【課題】Ｘ線検出用フォトダイオード等においては、初期結晶材料として、裏面側に高濃度の不純物がドープされた単結晶ウエハ等を使用する場合がある。このような場合、裏面側不純物の外方拡散によるクロスコンタミネーション等を防止するために、予め、ウエハの裏面に、酸化シリコン膜等の不純物外方拡散防止膜等を形成しておく等の対策が講じられる。しかし、裏面に不純物外方拡散防止膜を形成する際に、ウエハの表面を損傷する等の問題が有る。
【解決手段】本願発明は、裏面に高濃度の不純物ドープ層を有する半導体ウエハの裏面に、不純物防止膜を形成するに当たり、まず、前記半導体ウエハの表面に酸化シリコン系絶縁膜等の表面保護膜を形成し、その状態で、前記裏面に、前記不純物防止膜を形成し、その後、ウエットエッチングにより、前記不純物防止膜を残した状態で、前記表面保護膜をほぼ全面的に除去するものである。 （もっと読む）

【課題】開口率を著しく向上することが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置１は、半導体基板１Ｎを有する半導体光検出素子１０Ａと、半導体光検出素子１０に対向配置される搭載基板２０とを備える。半導体光検出素子１０Ａは、ガイガーモードで動作すると共に半導体基板１Ｎ内に形成された複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤと、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して電気的に接続されると共に半導体基板１Ｎの主面１Ｎｂ側に配置された電極Ｅ７とを含む。搭載基板２０は、電極Ｅ７毎に対応して主面２０ａ側に配置された複数の電極Ｅ９と、それぞれの電極Ｅ９に対して電気的に接続されると共に主面２０ａ側に配置されたクエンチング抵抗Ｒ１とを含む。電極Ｅ７と電極Ｅ９とが、バンプ電極ＢＥを介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】複数の検出電流経路が発生することを防止し、光吸収層の表面状態にかかわらず、高感度で安定して検出することができる光検出素子及び光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出素子は、透光性基板１、光吸収層２、電極３、電極４、接着層５、絶縁膜６、パッケージ７で構成される。透光性基板１上に光吸収層２が形成され、光吸収層２に電極３と電極４の一部が埋め込まれている。パッケージ７上に光検出部がジャンクションダウンで接着層５により接合されている。光吸収層２は、特定波長の光を選択的に吸収して、電気信号に変換する。測定する光は、透光性基板１の裏面から照射される。 （もっと読む）

【課題】 簡素な構造で適切な受光感度を得ることが可能な紫外線センサ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 紫外線センサ素子は、ステム６０に紫外線透過フィルタ７２が形成されたキャップ７０が溶接されて、チップ５０が封止された構造を有する。外部から照射される紫外線は、紫外線透過フィルタ７２を透過して、チップ５０を構成するチップ状酸化亜鉛単結晶３０の受光面であるａ面に到達する。チップ状酸化亜鉛単結晶３０のａ面に紫外線が到達することによって、チップ状酸化亜鉛単結晶３０の抵抗値は変化する。そして、抵抗値の変化に伴って、チップ状酸化亜鉛単結晶３０を流れる信号の電流（光電流）の値も変化する。図示しない外部の装置は、端子６２に接続されており、信号の電流値を検出し、当該電流値に基づいて、紫外線量を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】 精密な計測が可能なフォトダイオードアレイモジュールを提供する。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイモジュールは、第１波長帯域の光に感応する第１フォトダイオードアレイを有する第１半導体基板２と、第２波長帯域の光に感応する第２フォトダイオードアレイを有する第２半導体基板２’と、複数のアンプＡＭＰが形成されると共に第１及び第２半導体基板２，２’が重なることなく横に並べ、各フォトダイオードをバンプを介してアンプＡＭＰに接続した第３半導体基板３とを備えている。第１半導体基板２及び第２半導体基板２’の隣接する端部には、段差部が形成されており、これにより各画素を双方の基板に渡って連続して整列させた場合においても、低ノイズで計測ができるようになる。 （もっと読む）

