【課題】ＡＢ効果又はＡＣ効果を利用した高効率の電磁界検出を常温下において行えるようにする。
【解決手段】電磁界検出素子１０は、積層された３つの絶縁層２、３、４を有している。絶縁層３の絶縁破壊電界は絶縁層２、４の絶縁破壊電界よりも大きい。３つの絶縁層２、３、４は一対の電極５、６に挟まれている。Ｚ方向に関する電極５、６の対向面５ａ、６ａの重複範囲の両端境界７、８と絶縁層３との間は、それぞれ、絶縁層２、４の厚みｔ１、ｔ３だけ離隔している。絶縁層２、４を絶縁破壊させつつ絶縁層３を絶縁破壊させない大きさの電界を一対の電極５、６間に印加すると、一対の電極５、６間に絶縁層３を挟む２つの弾道的な電流経路が形成される。 （もっと読む）

本発明は、ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタに関し、基板、エミッタ、ベース、コレクタ、第１トンネルバリア層および第２トンネルバリア層とを備え、第１トンネルバリア層が、エミッタとベースの間に設けられ、第２トンネルバリア層が、ベースとコレクターの間に設けられ、かつエミッタとベース間及びベースとコレクタ間に形成されたトンネル接合の接合面積が１〜１００００μｍ^２であり、前記ベースの厚さが当該層材料の電子平均自由行程に匹敵し、前記エミッタ、ベースおよびコレクタの中でただ１つの極(pole)の磁化方向が自由である。ダブルバリア構造を採用するため、ベースとコレクタの間に発生したショットキーバリアを克服している。ベース電流は変調信号であり、ベース又はコレクタの磁化方向を変えることによって、共鳴トンネリング効果を発生し、適当な条件において増幅信号が得られる。
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