【課題】半導体装置のワイヤ長の低減化を図る。
【解決手段】複数のリード２ａのうちのリード２ｆは、第１の厚さを有する基端部２ｇと、基端部２ｇの長さよりも長く、かつ平面視において基端部２ｇからダイパッドに向かって屈曲するインナー部２ｅと、基端部２ｇからリード幅方向Ｈに迫り出した突出部２ｈとを有しており、インナー部２ｅは、平面視において前記ダイパッド側に位置する先端部２ｅａと、基端部２ｇ及び突出部２ｈと連結する連結部２ｅｂとを有するとともに、平面視において連結部２ｅｂの幅Ｍ３は基端部２ｇの幅Ｍ１よりも大きく、複数のリード２ｆのそれぞれのインナー部２ｅにステージを接触させた状態でワイヤボンディングを行う。 （もっと読む）

【課題】半導体部品の樹脂封止成形品において、プリント基板とリードフレームを繋ぐボンディングワイヤの封止樹脂流動による変形を低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２に搭載された半導体チップ３と、インナー側にチャンネル部を有するリードフレーム５と、チャンネル部の内側を経由してリードフレーム５と半導体チップ３を接続するボンディングワイヤ４と、半導体チップ３とボンディングワイヤ４とリードフレーム５を被覆する樹脂硬化物から半導体装置を構成する。リードフレーム５のチャンネル部の長さをＬ１、高さをＨ１とし、ボンディングワイヤ４の水平方向長さをＬ２、最大高さをＨ２とすると、１／３＜Ｌ１／Ｌ２＜１および１／２＜Ｈ１／Ｈ２を満たす。 （もっと読む）

【課題】信頼性低下を防止ないしは抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】モールド工程において、ワイヤ流れ不良が発生しやすい排出部側の領域において、ワイヤ５の延在方向と、樹脂の流れ方向を０度に近づける。ワイヤ流れ不良が発生しやすいリード４は、中央領域４ｅの隣に配置される張出領域４ｆにワイヤ５を接合する。中央領域４ｅは、延在部４ａと先端部４ｂの境界線の中心と先端部４ｂの先端面４ｃ側の端辺の中心を結ぶ中心線（仮想線）ＣＬを中心軸として、延在部４ａと同じ幅を有する領域である。一方、張出領域４ｆは、中央領域４ｅと隣接して配置され、中央領域４ｅから第１方向Ｙに沿って張り出した領域である。 （もっと読む）

【課題】電気接続構造を有する半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ダイパッド１１及び複数のバンプソルダーパッド１３を得るために金属板をプレスするとともに、該バンプソルダーパッド１３の少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくし、該ダイパッド１１の少なくとも一つの横断面積をその下方にある他の一つの横断面積よりも大きくすることで、該ダイパッド１１及びバンプソルダーパッド１３が封止材１６内に嵌設されるようにする。また、本発明は、封止材１６が形成された後に金属板を取り除くようにしたため、バンプソルダーパッド１３の底面にオーバーフローすることをさらに回避することができる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、パッケージの平面サイズを縮小し、実装強度を向上させ難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、アイランド７上に半導体素子１０が固着され、アイランド７はリード４よりも樹脂パッケージ２の表面５側に配置される。そして、リード４の一部は、アイランド７や半導体素子１０の下方に交差するように配置され、樹脂パッケージ２の裏面３側から露出する。この構造により、露出したリード４は、実装領域として用いられ、樹脂パッケージ２の平面サイズは縮小され、実装強度が向上される。 （もっと読む）

