の輪郭線の交点に向けて漸減する漸減部分４、８を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のオン状態における素子全体にわたる抵抗成分のうち、半導体基板に起因する抵抗成分を低減することができ且つ半導体基板の裏面側からの放熱効果を向上できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子が形成された第１の主面と、該第１の主面の反対側の面である第２の主面とを有する半導体基板と、該半導体基板の第２の主面に固着されたリードフレーム１１４とを備えている。第２の主面を構成するコレクタ層８には、少なくとも１つの凹部８ａが形成されている。リードフレーム１１４における第２の主面と固着される面には、コレクタ層８に形成された各凹部８ａと嵌合する凸部１１４ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】放熱性が高く容易に製造できる光半導体装置を提供する。

【解決手段】本発明の樹脂成形フレームは、リードフレームとモールド樹脂で構成される樹脂成形フレームであって、リードフレームはダイパッド部と端子部とダイパッド連結部と端子連結部と外枠体を備え、モールド樹脂はダイパッド部を覆い一体に成形され、樹脂溜まり部を備えている。また、本発明の光半導体装置は、前述の樹脂成形フレームを用いて、ダイシング方式により切断し製造されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】幅方向の撓みが少ないリードフレームを提供する。
【解決手段】リードフレーム１０は、第１の方向に沿って延びる側縁部に形成されたレール部１１，１２と、レール部と直交する第２の方向に沿ってレール部から延出された複数のセクションバー１７、１８と、複数のセクションバーに沿って連接された複数の単位リードフレーム２０と、を備え、複数のセクションバーのうちの少なくとも１つは、半抜き加工によって形成された第２の方向に沿って延びるリブ３２を備えた。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに不要な封止樹脂を残存させることなく、確実に除去する。
【解決手段】リードフレーム２００のダイパッド２１０上に半導体チップ１００を搭載する工程と、リードフレーム２００を金型内に配置して封止樹脂により封止するモールド工程と、封止されたリードフレーム２００を金型から取り出す工程と、封止樹脂の不要部分６００を除去する除去工程と、を有する。まず、モールド工程前において、リードフレーム２００の支持フレーム２４０の少なくとも片面に、溝で囲まれた半抜き加工部２６０を形成する。また、除去工程において、半抜き加工部２６０を除去することにより、不要部分６００を除去する。 （もっと読む）

【課題】低雑音増幅器が他の回路部のグランド電位の影響を受け難くする半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁性樹脂からなる封止体２と、封止体の内外に亘って設けられる複数のリード７と、封止体内に設けられ半導体素子固定領域とワイヤ接続領域を主面に有するとと、半導体素子固定領域に固定され露出する主面に電極端子９を有する半導体素子と、半導体素子の電極端子とリードを接続する導電性のワイヤ１０と、半導体素子の電極端子とタブ４のワイヤ接続領域を接続する導電性のワイヤとを有する半導体装置１であって、半導体素子にモノリシックに形成される回路は複数の回路部で構成され、その回路部の一部の特定回路部（低雑音増幅器）においては、半導体素子の電極端子のうちの全てのグランド電極端子は、タブにワイヤを介して接続されることなく、ワイヤを介してリードに接続されるものである。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のリードを所望の形状に高精度に加工する。
【解決手段】リード加工金型１００は、本体部５１とリード５４を有する半導体装置５０が載置される受けダイ２と、本体部５１の側面５３を位置規制する側面位置規制ダイを有する。側面位置規制ダイは、本体部５１の少なくとも１つの側面５３である第１側面を位置規制する第１側面位置規制ダイ（曲げダイ３）を含む。第１側面位置規制ダイは、第１側面に近づく第１方向及び第１側面から遠ざかる第２方向に移動可能である。リード加工金型１００は、第１側面位置規制ダイを第１方向及び第２方向に移動させる移動部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の耐圧を確保することのできる技術を提供する。
【解決手段】封止体４は、第１リード１の第１インナー部１Ａと、第１オフセット部１Ｃと、第１アウター部１Ｂの一部とを封止し、第２リード２の第２インナー部２Ａと、第２オフセット部２Ｃと、第２アウター部２Ｂの一部とを封止する。さらに、第１アウター部１Ｂは、封止体４の下面から露出する第１裏面Ｄ１１と、第１リード１の延在方向と直交する第１外端面Ｄ１２と、前記第１オフセット部１Ｃと前記第１アウター部１Ｂとの境界に位置する第１内端面Ｄ１３とを有し、第２アウター部２Ｂは、封止体４の下面から露出する第２裏面Ｄ２１と、第２リード２の延在方向と直交する第２外端面Ｄ２２と、第２オフセット部２Ｃと第２アウター部２Ｂとの境界に位置する第２内端面Ｄ２３とを有する。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の染み出しが少ない素子搭載部の裏面が露出した半導体装置を提供する。
【解決手段】この半導体装置は、半導体チップ１００と、リードフレーム２００と、封止樹脂５００と、を備えている。リードフレーム２００は、半導体チップ１００を搭載する素子搭載部２２０を有している。また、封止樹脂５００は、素子搭載部２２０の半導体チップ１００の搭載面（不図示）、及びリードフレーム２００のリード２６０を封止している。素子搭載部２２０は、周縁部の半導体チップ１００の搭載面に、素子搭載部２２０の裏面側に向けて傾斜した傾斜部２４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】封止材等との接着性が良好であり、電気特性及び放熱性の低下を抑制することができ、低温処理可能であって、生産性に優れ、キズやコスレなどの痕が付きにくい、半導体実装用導電基材の表面処理方法を提供する。
【解決手段】半導体実装用導電基材に、腐食抑制剤、硫酸及び過酸化水素を含有する化学粗化液を接触させて表面に粗化形状を形成する粗化工程を有し、前記腐食抑制剤は、１，２，３−ベンゾトリアゾール及び５−アミノ−１Ｈ−テトラゾールを含有し、前記粗化工程の後に、前記粗化工程で表面に形成される有機皮膜を、アミンを含有するアルカリ性溶液に接触させて除去する皮膜除去工程を有する半導体実装用導電基材の表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチなリードを有するパッケージを高い歩留まりで製造するための技術を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体チップを搭載するためのパッケージの製造方法が提供される。この方法は、支持部、支持部から延びた第１リード、支持部から第１リードに隣接する位置へ延びた第２リード、及び第１リードの先端部と第２リードの先端部とを連結する連結部を含むリードフレームを準備する準備工程と、連結部及び支持部を露出するとともに、第１リードの一部及び第２リードの一部を覆うように、半導体チップを搭載するための樹脂部を形成する形成工程と、形成工程の後に、連結部を除去して第１リードの先端部を第２リードの先端部から分離する分離工程と、形成工程の後に、第１リード及び第２リードから支持部を切り離す切断工程とを有する。第１リードの先端部と第２リードの先端部とはリードフレームの厚さ方向にオフセットを有して配置されている。 （もっと読む）

