【課題】強磁性体からなるソース・ドレインと有機チャネルとの間の界面抵抗が低く、良好なトランジスタ動作を実現するスピントランジスタ及び論理回路装置を提供する。
【解決手段】基板５と、基板上に設けられたチャネル層７と、チャネル層上に設けられ、強磁性体を含む第１電極１０及び強磁性体を含む第２電極２０と、チャネル層上において前記第１及び第２電極との間に設けられたゲート電極８と、チャネル層と第１及び第２電極との間のそれぞれに設けられた第１挿入層３０及び第２挿入層４０と、を備えたスピントランジスタを提供する。チャネル層は、六員環ネットワーク構造を有する炭素材料からなる。第１及び第２挿入層は、Ｐを含むＧｅ、Ｂを含むＧｅ、Ｐｄ、Ｃｏ及びＲｈの少なくともいずれかを含む、または、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃａのいずれか、または、それらのいずれかの化合物を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体または誘電体と、金属との界面において、接合する金属の実効仕事関数を最適化することを可能にするとともに、抵抗を可及的に低くすることを可能にする。
【解決手段】半導体膜４ａと、半導体膜上に形成された酸化膜６ｂと、酸化膜上に形成された金属膜１２ａと、を備え、酸化膜がＴｉ酸化膜であって、酸化膜に、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔから選ばれた少なくとも一つの元素が添加されている。 （もっと読む）

【課題】低消費電力で、多入力信号の加算処理に優れた信号処理デバイスおよび信号処理方法を提供することを可能にする。
【解決手段】少なくとも１層以上の磁性層を含む連続膜１０と、連続膜上に、連続膜に直接に接触するかまたは絶縁層を介して接触するように設けられ、前記連続膜との接触面の形状はドット形状であり、入力信号を受けることにより、連続膜との接触面直下の、連続膜の磁性層の領域にスピン波を発生させる複数のスピン波発生部２０_１〜２０_ｎと、連続膜上に設けられ、スピン波発生部によって発生されられて連続膜を伝播するスピン波を電気信号として検出する少なくとも１個の信号検出部３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電圧出力特性を向上させることが可能なシリコンスピン伝導素子の製造方法及びシリコンスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】シリコンスピン伝導素子１０の製造方法において、シリコン膜３をウェットエッチングによりパターニングしてシリコンチャンネル層７を形成する第一工程と、シリコンチャンネル層７上に、互いに離間された磁化自由層１２Ｃ及び磁化固定層１２Ｂを形成する第二工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、磁気ノイズが低く、高いＳＮ比を有する磁気再生ヘッドおよび高密度の磁気記録再生装置を提供することにある。
【解決手段】磁気再生ヘッドにおいて、第一の非磁性導電体１０１から固定層１０５を介して第二の非磁性導電体１０３へ電流を流しながら、第一の非磁性導電体１０１と第一の自由層１０２との間の電圧と、第二の非磁性導電体１０３と第二の自由層１０４との間の電圧との差分から記録媒体１７０４の漏洩磁気を検出する。 （もっと読む）