【課題】絶縁耐圧に必要な空間距離を満足し、大電流を流すことが可能で且つ小型の半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体素子１０２とリードフレーム１０１とを備えている。リードフレーム１０１は、互いに並行に配置された第１のリード１２１、第２のリード１２２、第３のリード１２３、第４のリード１２４及び第５のリード１２５とを有する。第１のリードと第２のリードとは互いに隣接して配置され、第１のリード群１２７を構成し、第３のリードと前記第４のリードとは互いに隣接して配置され、第２のリード群１２８を構成している。第１のリード群と第５のリードとの間隔、第２のリード群と第５のリードとの間隔及び第１のリード群と第２のリード群との間隔は、いずれも第１のリードと第２のリードとの間隔及び第３のリードと第４のリードとの間隔よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】更なる高周波モールドパッケージの対応化を図ることができる半導体モールドパッケージを得る。
【解決手段】図１２は、意図的にリードフレームを短くして、ワイヤ長を伸ばしたリードフレーム形状を示す配置図である。図１２において、１はリードフレーム、３はＬＳＩ、５はＬＳＩ３とインナーリードフレームを接続するワイヤ、６はＬＳＩ３の近傍まで伸ばしたインナーリードフレーム、１０は意図的にインナーリードを短くしたインナーリードフレームである。ワイヤ５のインダクタ成分を利用したい端子とワイヤ長を少しでも短くしたい端子が入り混じっているときに用いるインナーリードフレーム１０を図１２に示す。図９のようにインナーリードフレーム８を伸ばした上で所望の端子のみインナーリードフレーム７を短くしておき、ワイヤ長を伸ばすことも可能である。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを用いて製造される表面実装型半導体パッケージにおいて、リード数を容易に増加でき、かつ、製造効率向上も図ることができるようにする。
【解決手段】フレーム枠部１２、及び、その内縁から内側に延びると共にフレーム枠部１２の上面よりも上方にアップセットされた複数のリード４を備えた複数枚のリードフレーム１１を用意する。互いに異なるリードフレーム１１のリード４同士が離間するように複数枚のリードフレーム１１を重ね合わせ、一のリードフレーム１１Ａのステージ部３の上面に半導体チップ２を固定し、半導体チップ２と複数のリード４とを電気接続する。そして、半導体チップ２、ステージ部３及びリード４を樹脂モールド部５により埋設した後に、フレーム枠部１２の下面側からフレーム枠部１２を削り取ることで、複数のリード４を電気的に分断すると共に各リード４の基端部を樹脂モールド部５の下面から外方に露出させる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の接続に用いられる金属細線の線長を短縮化することにより材料コストを低減する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では、アイランド１２を囲むように複数のリード１６Ａ−１６Ｈを配置し、隅部に配置されたリード１６Ａ、１６Ｄ、１６Ｅ、１６Ｈの内側の一端を、中間部に配置された他のリード１６Ｂ等の一端よりも内部に位置させている。この様にすることで、隅部に配置されたリード１６Ａ等と半導体素子とを接続する金属細線２２Ａ等の線長が短縮化され、その分材料コストを安くすることができる。 （もっと読む）