【課題】 光検知素子の検知効率を高めることが望まれている。
【解決手段】 基板の上に、複数の量子ドットを含む量子ドット層が配置されている。量子ドット層の上に、再入射構造物が配置されている。再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 （もっと読む）

【課題】励起光とショットキー接合部との相互作用の領域を拡大して、テラヘルツ波の発生効率またはテラヘルツ波の検出のＳＮを向上することができるテラヘルツ波素子を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波発生素子は、テラヘルツ波発生層２と、テラヘルツ波発生層２に接して配置された電極３を備え、励起光４の照射と電極３への電圧印加によりテラヘルツ波５を発生する。テラヘルツ波発生層２の少なくとも一部は、励起光４が入射してくる側とその反対側とのテラヘルツ波発生層２の面と交わる面において電極３とショットキー接合部を形成し、ショットキー接合部に励起光４が照射される。 （もっと読む）

【課題】厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。
【解決手段】金属膜から成る下部電極と、前記下部電極上に設けられるアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜上に設けられるｎ型アモルファスシリコン膜と、前記ｎ型アモルファスシリコン膜上に設けられ、第１基準電圧が入力される上部電極と、前記下部電極と第２基準電圧との間に接続される容量素子と、オン状態の時に前記下部電極に第１電源電圧を入力し、オフ状態の時に前記下部電極をフローティング状態とするスイッチ回路と、前記スイッチ回路がオン状態において、前記アモルファスシリコン膜に所定期間光が照射された後の前記下部電極の電圧変化を検出する検出回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】励起光の反射抑制と光伝導層の高抵抗化を実現した光伝導素子を提供することである。
【解決手段】光伝導素子１００は、化合物半導体結晶からなる光伝導層１０２と、光伝導層の上に配置された２つ以上の電極１０３を少なくとも備える。光伝導層１０２は、光による光励起キャリアが発生するキャリア発生部１０４と、キャリア発生部１０４の表面に電気的に接続され幅とピッチがλ未満（λ：前記光の波長）の複数の突起構造１０６を含み構成される表面部１０１を有する。 （もっと読む）

【課題】量子ドット型光検知器において、量子効率を向上させ、十分な感度が得られるようにし、その性能を向上させる。
【解決手段】量子ドット型光検知器を、量子ドット５Ａと量子ドット５Ａを埋め込む第１埋込層５Ｂとを含む複数の量子ドット層５を備え、複数の量子ドット層５のそれぞれに含まれる量子ドット５Ａが積層方向に整列してコラムナ量子ドット２Ａを構成しているコラムナ量子ドット層２と、コラムナ量子ドット層２を挟む２つの電極層３と、コラムナ量子ドット層２と２つの電極層３のうちキャリア供給側の電極層３Ａとの間に設けられ、キャリア供給側電極層３Ａに接し、かつ、不純物がドープされているキャリア供給用量子ドット４Ａと、キャリア供給用量子ドット４Ａを埋め込む第２埋込層４Ｂとを含むキャリア供給用量子ドット層４とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンなどの不純物を含まないナノ素子を有するデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子デバイスは、ナノ素子中に炭素が含有されていないこと、また、前記素子がＭｏＯ_ｘであること、および前記ナノ素子は、電子線誘起蒸着法により基板上に形成されたものであることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サイズが基板の水平方向に対して大きくなることなく、使用時の消費電力を抑えることができる光センサを提供する。
【解決手段】本発明に係る光センサは、基板１１と、該基板１１上に積層してある第１電極層１３と、該第１電極層１３上の一部の領域に積層してある第１酸化物半導体層１４と、該第１酸化物半導体層１４上に積層してある第２電極層１５とを備える。入射する光を遮る第１電極層１３の外周１３Ａ又は第２電極層１５の外周１５Ａの少なくとも一部は、第１第１酸化物半導体層１４を介して第２電極層１５又は第１電極層１３と重なるようにしてある。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を、放射線光導電層で発生した電荷を効率よく電極へ移動させることが可能なものとする。
【解決手段】放射線光導電層１の両側に電極４，５が設けられ、この電極４，５間に所定のバイアス電圧を印加した状態で、放射線の照射を受けることにより放射線光導電層１の内部に発生した電荷を電気信号として検出する放射線検出器１０であって、放射線光導電層１が無機半導体粒子とフラーレンまたはその誘導体とからなるものとする。 （もっと読む）

