ＮＲＯＭセルを有する本半導体メモリの場合には、いずれの場合にも、メモリトランジスタ（Ｔ）のチャネル領域は関連するワード線（２）と直交し、ビット線は、ワード線の上面においてワード線と電気的に絶縁されるように配置されており、導電的な交差接続（２１）が存在し、交差接続（２１）は、ワード線の間の空間の区分において、ワード線と電気的に絶縁されるように配置されており、いずれの場合にもシーケンスの１つおきにビット線に接続されている。
（もっと読む）

【課題】絶縁膜の埋め込み性が高く高集積化に適切に対応することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上方に強誘電体キャパシタを形成した後、強誘電体キャパシタを覆うＡｌ_２Ｏ_３膜を形成する。その後、Ａｌ_２Ｏ_３膜を覆う高密度プラズマ絶縁膜を、Ｏ_２ガス及びＳｉＨ_４ガスを用いて形成する。このとき、Ｏ_２ガスの流量をＳｉＨ_４ガスの流量の６乃至９倍とすると共に、半導体基板の温度を２８０℃乃至３２０℃とする。 （もっと読む）