【課題】不揮発性であって、データの追記が可能で、作製工程が増加することがない記憶回路を有する表示装置、表示装置を用いた電子機器の提供を課題とする。
【解決手段】一対の導電層間に有機化合物層が挟まれた簡単な構造の記憶素子からなる記憶回路を有する表示装置を提供する。上記構成を有することにより、不揮発性であって、データの追記が可能で、作製工程が増加することがない記憶回路を有する表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】不揮発性であって、作成が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】一対の導電層間に有機化合物層が挟まれた単純な構造の記憶素子を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。また、不揮発性であり、作製が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装置及びその作製方法を提供する。絶縁層上に設けられた複数の電界効果トランジスタと、複数の電界効果トランジスタ上に設けられた複数の記憶素子とを有する。複数の電界効果トランジスタは、単結晶半導体層をチャネル部とした電界効果トランジスタである。複数の記憶素子の各々は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層が順に積層された素子である。 （もっと読む）

メモリ装置は、ビット配置部（31）の配列において電磁材料の磁化状態にデータビットを保管する情報面（32）を有する。さらに装置は、電磁センサ素子（51）の配列を有し、この配列は、ビット配置部と位置が揃えられている。情報面（32）は、プログラム化することが可能であり、または別個の記録装置（21）を介してプログラム化される。記録装置は、少なくとも1の放射線（26）を提供し、ビット配置部において電磁材料がプログラム化温度まで加熱される。ビット配置部の磁化状態は、選択されたビット配置部の放射線による前記加熱の間に、磁場を印加することによってプログラム化される。従ってメモリ装置は、磁気再生専用メモリ（MROM）を提供し、これは専用の記録装置でなければ(再)プログラム化することはできない。
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