【課題】温度制御や放射線損傷の問題を解決することができ、しかも従来よりも検出感度が高く、作製が容易な荷電粒子検出器を提供する。
【解決手段】本発明に係る荷電粒子検出器１は、ｎ型のＳｉＣ基板２と、ＳｉＣ基板２の検出面５ａ側の面にバッファ層３、４を介して設けられ、バッファ層４に接していない面が検出面５ａであるアンドープのＧａＮ層５と、ＧａＮ層５の検出面５ａに設けられ、ＧａＮ層５とショットキー接触する第１金属電極６と、ＳｉＣ基板２の、バッファ層３に接していない面に設けられ、ＳｉＣ基板２とオーミック接触する第２金属電極８とを備える。また、ＧａＮ層５の厚さは、９００ｎｍ以上であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で紫外光を選択的に検出できるようにし、装置コストの低減及び装置の小型化を可能にし、最も簡素化した場合には、携帯することもできる紫外検出装置を提供する。
【解決手段】紫外検出装置は、４００ｎｍを超える光波長域では受光感度が略０であり、４００ｎｍ以下の光波長域で受光感度を有する半導体光電変換層を有する光電変換素子を備えている。半導体光電変換層は、光を電流に変換する作用を持つ半導体層である。このように、半導体ベースの光電変換素子で紫外検出装置を構成できるので、軽量で携帯性に優れた検出装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化ガリウム単結晶基板とのオーミック性に優れると共に簡便な方法で得ることができる酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板上にインジウムからなる電極材を配置し（Ｓ１）、温度200℃程度で電極材を酸化ガリウム単結晶基板の表面上に溶着し（Ｓ２）、その後、温度600℃〜1000℃で少なくとも20分の熱処理を施して酸化ガリウム単結晶基板と電極材との界面部を合金化する（Ｓ３）ことにより酸化ガリウム単結晶基板用オーミック電極を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅと代替可能であって環境負荷の小さい物質を特定し、それを用いた半導体放射線検出器を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた放射線検出器を用いる。厚さ２ｍｍのｎ型酸化亜鉛で構成される基板２１０上に、膜厚０．１μｍのＰｔ薄膜からなるショットキー電極２２０を形成する。続いて、基板２１０の下面に膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜２３１を形成し、更に、Ｃｒ薄膜２３１の下面に膜厚０．１μｍのＡｕ薄膜２３２を形成する。Ｃｒ薄膜２３１及びＡｕ薄膜２３２はオーミック電極２３０として機能する。基板２１０に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】素寸法を縮小化した場合に、配線間容量の増大を避けながら、有効領域における光電変換部の感度が低下することを抑制する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部が遮光されていない有効領域と、光電変換部が遮光された遮光領域とを有する光電変換装置であって、前記有効領域の光電変換部と前記遮光領域の光電変換部とが配された半導体基板と、前記半導体基板の上に配された多層配線構造とを備え、前記多層配線構造は、前記有効領域の最上配線層であり、アルミニウムを主成分とする第１配線層と、前記第１配線層を覆うように、前記有効領域及び前記遮光領域に配された絶縁膜と、前記絶縁膜の上に配された前記遮光領域の最上配線層であり、アルミニウムを主成分とする第２配線層とを含み、前記絶縁膜は、前記有効領域の光電変換部の上方に位置する部分が層内レンズの少なくとも一部として機能する。 （もっと読む）