【課題】硬質ヒートシンクに取付けが可能であり、反りを考慮し十分な放熱能力が高めることができる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。

【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体素子が搭載された複数のダイパッドを有するリードフレームと、ダイパッドの接続された放熱板と、リードフレームの一部と放熱板の一部を覆う樹脂封止体と、を備える半導体装置において、放熱板が外面側に凸形状に湾曲し、且つ、ダイパッドに対応している位置が波形状に突出していることを特徴とする。また、製造方法は、放熱板の打ち抜き工程と、リードフレームのダイパッドに半導体素子を搭載する素子実装工程と、放熱板とリードフレームを接合し、樹脂封止する樹脂成形工程とを備える半導体装置の製造方法において、打ち抜き工程で放熱板全体を湾曲させ、モールド工程の熱硬化収縮を利用して波形状にすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法で、小型薄型化を維持しながら、接合強度を向上させることを目的とする。
【解決手段】一つの金属板２に形成された穴４の内部に、パンチ５を用いてその他の金属板３を延伸させて、穴４の内側面にて２つの金属板を接続することにより、簡易な方法で、小型薄型化を維持しながら、接合強度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体チップからダイパッドへ効率良く放熱する半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ダイパッド１２１を含むリードフレーム１０２と、ダイパッド１２１のチップ搭載領域にダイボンド材１３２により接合された半導体チップ１０１とを備えている。チップ搭載領域は、半導体チップ１０１に間隔をおいて外嵌する第１の部分１２４ａと、第１の部分１２４ａよりもその壁面と半導体チップ１０１の側面との間隔が大きい第２の部分１２４ｂとを含む凹部１２４である。半導体チップ１０１の側面と凹部１２４の壁面との間にはダイボンド材１３２が充填されている。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスパッケージ及びその製造方法を改善することを目的とすること。
【解決手段】本発明の一態様は、キャビティが形成されたパッケージ本体と、前記キャビティの底面上の底部フレーム、並びに、前記底部フレームの一方の側面から延在する第１の側壁フレーム、及び、前記底部フレームの他方の側面から延在する第２の側壁フレームを有するリードフレームと、前記リードフレームの上に配置された発光ダイオードとを備え、発光ダイオードパッケージである。前記第１及び第２の側壁フレームの少なくとも一方は、前記底面に対する垂直軸を基準として１５°から３０°の範囲の角度で傾斜している。 （もっと読む）

【課題】はんだにより半導体チップを板状のダイパッドに接合した構成の半導体装置において、その信頼性の向上及び小型化・薄型化を図ることができるようにする。
【解決手段】はんだ４により半導体チップ２を接合するダイパッド３を備え、ダイパッド３の平坦な上面３ａのうち半導体チップ２の配置領域に、前記上面３ａから窪んではんだ４を収容する凹部１２が形成されたリードフレームを提供する。また、前記凹部１２が、前記ダイパッド３の上面３ａよりも低く位置して当該上面３ａに平行する平坦な底面１２ａと、当該底面１２ａの周縁から前記ダイパッド３の上面３ａに向かうにしたがって前記配置領域から離れるように延びる傾斜面１２ｂとによって構成されているリードフレームを提供する。 （もっと読む）