【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】放射線像検出器の高精細化をできるようにする。
【解決手段】放射線像検出器１が、二次元アレイ状に配列された複数のダブルゲートトランジスタ２０と、これらダブルゲートトランジスタ２０上に形成されたシンチレータ５０と、を備える。ダブルゲートトランジスタ２０が、ボトムゲート電極２１と、ボトムゲート電極２１上に形成されたボトムゲート絶縁膜２２と、ボトムゲート絶縁膜２２上に形成された半導体膜２３と、半導体膜２３に接した２つの不純物半導体膜２５，２６と、不純物半導体膜２５上に形成されたソース電極２７と、不純物半導体膜２６上に形成されたドレイン電極２８と、半導体膜２３を被覆したトップゲート絶縁膜２９と、トップゲート絶縁膜２９上に形成されたトップゲート電極３１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】光劣化が抑制され、長寿命であり、かつ簡単な構成のＴＦＴ光センサ及びこのＴ
ＦＴ光センサを備えた液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光センサは、半導体層１４Ｌ１〜１４Ｌｎとしてアモルファスシリ
コン層を用いた薄膜トランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎであって、前記薄膜ト
ランジスタからなる光センサＬＳ１〜ＬＳｎのチャネル領域の表面は外光の積算光量に応
じて光透過率が上昇する材料からなる層１８が形成されていることを特徴とする。この外
光の積算光量に応じて光透過率が上昇する材料からなる層１８としては、ポジ型感光性樹
脂材料からなるものを使用できる。本発明の光センサは、液晶表示装置のバックライト等
の明るさの制御に使用することができる。 （もっと読む）

【課題】感度安定性、残像特性を改善した画像検出装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上に、Ｘ線が照射されることにより電荷が発生する半導体膜６が形成されると共に、各々対向配置された２つの蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４を含み、半導体膜６に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の電荷蓄積容量５が半導体膜６とガラス基板１の間に形成されたＴＦＴアクティブマトリクス基板１０と、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０のガラス基板１側の面に対して光を照射するバックライト４０と、を備え、蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４は、半導体膜６の当該電荷蓄積容量５が形成された領域に対してバックライト４０から所定強度以上の光が照射されるように形成した。 （もっと読む）

【課題】誤動作のない光電変換装置を提供すること。
【解決手段】第１センサＴＦＴ１００−１のスリット１０４より出射されたバックライト光は透明な対向基板２２を透過して指で反射され、反射光として前記第１センサＴＦＴ１００−１で光電変換されて、該第１センサＴＦＴ１００−１は光電変換状態となるが、スリット１０４を持たない第２センサＴＦＴ１００−２では、センサ間領域１０２から出射されたバックライト光の反射光しか光電変換されないので、該第２センサＴＦＴ１００−２はほぼ非光電変換状態となる。輝度の高い外光が入射した時は、前記第１及び第２センサＴＦＴ１００−１，１００−２とも光電変換する。従って、前記第１センサＴＦＴ１００−１のみ光電変換状態となった場合、指が存在すると判別する。 （もっと読む）

【課題】 光電変換半導体薄膜上の両側に遮光性導電材料からなるソース電極およびドレイン電極が設けられたフォトセンサにおいて、光電変換半導体薄膜への光入射量を多くする。
【解決手段】 クロム等の遮光性導電材料からなるソース電極９およびドレイン電極１０の相対向する側には切欠部９ｃ、１０ｃが設けられている。これらの切欠部９ｃ、１０ｃは光透過部となるので、光電変換半導体薄膜５への真上からの光入射量のみならず斜め方向からの光入射量をも多くすることができる。 （もっと読む）

本発明の態様は、赤外線（IR）検出のための方法および装置に関する。IR放射線を検出するためのフォトトランジスタを生産するために、有機層を利用することができる。IR検出器の波長範囲を、異なる波長の光子に対して感受性がある材料を組み込むことによって改変することができる。量子ドットの材料に関連する波長を有する光子の吸収を増強するために、フォトトランジスタの吸収層のホスト有機材料とは異なる波長の光子に対して感受性の材料の量子ドットを、吸収層に組み込むことができる。光伝導体構造をフォトトランジスタの代わりに用いることができる。光伝導体には、PbSe量子ドットまたはPbS量子ドットを組み込むことができる。光伝導体には有機材料およびOLED構造の一部を組み込むことができる。検出されたIR像をユーザーに表示することができる。有機材料を有機発光デバイスを作製するために用いることができる。

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【課題】バックライトからの光と外光との双方を同時に利用して表示を行う液晶表示装置において、バックライトからの光の輝度を制御するための外光照度検出センサの反応時間を簡単な方法で遅延する。
【解決手段】液晶表示パネル１の一対のガラス基板２、３のうち裏面側のガラス基板３の上面にはダブルゲート型光電変換薄膜トランジスタからなる外光照度検出センサ４１が一体的に形成されている。一方、表面側のガラス基板２の下面にはクロム薄膜からなる透過率低下用膜４２が設けられている。そして、透過率低下用膜４２を透過した外光が外光照度検出センサ４１のセンサ面に入射することにより、外光照度検出センサ４１のセンサ面に入射される光量が低下し、したがって外光照度検出センサ４１の反応時間を簡単な方法で遅延させることができ、ひいては回路の周波数特性をある程度下げることができる。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを簡略化し、高歩留まりで安価に製造する。
【解決手段】放射線撮像装置は、画素エリア１０を有する放射線撮像用基板と、放射線を波長変換する波長変換体とを有する。画素エリア１０は、絶縁基板１上に、マトリクス状に配設された複数個の容量素子Ｃ１１〜Ｃ３３と、放射線を電荷に変換する光電変換層となる半導体層、ゲート電極、及びソース・ドレイン電極を有し且つ容量素子Ｃ１１〜Ｃ３３に接続されたスイッチ及び光電変換素子としてのＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ３３）と、容量素子Ｃ１１〜３３にバイアスを印加するバイアス配線（Ｖｓ線）と、ＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ３３）に駆動信号を供給するゲート配線Ｖｇ１〜３と、ＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ３３）の出力を読み出す信号配線Ｓｉｇ１〜３とから成る。この構成で、ＴＦＴ（Ｔ１１〜Ｔ３３）に入射する放射線量に応じた電荷を容量素子Ｃ１１〜Ｔ３３に蓄積し、蓄積電荷を出力する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタのフォトセンサは、光量は非常に微小なものであり、フィードバックが困難である。
【解決手段】 薄膜トランジスタのフォトセンサに、出力電流を電圧に変換する検出回路を付加する。これにより微小な電流をフィードバックが可能な所望の範囲の電圧に変換できる。また、回路は３つのＴＦＴおよび１つの容量、または２つのＴＦＴと１つの容量、１つの抵抗で構成されるので部品点数が削減できる。また動作もＨレベルのパルスの入力のみでよく、簡易な光量検出回路を実現できる。 （もっと読む）