【課題】 従来と同程度の電極抵抗を有し、電界効果トランジスタの製造コストを低減することが可能な電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半絶縁体基板上に形成されたチャネル層と、チャネル層上に形成されたショットキー層と、ショットキー層上に形成されたオーミックコンタクト層およびショットキー層とショットキー接合するゲート電極と、オーミックコンタクト層上にオーミックコンタクト層とオーミック接合するソース電極およびドレイン電極とを備え、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極のそれぞれが同一の層形状をなし、ソース電極、ドレイン電極およびゲート電極の各層が同一の構成材料からなり最下層にＷＳｉを有する第１層と、第１層の上層にＴｉを有する第２層と、第２層の上層にＡｌを有する第３層と、第３層の上層にＴｉを有する第４層とを有する。 （もっと読む）

【課題】ショットキー電極の耐湿性を向上し得る半導体装置を得る。
【解決手段】ショットキー電極であるゲート電極８は、ＴａＮｘ層６とＡｕ層７とを有している。ＴａＮｘ層６は、Ａｕ層７と基板１００との間で原子が拡散することを防止するための、バリアメタルとして機能する。ＴａＮｘはＳｉを含まないため、Ｓｉを含むＷＳｉＮよりも耐湿性が高い。そのためゲート電極８は、ＷＳｉＮ層を有する従来のゲート電極に比べて耐湿性が高い。また、窒素含有率ｘを０．８未満に設定することにより、従来のゲート電極に比べてショットキー特性が大幅に低下することを回避できる。あるいは、窒素含有率ｘが０．５以下の範囲内では、従来のゲート電極よりもショットキー特性を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】ショットキ電極からのリーク電流が低減されるIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ１１では、支持基体１３は、具体的には、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮからなる。Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層１５は、１５０ｓｅｃ以下である（０００２）面ＸＲＤの半値全幅を有する。ＧａＮエピタキシャル層１７は、窒化ガリウム支持基体とＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層（０＜Ｙ≦１）との間に設けられる。ショットキ電極１９は、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層１５上に設けられる。ショットキ電極１９は、高電子移動度トランジスタ１１のゲート電極である。ソース電極２１は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。ドレイン電極２３は、窒化ガリウムエピタキシャル層１５上に設けられる。 （もっと読む）

【課題】ショットキ電極からのリーク電流が低減されるIII族窒化物半導体素子を提供する。
【解決手段】高電子移動度トランジスタ１では、支持基体３は、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ、ＧａＮからなる。Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層５は、０．２５ｎｍ以下の表面ラフネス（Ｒｍｓ）を有しており、この表面ラフネスは１μｍ角のエリアによって規定される。ＧａＮエピタキシャル層７は、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮ支持基体３とＡｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層５との間に設けられる。ショットキ電極９は、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層５上に設けられる。第１のオーミック電極１１は、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層５上に設けられる。第２のオーミック電極１３は、Ａｌ_ＹＧａ_１−ＹＮエピタキシャル層５上に設けられる。第１および第２のオーミック電極１１、１３の一方はソース電極であり、また他方はドレイン電極である。ショットキ電極９は、高電子移動度トランジスタ１のゲート電極である。 （もっと読む）

