【課題】水分による下部電極の腐食を抑制することができる、半導体素子、放射線検出器、及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２３及びＴＦＴ保護層３０を一括してエッチングされたコンタクトホールを埋めつつ、ゲートパッド４０及びデータパッド５０が形成されるため、下部電極１１を介さずに、データパッド５０と第２信号配線層５２が接続されると共に、ゲートパッド４０と第１信号配線層４２とが接続される。従って、保護層３４の開口部には下部電極１１が設けられておらず、水分が侵入した場合でも腐食が発生する恐れが少なく、下部電極１１の腐食を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】積層された2つの光吸収層を有し、光吸収層の面積が大きい光センサを提供する。
【解決手段】光センサ10は、支持層11と第１電極層12aと第１光吸収層13aと第2電極層12bと第2光吸収層13bとが順番に積層されており、第1光吸収層13a及び第2電極層12b及び第2光吸収層13bを第1領域R1及び第2領域R2に分離する分離層14と、第1領域R1の第2電極層12bと接続する第１電極20aと、第2領域R2の第2電極層12bと接続する第2電極20bと、第1領域R1及び第2領域R2の第2光吸収層13bそれぞれと接続する第3電極20cと、を備える。 （もっと読む）

【課題】高価な実装装置を用いることなく、また高温に加熱することなく、液体による高精度な部材の位置決め機能を発現させる。
【解決手段】この課題を解決するために、無端状の端部がそれぞれ形成される第１および第２部材１２，１３を備え、第１部材１２と第２部材１３との間には液状の樹脂材料１４が介在し、第１部材１２と第２部材１３のうちの片方に液状の樹脂材料１４が供給され、第１および第２部材１２，１３の端部１５，１６まで液状の樹脂材料１４によって濡れている。第１および第２部材１２，１３に無端状の端部１５，１６が形成されることによって、液状の樹脂材料１４の水平面に対するみかけの接触角が、端部の内方と外方とにおいて異なって形成され、端部１６（１５）の内方におけるみかけの接触角をθ１とし、端部１６（１５）の外方におけるみかけの接触角をθ２とすると、θ１＜θ２である。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの上面を平坦化して精度良く所定の膜厚にすることが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１３の上面１３ａには、下部電極１４、有機光電変換材料からなる中間層１５、上部電極１６、透明絶縁層１７、第１〜第３の着色層７５，７９，８３が順次積層され、下部電極１４、中間層１５、上部電極１６、第１〜第３の着色層７５，７９，８３が重なり合う有効画素領域の外側に研磨ストッパー層１８が形成されている。第１〜第３の着色層７５，７９，８３を研磨処理で平坦化する際、研磨ストッパー層１８が露出するまで平坦化するので容易に終点検出を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】応力集中に対して内部電極の断線、剥離および貫通電極の脱落が起こりにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１と、半導体基板１１を厚み方向に貫通して設けられた貫通電極１７と、半導体基板１１の第一の主面の貫通電極１７が到達する部分に設けられ、貫通電極１７と電気的に接続された内部電極１２と、内部電極１２の一部を除外して内部電極１２および前記第一の主面を覆う保護膜１３と、半導体基板１１の前記第一の主面とは反対側の第二の主面に設けられ、貫通電極１７と電気的に接続された金属配線１８とを備え、内部電極１２上において保護膜１３に複数の開口１４が設けられている。 （もっと読む）

【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波が照射されることにより電荷を発生し、電磁波の照射面側に上部電極７が形成され、電磁波の非照射面側に下部電極１４が形成された半導体層６を備えたセンサ部１０３を走査配線１０１と信号配線３の各交差部に対応して設けており、半導体層６よりも電磁波の下流側に形成された共通電極配線２５によって、各々コンタクトホール２２Ａ、２２Ｂを介して各上部電極７にバイアス電圧を供給する。 （もっと読む）

【課題】センサ部での電磁波の利用効率の低下を抑制することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線１０１及び複数の信号配線３の各交差部に対応して設けらた各センサ部１０３の上部電極７を隣接する他の何れかの上部電極７と電気的に接続し、コンタクトパッド２７Ｂにより、上部電極７が電気的に接続された一群のセンサ部１０３毎に、当該一群のセンサ部１０３に属するセンサ部１０３の数よりも少ない数の接続箇所で絶縁膜に形成されたコンタクトホール２７Ａを介して当該一群のセンサ部１０３に属する何れかのセンサ部１０３の上部電極７と共通電極配線２５を接続する。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