【課題】複数の端子の加工形状を均一化できるようにした半導体装置の製造方法、基板の製造方法及び基板を提供する。
【解決手段】第１の面に、第１の領域と、第１の領域と第１の面の輪郭との間にある第２の領域と、を有する金属板２１を第１の面側から部分的にエッチングすることにより、第１の面の第１の領域に、第１の方向に沿って複数の第１の列を成すと共に、第１の方向と平面視で交差する第２の方向に沿って複数の第２の列を成すように配置された複数の端子２７を形成する工程、を含み、この工程では、第１の面の第２の領域であって、第１の列の端部に位置する端子から第１の方向に沿って第１の距離だけ離れた第１の位置に第１の凸部を形成し、第１の距離は、第１の列内で隣り合う端子間の距離に等しく、第１の凸部は、平面視で、端子をその外周の一部を含むように複数の部分に分割したうちの第１の部分と同じ形で同じ大きさを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体の製造工程における不良、特にワイヤーボンディングの結線不良、の発生を低減させて、製品の歩留まりと信頼性とを向上させるリードフレーム及びその製造方法、並びに、そのリードフレームを用いた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】凸部１７と、凸部１７に含まれる第１の面１２とオーバーラップする第１の部分及び前記第１の部分から延びて第１の面１２とオーバーラップしない第２の部分とを有する金属層１５と、を備える基板を形成する工程と、金属層１５が有する前記第２の部分が、凸部１７に含まれる第１の面１２と交わる第２の面とオーバーラップするように、金属層１５を折り曲げる工程と、を含むことを特徴とするリードフレームの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属層と封止樹脂との結合力を向上させつつ、上面が平坦であり、かつ横方向の大きさも均一な電極を形成でき、微細化にも十分対応できる半導体装置用基板の製造方法、半導体装置の製造方法、半導体装置用基板及び半導体装置を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の表面にレジスト層２１を形成するレジスト形成工程と、マスクパターン３１を含むガラスマスク３０を用いて、レジスト層を露光する露光工程と、レジスト層を現像し、基板に接近するにつれて開口部外周が小さくなる傾斜部２５を含む側面形状のレジストパターン２２を基板上に形成する現像工程と、レジストパターンを用いて基板の露出部分にめっきを行い、基板に接近するにつれて外周が小さくなる傾斜部４４を含む側面形状の金属層４０を形成するめっき工程と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リード端子部が外部接続に必要な長さ（面積）を有し、かつ、吊りリード部とリード端子部との絶縁信頼性が確保された半導体装置およびそれに用いるリードフレームを提供する。平面方向の大きさが小さく実装面積の小さな半導体装置、およびそれに用いるリードフレームを提供する。
【解決手段】このリードフレームは、半導体装置製造単位において、枠部と、枠部の中央部に配置された支持部４と、枠部の角部と支持部４とを接続する吊りリード部３と、枠部の辺部からのびるリード端子部５とを備えている。吊りリード部３に隣接するリード端子部５Ａは、吊りリード部３との干渉を避けるように吊りリード部３にほぼ沿う面取部を先端に有している。 （もっと読む）

【課題】リードフレームを用いた半導体デバイスにおいて、インナーリードに対するワイヤボンディング性を低下させることなく、リードフレームの上下における樹脂厚差を低減する。
【解決手段】リードフレーム１は、インナーリード領域Ｙと重なるチップ搭載領域Ｘと、インナーリード領域Ｙの外側に配置されたアウターリード部３、４と、インナーリード領域内に配置されたインナーリード部２とを備える。リードフレーム１には半導体チップ５が搭載される。半導体チップ５の電極パッド６はインナーリード２Ａ、２Ｂと金属ワイヤ８を介して接続される。インナーリード２Ｂはインナーリード領域Ｙ内のチップ搭載領域Ｘを除く領域に位置する部分をデプレス加工した加工部１２を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の電極数増加に対応し、信頼性が高く、作製・組み立てを安定して行えるリードフレーム型基板と製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】金属板の第１面に半導体素子搭載部と、半導体素子電極の接続端子を有し、第２面には外部接続端子を有し、金属板の他の部分は樹脂層が形成されており、特に、第２面に部分形成された非貫通の孔部の底面に凸状を成し高さが第２面より低く、配線と導通せず、且つ、個々に散在する「突起」が形成されているリードフレーム型基板であり、好ましくはフォトレジストパターンとエッチングを多用することで製造する。 （もっと読む）