【課題】複数の出力電圧のバラつきを低減可能なスピン流回路を提供する。
【解決手段】スピン流回路は、スピン流を発生する第1スピン注入素子ＳＩＥと、第1スピン注入素子ＳＩＥにおいて発生したスピン流が流れる非磁性のチャンネル層５Ａと、チャンネル層５Ａ上の異なる位置に設けられた複数の磁化自由層４，６と、チャンネル層５Ａとそれぞれの磁化自由層４，６との間に介在するトンネル障壁１９Ｂ，１９Ｃとを備えている。それぞれの磁化自由層４，６とチャンネル層５Ａの間の電圧が、それぞれ検出される。各フリー層４，６とチャンネル層５Ａとの間にトンネル障壁１９Ｂ，１９Ｃを介在させておくことで、各フリー層４，６とチャンネル層１９Ｂ，１９Ｃとの間の出力電圧のバラつきを低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】スピン分極率の高いホイスラー合金層を用いたスピントランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に形成されたゲート電極１３と、ゲート電極１３の両側の半導体基板１１に設けられた溝に形成されたソース電極及びドレイン電極を備える。ソース電極及びドレイン電極の少なくとも一方は、半導体基板１１に設けられた溝内の底面上及び溝内のゲート電極１３側の側面上に形成されたＭｇＯ層１４と、溝内のＭｇＯ層１４上に形成されたホイスラー合金層１５とを備える。側面上に形成されたＭｇＯ層１４Ａは底面上に形成されたＭｇＯ層１４より膜厚が薄いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】効率的なスピン偏極電流の注入が可能で低抵抗な電極構造を有するスピントランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上にソース及びドレイン電極並びにゲート電極を備え、ソース及びドレイン電極の少なくとも一方は以下の構成を有する。半導体領域１２にはｎ+型半導体領域１２Ａ，１２Ｂが形成されている。ｎ+型半導体領域１２Ａ，１２Ｂ上には、コバルト（Ｃｏ）あるいは鉄（Ｆｅ）の少なくとも一方を含む結晶質のホイスラー合金を含む磁性層３１が形成されている。ｎ+型半導体領域１２Ａ，１２Ｂ及び磁性層３１は同一の不純物元素を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】メモリセルを可及的に小さくできるとともにセル単位で書き込み消去が可能な不揮発性半導体メモリを提供する。
【解決手段】ＮＡＮＤ列であって、絶縁膜１１上の半導体領域と、ソース／ドレイン領域１４ａ、１４ｂと、チャネル領域１２と、電荷をトラップできる電荷トラップ膜２０と、磁化の向きが固定された第１のハーフメタル強磁性金属からなるソース／ドレイン電極４０_１とを有し、各電荷トラップ膜上に設けられ、第２のハーフメタル強磁性金属からなるゲート電極３０_ａ１、３０_ａ２であって、前記ゲート電極は、磁化の向きが前記ソース／ドレイン電極の磁化の向きに略平行な第１の領域と、磁化の向きが略反平行な第２領域から構成され、前記第１の領域が、前記ゲート電極に電流を印加することにより、前記電荷トラップ膜上から前記絶縁膜上へ、及び前記絶縁膜上から前記電荷トラップ膜上へと、可逆的に移動可能となっているゲート電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スピン電界効果論理素子を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上でスピン分極された電子を選択的に通過させる磁性物質のチャンネルと、チャンネル上のソースと、ソースからの電子が出て行くドレイン並びに出力電極と具備するスピン電界効果論理素子である。該ゲート電極は、ソースからチャンネルに注入される電子を選択的に通過させるために、チャンネルの磁化状態を制御する。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗素子全体の電力消費を低減させる。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁気異方性を示し、その磁化が少なくとも第一及び第二の方向の間で反転できるように構成された強磁性層と、強磁性領域に容量性結合されたゲートとを含んでいる。磁気抵抗素子を動作させる方法は、第一及び第二の方向の間で磁化を反転させるために、強磁性領域の磁気異方性の方向を変化させるように、強磁性領域に電場パルスを印加するステップを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】良好な絶縁性を確保しつつ極めて高い誘電率を有するゲート絶縁膜の機能と、空乏層が形成されることのない金属性のゲート電極の機能とを備え、ゲート電圧のチャネル領域への静電的支配力を可及的に大きくすることのできる半導体装置を提供することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層１２に離間して設けられた第２導電型の第１ソース領域１２ａおよび第１ドレイン領域１２ｂと、第１ソース領域と第１ドレイン領域との間の第１半導体層に設けられる第１チャネル領域１２ｃと、第１チャネル領域上に設けられたハーフメタル強磁性金属の第１ゲート電極６０と、第１ソース領域に接続するように設けられたハーフメタル強磁性金属の第１ソース電極５０ａと、を備え、第１ゲート電極の磁化６４ｃの向きが、第１ソース電極の磁化６４ａの向きと略反平行である。 （もっと読む）

【課題】 高い出力が得られるスピン蓄積型磁気センサ及びスピン蓄積型磁気検出装置を提供する。
【解決手段】 このスピン蓄積型磁気センサは、非磁性層２の第１領域上に設けられたピンド層５Ａと、非磁性層２の第２領域上に設けられたフリー層５Ｂとを備えている。非磁性層２とピンド層５Ａとの間に電流を供給し、非磁性層２とフリー層５Ｂとの間の電圧を測定する。非磁性層２はＣｕからなり、第１磁性層３Ａ及び第２磁性層３ＢはＣｏＦｅＢからなり、第１絶縁層４Ａ及び第２絶縁層４ＢはＭｇＯからなる。この構造の場合、出力電圧を飛躍的に増加させることができる。 （もっと読む）

