【課題】従来技術の非対称性問題を解決する。
【解決手段】磁気抵抗センサの自由層を安定させるスタック内バイアスが提供される。より具体的には、自由層の上に提供された安定化層が傾斜した磁化を有する。この傾斜によって、自由層とピン層の間の中間層結合が減少し、従来技術のヒステリシス問題と非対称性問題が実質的に解消される。さらに、アニール温度差と磁界方向を使用するアニール方法を含む、スタック内バイアスの安定化層を傾斜させる方法を提供する。 （もっと読む）

磁気メモリを提供するための方法及びシステム。本方法及びシステムは、複数の磁気記憶セル、複数のワードライン及び複数のビットラインを設けることを含む。複数の磁気記憶セルの各々は、複数の磁気素子及び少なくとも１つの選択トランジスタを含む。各磁気素子は、該磁気素子を通じて駆動される書込み電流によって、スピン転移誘起スイッチングを用いてプログラム可能である。各磁気素子は、第１端及び第２端を有する。各磁気素子の第１端には、少なくとも１つの選択トランジスタが接続される。複数のワードラインは、複数の選択トランジスタに結合され、複数の選択トランジスタの一部を選択的にイネーブル状態にする。
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機能のコンフィギュレーション可能な論理回路デバイスを有し複数のデータ線（７）を含む構成要素において、データ線（７）の少なくとも１つの部分に相異なる離散的な抵抗を有する２つの状態の間を切換可能な少なくとも１つの要素（１）が対応付けられており、該要素（１）を介して切換えられた状態に応じてデータ線（７）が開通または遮断される。
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磁気素子を提供する方法及びシステムが開示される。この方法及びシステムは、第１及び第２のピン層、フリー層、並びに第１及び第２の各ピン層とフリー層との間の第１及び第２のバリア層を提供する。第１のバリア層は、絶縁体である結晶性ＭｇＯで、第１のバリア層を通過するトンネル現象を可能にするように構成されることが好ましい。さらに、第１のバリア層は、フリー層又は第１のピン層のような別の層とのインタフェースを有する。このインタフェースは、少なくとも５０パーセントの、好ましくは８０パーセントを超える、高スピン偏極を提供する構造を有する。第２のバリア層は絶縁体で、第２のバリア層を通過するトンネル現象を可能にするように構成される。磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する時にスピン伝送によりフリー層が切り換えられることを可能にするように構成される。
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磁気素子を提供するための方法及びシステムを開示する。本方法及びシステムには、固着層、自由層、及び固着層と自由層との間のスペーサ層を設ける段階を含む。スペーサ層は、絶縁性の層であり、また、規則的に配列された結晶構造を有する。また、スペーサ層は、スペーサ層をトンネル通過できるように構成される。一態様において、自由層には、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有する単一の磁性層が含まれる。他の態様において、自由層には、２つの副層が含まれ、第１副層は、スペーサ層に対して特定の結晶構造及び集合組織を有し、第２副層は、より小さいモーメントを有する。更に他の態様において、本方法及びシステムは、更に、第２固着層、及び自由層と第２固着層との間に存在する非磁性の第２スペーサ層を設ける段階を含む。本磁気素子は、書き込み電流が磁気素子を通過する際、スピン転移により自由層を切り換えるように構成される。 （もっと読む）

磁気ランダムアクセスメモリ（「ＭＲＡＭ」）装置（２００）は、スピントランスファ反射モード手法を用いて選択的に書込が行われる。ＭＲＡＭアレイにおいて指定されたＭＲＡＭセルの選択性は、スピントランスファ切替電流の、ＭＲＡＭセルの偏極素子（２０４）の磁化と自由磁気素子（２０８）の磁化間の相対角度への依存により達成される。偏極素子は、電流、たとえば、ディジット線電流（２２６）の印加に応じて変更可能な変動磁化を有する。偏極素子の磁化が自然なデフォルト方位の場合、ＭＲＡＭセル内のデータが保持される。偏極素子の磁化が切り替えられる場合、比較的低い書込電流（２２４）に応じてＭＲＡＭセル内のデータを書き込むことができる。
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単結晶ＭｇＯ（００１）基板１１を準備し、５０ｎｍ厚のエピタキシャルＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７をＭｇＯ（００１）シード層１５上に室温で成長し、次いで、超高真空（２×１０^−８Ｐａ）において、３５０℃でアニールを行う。２ｎｍ厚のＭｇＯ（００１）バリア層２１をＦｅ（００１）下部電極（第１電極）１７上に室温でエピタキシャル成長する。この際、ＭｇＯの電子ビーム蒸着を用いた。ＭｇＯ（００１）バリア層２１上に室温で、厚さ１０ｎｍのＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３を形成した。連続して、１０ｎｍ厚さのＣｏ層２１をＦｅ（００１）上部電極（第２電極）２３上に堆積した。Ｃｏ層２１は、上部電極２３の上部電極２３の保持力を高めることによって反平行磁化配置を実現するためのものである。次いで、上記の作成試料を微細加工してＦｅ（００１）／ＭｇＯ（００１）／Ｆｅ（００１）ＴＭＲ素子を形成する。これによりＭＲＡＭの出力電圧値を高めることができる。 （もっと読む）