本発明は、ドレイン延長部（８）を備えるラテラルＤＭＯＳＴに特に関する。既知のトランジスタにおいて、更なる金属ストリップ（２０）は、ゲート電極コンタクトストリップと、ソース領域コンタクト（１５）に電気的に接続されているドレインコンタクト（１６）との間に位置される。本特許出願において提案される装置において、更なる金属ストリップ（２０）とソースコンタクト（１５，１２）との間の接続部は、コンデンサ（３０）を有し、更なる金属ストリップ（２０）は更なる金属ストリップ（２０）に電圧を供給するための更なるコンタクト領域（３５）を備えている。このようにして、改善された線形性が実現可能であり、当該装置の実用性が、特に、高電力及び高周波数において改善される。好ましくは、コンデンサ（３０）は、単一の半導体基体（１）内にトランジスタと一体化されている。本発明は、更に、本発明による装置（１０）を動作させる方法を有する。
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【課題】
ゲート・ドレイン間の静電容量を低減することによって、ゲインを増大させた電界効果トランジスタ及び半導体装置並びに電界効果トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】
不純物の添加によりゲートが形成される第１の半導体層の上面に第２の半導体層形成する工程と、ドレイン電極が形成されるドレイン電極形成領域からゲート側に膨出させた形状に第２の半導体層をパターニングする工程と、第２の半導体層の上面に絶縁層を形成する工程と、絶縁層にドレイン電極形成用の開口を形成する工程と、この開口を介して第２の半導体層をエッチング除去する工程とにより、ドレイン電極近傍の少なくともゲート電極側に低静電容量領域を設けた電界効果トランジスタを有する半導体装置とした。 （もっと読む）

【課題】 ＡｌＮバッファ層とＧａＮ系ＦＥＴの性能および信頼性との関係を明確にし、性能および信頼性の優れた半導体装置およびその製造方法並びにその半導体装置製造用基板を提供すること。
【解決手段】 基板（１０）と、基板（１０）上に設けられた膜厚が５から４０ｎｍの窒化アルミニウムからなるバッファ層（１２）と、バッファ層（１２）上に設けられた窒化ガリウム系半導体からなる動作層（２０）と動作層（２０）上に設けられた制御電極（２６）と、を具備する半導体装置およびその製造方法並びに半導体装置製造用基板。 （もっと読む）

【課題】 本発明が解決しようとする課題は主として高いコンダクタンスｇ_mを示しながらも、ノーマリーオフの動作をするトランジスタの実現を目的とする。
【解決手段】ＧａＮ層３、ＡｌＮ層９及びＡｌ_xＧａ_1-xＮ（０＜ｘ＜１）層４が順に密着して積層された積層構造と、前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層４に接触する電極の組み合わせからなる電子デバイスにおいて、前記ＧａＮ及びＡｌ_xＧａ_1-xＮのｘが、０＜ｘ＜０．２であり、前記電極直下に相当する部分を含む部分の前記Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層の厚さＤ、前記ＡｌＮ層９の厚さｄが０＜Ｄ≦３ｎｍ、０＜ｄ≦０．５ｎｍであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ゲート・ドレイン間の寄生容量Ｃｇｄを低下させてさらに耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体層（１）上に設けられたゲート電極（５）と、ゲート電極（５）を挟むように半導体層（１）上に設けられたソース電極（３）およびドレイン電極（４）と、ソース電極（３）からゲート電極（５）の上方を通過してゲート電極（５）とドレイン電極（４）との間まで延在し、かつ、当該延在した領域に接合部（６ａ）を有するソースウォール（６）と、接合部（６ａ）に接合され、かつ、接合部（６ａ）よりもドレイン電極（４）側に延在する領域を有する電極部（８）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 耐圧が高く、オン抵抗が低い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板（１０）と、該基板上に形成され、ＳｉＣドリフト層（１４）と、ＧａＮ系半導体層（１８）と、ＧａＮ系半導体層上に形成されたソース電極（６０）若しくはエミッタ電極並びにゲート電極（６２）と、前記ＳｉＣドリフト層の前記ＧａＮ系半導体層と相対する面に接続されたドレイン電極（６４）またはコレクタ電極と、を具備する半導体装置およびその製造方法である。ＳｉＣドリフト層を有することによりドリフト層の厚膜化が可能となりドレイン耐圧が高くできる。さらに、チャネル移動度の高いＧａＮ系半導体層をチャネル層として用いることによりオン抵抗が低い半導体装置およびその製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】ソース−ドレイン間の電流−電圧特性におけるヒステリシス現象を防ぎ、出力電力を向上させた、ＧａＮ系化合物半導体からなる電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体からなるバッファ層２、電子走行層３および電子供給層４が順次積層されてなる電界効果トランジスタにおいて、前記基板１裏面側に電界発光層１１を設け、前記電界発光層１１からの光は基板１を透過して、前記バッファ層２、電子走行層３および電子供給層４を照射するようにする。 （もっと読む）