【課題】電位出力を高くすることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】チャンネル層５と、チャンネル層５の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層６と、チャンネル層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた磁化固定層７と、を備え、チャンネル層５と対向する面における磁化固定層７の断面積が、チャンネル層５と対向する面における磁化自由層６の断面積よりも大きいことを特徴とする磁気センサー。 （もっと読む）

【課題】電位出力を高くすることが可能な磁気センサーを提供することを目的とする。
【解決手段】磁気センサー１００Ａは、チャンネル層５と、チャンネル層５の第一の部分上に設けられ、外部磁界を検出する磁化自由層６と、チャンネル層５の第一の部分とは異なる第二の部分上に設けられた上部内側磁化固定層１８Ａと、チャンネル層５を間に挟んで上部内側磁化固定層１８Ａと対向する下部内側磁化固定層１２と、を備え、上部内側磁化固定層１８Ａ及び下部内側磁化固定層１２の磁化の向きが互いに平行または反平行となるように固定されている。 （もっと読む）

【課題】 ホイスラー合金が形成される下地層の選択自由度が高く、熱処理温度及び熱処理回数を低減し、ホイスラー合金の高いスピン偏極率を活用できる積層体を提供する。
【解決手段】 ＭｇＯ層３と接触するように、結晶質のホイスラー合金層１が配置されている。ホイスラー合金層１のＭｇＯ層３に対して反対の面側には、非晶質のホイスラー合金層４が配置されている。 （もっと読む）

【課題】高スピン偏極電流を効率的に注入することを可能にする。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に設けられ、第１ホイスラー合金層２４と、第１ホイスラー合金層上に設けられた第１非磁性層２６と、を含む強磁性積層膜２０と、を備え、強磁性積層膜の磁気抵抗変化比が、前記強磁性積層膜に印加されるバイアス電圧に応じて振動する。 （もっと読む）

【課題】低電圧のスピン注入電流により高抵抗状態から低抵抗状態へ書き換えることができるスピンＭＯＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】ｐウエル２にはソース領域３及びドレイン領域４が形成されている。ソース領域３上には強磁性体層６が形成され、ドレイン領域４上には強磁性体層９が形成されている。強磁性体層９上には、非磁性体層１０、第３強磁性体層１１が形成されている。ｐウエル２上にはオーミック電極１３が形成されている。強磁性体層６と強磁性体層１１は磁化が不変とされ、強磁性体層９は磁化が可変とされる。さらに、強磁性体層１１とオーミック電極１３との間には、強磁性体層９を介して電流が流される。 （もっと読む）

【課題】スピンホール効果により実効的に有用な強度の局所磁界を発生させる。
【解決手段】非磁性体からなるスピンホール効果層１１を備え、湾曲部（Ｃ字状１１３あるいはＳ字状２１５などの湾曲した電流経路）を有するスピンホール効果素子１１３、２１５と、前記スピンホール効果素子１１３、２１５に電流を流す一対の電極端子２１，２２と、前記一対の電極端子２１，２２に接続された電源７０とを有し、Ｃ字状あるいはＳ字状などの湾曲した電流経路を有するスピンホール効果素子を用いることにより、偏極スピン電子５２，５３を湾曲形状の湾曲内側の微小領域に蓄積させて強度の大きな局所磁界５０，５１を発生させる。 （もっと読む）

【課題】大きなトンネル電流が流れ、かつ接合抵抗の制御性のよいトンネル素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ＧａＡｓを含む半導体膜１０と、半導体膜１０上に設けられた酸化ガリウム膜２０と、酸化ガリウム膜２０上に設けられた導電性膜３０と、を具備し、酸化ガリウム膜２０は、半導体膜１０および導電性膜３０の一方から他方にトンネル電流が流れるトンネル絶縁膜であるトンネル素子およびその製造方法である。 （もっと読む）