【課題】上部電極518の端部における電界集中による放射線検出層522の劣化を抑制すると共に、放射線検出層522において放射線検出のできない無駄な領域ができないようにする。
【解決手段】上部電極518の端部の１辺以上が放射線検出層522よりも外側に配置する。これにより、上部電極518の端部が放射線検出層522上にかからないので、上部電極518の端部における電界集中によって増大したリーク電流が放射線検出層522に流れず、放射線検出層522の劣化を抑制できる。このように、上部電極518の端部と放射線検出層522との間に絶縁性物質を形成することなく、上部電極518の端部を放射線検出層522の外側に配置することで放射線検出層522の劣化を抑制するので、放射線検出層522の全領域において放射線検出が可能となり、放射線検出層522において放射線検出のできない無駄な領域ができない。 （もっと読む）

【課題】ヘテロ接合を形成する積層構造を有するダイオード型の紫外線センサであって、方向性がなく、かつ引き出し電極が必要ではなく、さらに、広い波長範囲にわたって、分光波長感度特性がフラットなものを得る。
【解決手段】紫外線センサ１は、ｎ型半導体としてのＺｎＯ層２とｐ型半導体としての（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３とを含む、積層体４を備える。積層体４の各端部上に、第１および第２の端子電極５および６がそれぞれ設けられる。（Ｎｉ，Ｚｎ）Ｏ層３内には、第１および第２の端子電極５および６にそれぞれ電気的に接続される第１および第２の電流経路付与電極７および８が互いの間に所定の間隔９を隔てかつ同一平面上に位置するように設けられる。ＺｎＯ層２の外表面上には、細線をもって第３の電流経路付与電極１０が設けられる。ＺｎＯ層２が紫外線の受光側に位置するように用いられる。 （もっと読む）

【課題】エネルギー分解能に優れた核医学診断装置及び核医学診断方法を提供すること
にある。
【解決手段】核医学診断装置は、半導体素子Ｓと金属製の導電部材２２Ａ，２２Ｂ，２３Ａ、２３Ｂとを、導電性粒子及び樹脂バインダで構成される導電性接着材２４により接着してなる接着構造を有し、半導体素子Ｓにγ線が入射したときに発生する電荷が導電性接着材２４を介して導電部材２２Ａ、２２Ｂ，２３Ａ、２３Ｂから検出回路４０を通じて信号として取り出される構成と、γ線が入射したときに発生する電荷による電流よりも大きい電流を、少なくとも導電性接着材２４に流すための通電制御手段３０を備える。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ素子のサイズを縮少させることができ、ピクセルメタル配線層のメタル配線の構造を同一に形成でき、ブラックピクセル領域下部の受光部とアクティブピクセル領域下部の受光部との電気的特性が同じであるイメージセンサ素子、及びそのセンサ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】光を感知する多数のフォトダイオードから形成された受光部と、受光部上に透明な材質によって形成され、メタル配線が形成されたピクセルメタル配線層と、ピクセルメタル配線層上に形成され、波長によって光を透過させ、ブラックピクセル領域及びアクティブピクセル領域に分けられるフィルタ部とを備え、ブラックピクセル領域は、レッド、ブルー及びグリーンのフィルタのうちいずれか一つによって形成され、フィルタ下部には、フィルタを透過した光を遮断する層が形成されているイメージセンサ素子である。 （もっと読む）

【課題】基板の取り外しが容易な光または放射線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】パターン形成されるパターン本数の違いがあることを利用して、絶縁基板３６に電気的に接続されたフレキシブル基板４０にマルチプレクサ３８を少なくとも搭載し、フレキシブル基板４０の絶縁基板３６側の一端を異方導電性接着剤４０ａによって絶縁基板３６に電気的に接続するとともに、フレキシブル基板４０の絶縁基板３６側とは逆側（信号処理基板４１側）の他端をコネクタ４０ｂによって電気的に接続し、フレキシブル基板４０にパターン形成されるピッチの幅ｄを、マルチプレクサ３８よりも絶縁基板３６側では狭くして、マルチプレクサ３８よりも信号処理基板４１側では広くすることで、マルチプレクサ３８を境界にしてピッチ変換する。その結果、コネクタ４０ｂによって信号処理基板４１の取り外しが容易になる。 （もっと読む）

