【課題】少なくとも製造時のパッケージ工程においてセンサに熱が加えられたとしても、オフセット電圧のバラツキを軽減することができる磁気センサの製造方法及び磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気センサの基板表面の絶縁層に、ブリッジ状に組んだ磁気抵抗１０〜４０を成膜する。磁気抵抗１０〜４０の成膜後、その表面に保護膜を成膜する。保護膜成膜後、その基板部品、即ち基板モジュールをアニールする。このアニール後、磁気抵抗１０〜４０の粗調部８をレーザトリミングによりカットすることで、磁気抵抗１０〜４０の抵抗値を調整する。そして、最後に基板モジュールをパッケージする。 （もっと読む）

【課題】磁気シールド材と半導体チップとの各材料の線膨張係数の差に基づく反りを小さく抑制できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】リードフレームＬＦのダイパッドＤＰ上に磁気シールド材ＰＭ１が配置されている。半導体チップＣＨは、ＭＲＡＭデバイスを有し、かつ磁気シールド材ＰＭ１上に配置されている。接着材ＡＤ２は、磁気シールド材ＰＭ１と半導体チップＣＨとを接着するために磁気シールド材ＰＭ１と半導体チップＣＨとの間に位置し、かつＤＡＦのような熱可塑性樹脂を含む材質よりなっている。 （もっと読む）

【課題】ホール素子について、室温での全数検査のみで、入出力抵抗、定電圧感度、定電流感度の温度特性を得る方法を提供する。
【解決手段】不純物ドープ量を変化させて作製した複数のホール素子について温度を変化させて、各々の温度における電気特性（入出力抵抗、定電圧感度、定電流感度）を測定する。測定した電気特性と温度との関係から各ホール素子の温度係数を決定し、決定した温度係数と室温でのホール素子の電気特性の相関関係を予め記憶媒体に記憶しておく。その後、選別対象のホール素子の全数の電気特性を室温で測定し、測定した電気特性を、記憶媒体に記憶してある各特性の温度相関図に当てはめ、選別対象の各ホール素子の温度係数を決定する。決定した温度係数を基にして選別対象のホール素子から良品のみを選別する。 （もっと読む）

【課題】 従来に比べて、素子抵抗値の調整を適切且つ容易に行うことが出来る磁気センサの製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 固定抵抗素子３に接続される第１の迂回電流路２１、第２の迂回電流路２２、第３の迂回電流路２３を素子長手方向に沿って階段状に並設する。前記固定抵抗素子３から見て最も突出している第１の突出領域２６を最初の切断領域と規定し、前記第１の突出領域２６内の電流路を切断する。切断の位置精度が多少、素子長手方向にずれても、隣の迂回電流路を誤って切断する不具合を抑制でき、したがって従来に比べて、素子抵抗値の調整を適切且つ容易に行うことが出来る。 （もっと読む）

【課題】 製造工程中に生じる磁化固定層の磁化の傾き又は分散を最終的に解消し、バイアス層に適切なバイアス磁界を印加させつつ、磁化固定層の磁化を適切に固定したＭＲ効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 反強磁性層、磁化が積層面内の第１の方向に固定された磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を備えたＭＲ効果積層体と、第１の方向とは直交している積層面内の第２の方向のバイアス磁界を磁化自由層に印加するためのバイアス層とを備えたＭＲ効果素子の製造工程において、形成されたＭＲ効果積層体及びバイアス層に、バイアス層の保磁力よりも大きな第１の磁界を第１の方向に印加する第１の磁界印加処理を実施し、熱を施すアニール処理を実施した後、バイアス層の保磁力よりも大きな第２の磁界を第２の方向に印加する第２の磁界印加処理を実施するＭＲ効果素子の製造方法が提供される。 （もっと読む）