【課題】 高出力動作可能であり高周波数動作可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板（１０）と、基板上に形成されたＧａＮ系半導体層（１６）と、ＧａＮ系半導体層上に埋め込まれ形成されたゲート電極（１８）と、ゲート電極の両側に形成されたソース電極（２０）およびドレイン電極（２２）と、ゲート電極とソース電極の間に形成された第１のリセス部（３４）と、ゲート電極とドレイン電極の間に形成された第２のリセス部（３８）と、を具備し、第１のリセス部の深さが、第２のリセス部の深さより浅いことを特徴とする半導体装置およびその製造方法である。 （もっと読む）

モノリシック電子デバイスは、基板と、基板上に形成された半絶縁圧電ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層と、エピタキシャル層上に表面弾性波デバイスを形成する一対の入力および出力インターディジタル変換器と、基板上に形成された少なくとも１つの電子デバイス（ＨＥＭＴ、ＭＥＳＦＥＴ、ＪＦＥＴ、ＭＯＳＦＥＴ、フォトダイオード、ＬＥＤなど）とを含む。電子デバイスをＳＡＷデバイスから、反対にＳＡＷデバイスを電子デバイスから電気的かつ音響的に分離するための分離手段が開示される。いくつかの実施形態ではＳＡＷデバイスと電子デバイスとの間にトレンチが形成される。さらに、その上にＳＡＷデバイスを製造することができる半絶縁ＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層を形成するためのイオン注入が開示される。インターディジタル変換器に隣接した吸収および／または反射部品が、ＳＡＷデバイスの動作を妨害する可能性がある不要な反射を低減させる。
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【課題】 ＳｉＣ基板に発生するマイクロパイプ等な貫通孔を簡便な手段で、非破壊且つ正確に検査することを可能にし、高品質のＧａＮ系ＨＥＭＴなどの製造に寄与しようとする。
【解決手段】 ＳｉＣ基板２１の略中央を含んで基板径の半分の径をもつ周で囲まれた真空吸引領域２３を裏面側から真空吸引し、次いで、ＳｉＣ基板２１の表面側から水或いは水と同等の粘度をもつ液を塗布し、その液が裏面側に抜けないＳｉＣ基板を良品として選別することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 電流リークパスの形成を防止することができ半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、ＧａＮ系半導体層（１）の一面にＯ_２アッシング、有機処理またはドライエッチングのいずれかを実行する第１の工程と、ＧａＮ系半導体層（１）の一面を酸化剤および酸の混合液によりエッチングする第２の工程と、ＧａＮ系半導体層（１）の一面に電極（７，８，１１）を形成する第３の工程とを含むことを特徴とする。この場合、酸化剤および酸の混合液により変質層が効率よく除去される。それにより、電流リークパスの形成が防止され、安定したオーミックコンタクトを得ることができる。その結果、耐圧低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 スペーサ層を構成するＡｌＧａＡｓ層とＧａＡｓ層の膜厚バランスを最適にすることにより、同じキャリア濃度のドーピングでも従来技術に比べてＨＥＭＴの電子移動度を高くすることにある。
【解決手段】 ＨＥＭＴのチャネル層５として混晶比ｙが０．１５〜０．３０のＩｎ_yＧａ_(1-y)Ａｓ層を５〜１５nｍの膜厚で形成し、またスペーサ層６（又は４）にＡｌＧａＡｓ層６ａ（又は４ａ）とＧａＡｓ層６ｂ（又は４ｂ）の組み合わせを用い、そのＡｌＧａＡｓ層６ａ又は４ａとして、混晶比ｘが０．２６〜０．５０のＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層を０．１〜７．０ｎｍの膜厚でキャリア供給層７（又は３）側に形成し、またＧａＡｓ層６ｂ（４ｂ）を０．１〜７．０ｎｍの膜厚でチャネル層５側に形成し、ＡｌＧａＡｓ層とＧａＡｓ層を合わせたスペーサ層６（又は４）の膜厚を１０ｎｍを超えない厚さとする。 （もっと読む）