【課題】リードフレームに固着された各半導体チップ等とリードフレームのワイヤボンディング部を超音波Ａｌワイヤボンディングで強固に接合すること、並びにリードフレームの外枠を切断するときの外枠の切断残りにより各半導体チップ等が短絡する弊害を防止する。
【解決手段】リードフレーム１上のワイヤボンディング部等をワイヤボンディング方向に延在し、連結リード９等でリードフレーム１の外枠８に連結することにより、超音波Ａｌワイヤボンディング時の超音波振動力の発散を阻止し、Ａｌワイヤとワイヤボンディング部等の強固な接合を形成する。また、樹脂封止工程終了後、外枠８を切断するが、その切断残りが樹脂パッケージ１２の側面に存在した場合でも、連結リード９等と他の吊りリード５ｃ等の間の外枠８に切欠き１５等を設けることにより、連結リード９等と吊りリード５ｃ等の連結を防止する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のパッケージサイズをチップサイズに近づけて小型化を図る。
【解決手段】複数のパッド２ａを有する半導体チップ２と、実装面１ｇとワイヤ接続面１ｈとを有しており、かつ肉厚部１ｅと肉厚部１ｅより厚さが薄い肉薄部１ｆとを備え、さらにそれぞれワイヤ接続面１ｈの長さが実装面１ｇより短く形成された複数のリード１ａと、半導体チップ２とリード１ａを接続する複数のワイヤ４と、樹脂によって形成された封止体３とからなり、各リード１ａの肉薄部１ｆが、半導体チップ２の下部にもぐり込んで配置されており、かつリード１ａと半導体チップ２とが逆ボンディングによってワイヤ４で接続されていることにより、各リード１ａの実装面１ｇの長さを確保しつつ、半導体チップ２の側面２ｄから封止体３の側面３ｂまでの距離を可能な限り短くしてパッケージサイズをチップサイズに近づけてＱＦＮ５の小型化を図る。 （もっと読む）

【課題】電子部品が搭載される一面がモールド樹脂で封止される基板において、基板の一面上の電子部品の制約を受けることなく、当該一面の必要な部位にプライマーを塗布する。
【解決手段】一面５０ａに電子部品２０、３０が搭載され、一面５０ａがモールド樹脂７０で封止される基板５０であって、他面５０ｂから一面５０ａに貫通する貫通穴１が設けられ、一面５０ａのうちモールド樹脂７０で封止される部位に、溝２が設けられ、この溝２は、一面５０ａにおける貫通穴１の開口部まで延びて当該開口部に連通しており、モールド樹脂７０と基板５０との密着性を確保するためのプライマー９０を、他面５０ｂ側から貫通穴１に供給したとき、プライマー９０は、貫通穴１を介して一面５０ａ側へ移り、その表面張力によって溝２内に行き渡るようになっている。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージ構造を提供する。
【解決手段】半導体パッケージ構造は、複数の第一インナーリード、複数の第二インナーリード、複数のアウターリード、複数のスタックチップ、封入材料、及び、複数のワイヤー、からなる。各第一インナーリード上に第一突出部を突起すると共に、高度差のある複数の接触面を形成し、各第二インナーリード上に第二突出部を突起し、これにより、スタックチップ、第一インナーリード、第二インナーリードに接続される半導体パッケージ構造のワイヤーの長さを短縮することができ、成型工程で、ワイヤー掃引や短絡を防止する。この他、本発明は、リードフレーム、半導体パッケージ構造の製造方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤボンディング短絡が避けられ、チップの下面のリードの配置が便利となり、ダイパッド寸法の縮小或は省略が可能なＣＯＬ型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】複数の載置バー２１１、複数のボンディングフィンガー２１２及びその両者を接続する複数の接続線２１３を有する複数のリードフレームのリード２１０と、複数のボンディングパッド２２３が設置される主面２２１と載置バー２１０群を貼付している背面２２２とを有するチップ２２０と、ボンディングパッド２２３群とボンディングフィンガー２１２群とを接続し、中の一本は少なくとも一本の電気的接続無しの接続線２１３Ａを跨いでいる複数のボンディングワイヤ２３０と、接続線２１３群の上に貼付される絶縁テープ２４０と、チップ２２０、ボンディングワイヤ２３０群、絶縁テープ２４０、ボンディングフィンガー２１２群及び接続線２１３群を密封する封止体２５０と、を備える。 （もっと読む）