活性層との電気的コンタクトで形成された金属のソースおよびドレインコンタクト（２０，２２）を有する活性半導体層を備えるトランジスタ構造。ゲートコンタクト（２６）が、活性層内の電界を変調するためにソースコンタクトとドレインコンタクトとの間に形成されている。スペーサ層（２４）が、活性層の上に形成されている。導電性フィールドプレート（２８）がスペーサ層の上に形成され、ゲートコンタクトの端からドレインコンタクトに向かって距離Ｌ_ｆ延びている。フィールドプレートは、ゲートコンタクトに電気的に接続されている。

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ソース領域（９）、ドレイン領域およびソースとドレイン領域を互いに接続するチャネル層（１１）を含む電界効果トランジスタを製造する方法。該方法は半導体材料（１）の一部にソース領域（９）などの半導体材料（１）中の移植物の縁部を確定するためにその縁部が使用される犠牲層（４）を提供する手順を含み、犠牲層（４）の縁部（４ｃ）はその後ゲート（１６）の縁部を画定するために使用される。

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ＨＥＭＴは、シリコン基板（１）、窒化物半導体から成るバッファ領域（２）、窒化物半導体領域（３）、ソース電極（４）、ドレイン電極（５）、ゲート電極（６）、絶縁膜（７）、導体膜（８）及びコンタクト電極（９）を有している。バッファ領域（２）はシリコン基板（１）の上に複数回繰返して成長されたＡＩＮから成る第１の層（１３）とＧａＮから成る第２の層（１４）とから成る。半導体領域（３）は電子走行層（１５）と電子供給層（１６）とを有している。バッファ領域（２）及び半導体領域（３）の側面（１７）は傾斜している。この傾斜側面（１７）に絶縁膜（７）を介して導体膜（８）が対向している。導体膜（８）はコンタクト電極（９）を介してシリコン基板（１）に接続され、側面（１７）における漏れ電流の低減に寄与する。 （もっと読む）

【課題】窒素を含む化合物半導体層の表面に生じた、エッチングによるダメージを除去あるいは軽減し、ゲート電極に良好なショットキ特性を有する半導体装置を形成する。
【解決手段】ドライエッチングにより、第１化合物半導体層２２のゲート電極形成予定領域３６の表面を露出するとともに、コンタクト層３２を形成する。次いで、この第１化合物半導体層２２の露出した表面に対するアニール処理を行う。前述のドライエッチングの際に第１化合物半導体層２２の表面に生じたダメージを、窒素プラズマを用いた表面処理を行うことにより、良好な電気特性をもつ第１化合物半導体層２２の表面を形成する。この窒素プラズマを用いた表面処理を行った第１化合物半導体層２２の表面上にゲート電極３８を形成し、良好なショットキ特性を有するゲート電極を具えたリセス型ＨＥＭＴ１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 結晶の乱れ及び結晶表面の荒れを低減させたイオン注入層を提供する。
【解決手段】 本発明に係るＳｉＣ半導体１のイオン注入層２は、４Ｈ型ＳｉＣの｛０３−３８｝面から１０°以内の角度αのオフ角を有する面方位の面に広がっている。 （もっと読む）