【課題】小規模の設備でも製造が可能で、しかも、少ない製造工程で、かつ、歩留まりを向上させることで、ローコストのＳＤＤを提供する。
【解決手段】Ｉ層１１の第１の面にＰ層１０が設けられ、Ｉ層１１の第２の面にＮ層１２が設けられると共に前記Ｎ層１２を中心として複数のＰリング１３が形成され、放射線の入射によりＩ層１１で発生した電荷をＰリング１３に電圧を印加して生じた電位勾配によって前記Ｎ層１２に集める放射線検出器において、前記Ｐリング１３の総数が２〜５本に設定され、前記各Ｐリング１３ごとに互いに絶縁された電極１４が形成され、前記Ｐリング１３ごとに互いに異なる電位を印加するために、前記各電極１４ごとに端子１５が接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】残像の発生や解像度の低下等の画像不良を改善すると共に、暗電流等の問題を改善することができる異方性導電膜及びこれを用いたＸ線平面検出器、赤外線平面検出器及び表示装置の提供。
【解決手段】本発明に係る異方性導電膜５０４は、絶縁性材料２０１と、絶縁性材料２０１内に分散された導電性粒子２０２とを備え、導電性粒子２０２は、異方性導電膜５０４を構成する膜厚方向に、複数の導電性粒子列２０２ａをなして設けられ、それぞれの導電性粒子列２０２ａ内の導電性粒子２０２は互いに通電可能に配置され、この膜厚方向に直交する膜面方向には、導電性粒子２０２同士が互いに離間している。 （もっと読む）

【課題】大面積で、かつ、最適な成膜条件で作製される放射線有感層を有する放射線検出素子アレイを、低コストで提供する。
【解決手段】表裏両面もしくは裏面のみに電極３を形成したＳｉ等の硬質導電性平板１の表面上に、ＣｄＴｅ、ＣｄＺｎＴｅ、ＧａＡｓ、ＨｇＩ２ 等の半絶縁性化合物半導体膜４を、ＣＶＤ、もしくは、蒸着等の気相成膜法を用いて形成する。次に、前記半絶縁性化合物半導体膜上に、複数個の信号取り出し電極５を形成し、所定のサイズに切り出して放射線検出素子アレイチップ６とする。 （もっと読む）

【課題】短波長化された光源に対しても受光感度が低下することなく、かつ応答速度が低下しない光検出素子を提供する。
【解決手段】強誘電体表面に遮光性を有する電極２１を設けて、所定の光強度の複数の単位領域と該複数の単位領域よりも光強度が小さい領域とに分割し、電極間にバイアス電圧を印加することで光強度の大きな部分においてのみ分極変化を起こすことで変位電流を生じさせる構成とすることで、高い受光感度を有した高い応答速度の光検出器とする。 （もっと読む）

放射線検出器（100）は、少なくとも第1（202）および第2（204）のシンチレータを有し、これらのシンチレータは、放射線を吸収して、それぞれ、第1（212）および第2（214）の波長の光を発生する。また検出器は、少なくとも第1（206）および第2（208）の光検出器を有する。第1の光検出器（206）は、第2のシンチレータ（204）により生じた波長（212）の光に対して実質的に非応答性である。3以上のシンチレータと光検出器とを有する検出器を使用しても良い。
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【課題】 本発明は小型化を図ると共に、デバイス形成層を保護した状態で貫通孔及び貫通電極を形成することを課題とする。
【解決手段】 デバイス形成層１８と電極パッド２０を有する半導体素子１４の電極パッド２０と半導体素子１４の他面側に形成された再配線パターン５２とを接続する貫通電極５６を有する半導体装置の製造方法であって、半導体素子１４の上面側にデバイス形成層１８及び電極パッド２０を形成し、電極パッド２０及びデバイス形成層１８の表面に第１レジスト層６２を形成し、電極パッド２０にエッチングにより開口６４を形成し、開口６４に連通する位置に貫通孔５４をエッチングにより半導体素子１４に形成する。第１レジスト層６２によりデバイス形成層１８を保護すると共に、貫通電極５６を設けてフリップチップ接続を可能にして小型化を図る。 （もっと読む）

【課題】 １種類の量子ドット構造のみを用いて複数の波長の光を検知する。
【解決手段】 量子ドット１３を有する複数の量子ドット層１２を設け、複数の量子ドット層１２と交互に積層され、複数の量子ドット層１２を埋め込む複数の障壁層１４を設ける。そして、第１の一対の電極１６、１７を複数の障壁層１４に対して垂直に設け、第２の一対の電極１８、１９を複数の障壁層１４に対して平行に設ける。このようにすると、第１の一対の電極１６、１７に印加された電界に応じ、光を吸収してキャリアを放出する量子ドット１３の電子エネルギポテンシャルを変更できるので、検知する光の波長を変更できる。 （もっと読む）