【課題】 電極とチャネル層間のオーミック抵抗の少ない良好な高周波特性を有する半導体装置を得る。
【解決手段】 キャップ層としてのアンドープガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１５ａ上のドレイン電極１６及びソース電極１７の形成位置に凹状の溝１６ａ及び１７ａを設け、これらの溝１６ａ及び１７ａにそれぞれドレイン電極１６及びソース電極を１７を形成し、それぞれの電極とチャネル層としてのｎ型ガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１３との距離を短くする。また、ドレイン電極１６及びソース電極１７を、キャップ層としてのアンドープガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１５ａの表面に張り出すような形状に形成して、溝１６ａ及び１７ａの周縁部の露出を防ぎ、この部位における表面準位の変動がチャネル層としてのｎ型ガリウム砒素（ＧａＡｓ）層１３に及ぼす影響を減らす。 （もっと読む）

電界効果トランジスタデバイス及び電界効果トランジスタを形成するための方法であって、当該デバイスは、半導体とオーム接触しているソース電極及びドレイン電極とを備える、電界効果トランジスタデバイス及び電界効果トランジスタを形成するための方法。ゲート電極−フィールドプレート構造は、ソース電極とドレイン電極との間に配置される。ゲート電極−フィールドプレート構造は、誘電体と、半導体とショットキー接触している第１の金属と、第２の金属とを有する。第２の金属は、第１の金属の一部の上に配置されると共に電気的に接続される第１の部分と、誘電体の一部によって第１の金属の第２の部分から分離され、且つ第１の金属のエッジを越えて、第２の金属のエッジまで延在する第２の部分とを有する。電界効果トランジスタデバイスのためのフィールドプレートを設けるために、第１の金属のエッジは、第２の金属のエッジよりもドレイン電極から離れている。 （もっと読む）

【課題】 ＨＢＴは、ベース−エミッタ間電流が正の温度係数を持つため、コレクタ電流も正の温度係数を持つ。従って、ベース電流を増加させて電流密度の向上を図ると、複数並列接続されたＨＢＴの単位素子のうち、１つの単位素子に電流が集中して二次降伏を起し、破壊に至りやすくなる。
【解決手段】 ＨＢＴとＦＥＴを分離領域を介して隣接して配置し、ＨＢＴのベース電極にＭＥＳＦＥＴのソース電極を接続した単位素子を複数接続してスイッチ回路装置を構成する。単位素子を並列に複数接続したスイッチ回路装置において、単位素子毎に動作電流が不均一となっても、１つの単位素子に電流が集中することはなく二次降伏による破壊は発生しない （もっと読む）

【課題】 高調波特性および挿入損失の優れたスイッチ回路、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 入力端子（７０）または出力端子（７２）のいずれか一方に接続され、制御端子（７４）に接続されたゲート電極により、導通・非導通が制御される第１のＦＥＴ（８１）と、入力端子（７０）または出力端子（７２）のいずれか他方と第１のＦＥＴ（８１）との間に接続され、制御端子（７４）に接続されたゲート電極により、導通・非導通が制御される第２のＦＥＴ（８２、８３，８４）とを具備し、第１のＦＥＴのゲート逆方向耐圧が第２のＦＥＴより大きい、または第１のＦＥＴのオフ容量が第２のＦＥＴより小さいスイッチ回路並びに半導体装置およびその製造方法。 （もっと読む）