【課題】下層のポリシリコン膜を酸化させることなく、酸素アニールによりＨＴＯ膜を十分に改質させ、電気的にリークが少ないトンネル酸化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン膜からなる第１フローティングゲート１６上に、窒化膜２６又は酸窒化膜２８を介してＨＴＯ膜を成膜し、酸素アニール処理を施して、トンネル酸化膜１８（ＨＴＯ膜）を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法に適する液体イリジウム化合物、これを用いたＣＶＤ用原料、及び該ＣＶＤ用原料を用いたイリジウム薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】 トリス（オクタン−２，４−ジオナト）イリジウム。 （もっと読む）

【課題】ビット線とセルコンタクト部の容量接続用コンタクトとのショートを防止し、容量接続用コンタクトとビット線とのマージンを大きくすることができる半導体記憶装置及びその製造方法の提供。
【解決手段】ＳＴＩにより活性領域が分離形成された半導体基板上の第１の層間絶縁膜４に活性領域まで貫通するコンタクト孔５を設け、その内部に第１の層間絶縁膜上面よりも低い位置まで多結晶シリコン６を充填した後、多結晶シリコン上部にシリサイド膜１２を形成し、第１の層間絶縁膜上の所定領域にポリサイド膜又はメタル膜を含むビット線７とビット線の上面及び側面にシリコン窒化膜を形成した後、ビット線で覆われていないコンタクト孔内部のシリサイド膜を除去することにより、シリンダ型容量と接続されるコンタクト孔内部の導電体とそのコンタクト孔に隣接するビット線とを分離する。その後、第２の層間絶縁膜１０を堆積し、シリサイド膜を除去したコンタクト孔まで貫通するシリンダ型容量パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体膜をエッチングする際に生じる反応副生成物を形成される素子に悪影響を与えることなく除去する。
【解決手段】強誘電体膜をエッチングしたあと、燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。レジストをマスクとして強誘電体膜をエッチングしたあと、レジストアッシング後またはアッシング前後の両方に燐酸水溶液を用いてウェット処理をする。 （もっと読む）

【課題】 加水分解性の液体材料が大気と接触するのを確実に防止できる液体自動供給システムを提供する。
【解決手段】 このＣＶＤ装置５０は、処理室５１にペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を供給するための容器５３に予備容器７３を接続し、容器５３内のペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）の残量が少なくなったときは、配管５４と容器５３とを切り離して新しい容器５３と交換するのではなく、予備容器７３からペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）を補充する。これにより、配管５４と容器５３とを切り離すためのジョイント６１ｊを通じて配管５４内に大気が侵入し、配管５４内の残留ペンタエトキシタンタル（ＰＥＴ）が加水分解されて酸化タンタルが生成することはない。 （もっと読む）

【課題】 実効的な素子特性を向上させ、または素子領域の基板表面が露出することを防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０１の表面上にシリコン酸化膜１０２を形成し、この表面上に埋め込み酸化膜の平坦化ストッパー材となるシリコン窒化膜１０３を形成する。半導体基板１０１にトレンチ１０５を形成した後、シリコン酸化膜１０２の側面にエッチングを行って後退させる。半導体基板１０１の露出している表面に酸化を行って素子領域の表面に丸みを付ける。これにより、素子領域の実効寸法を実寸法よりも大きくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＣＶＤ法に適した有機タンタル化合物及びこれを用いて形成される高誘電体薄膜又は強誘電体薄膜として優れたタンタル含有薄膜を得る。均一で安定した気化が行われ、高い成膜速度で高純度の所望のＳＢＴ薄膜が得られる。
【解決手段】 次の一般式（２）で示される有機金属化学蒸着用の有機タンタル化合物単体からなるか、又は前記有機タンタル化合物を有機溶媒に溶解してなる有機金属化学蒸着用原料である。
【化９】


有機溶媒としては炭素数４〜１０の直鎖状、分岐状又は環状の有機化合物が挙げられる。 （もっと読む）