【課題】エンハンスメント型の電界効果トランジスタ特性を有する窒化物系ヘテロ構造電界効果トランジスタである半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体表面近傍に、薄層チャネル層半導体層２が上側障壁層半導体層１と下側障壁層半導体層３との間に挟まれて設置されており、かつ、下側障壁層半導体層３には組成傾斜（層を構成する半導体の組成が層の厚さ方向に単調に変化していること）が設けられており、下側障壁層半導体層３と、その下の内部小バンドギャップ半導体層４とは、組成の不連続なしに連結されていることを特徴とする窒化物系ヘテロ構造電界効果トランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】挿入損失を増大させることなくマルチゲートのゲート間の電位安定化が可能なスイッチング素子並びにそれを用いたアンテナスイッチ回路及び高周波モジュールを提供すること。
【解決手段】電界効果型トランジスタを成すように、半導体基板上に形成された２個のオーミック電極３９，４０と、上記２個のオーミック電極の間に配置された少なくとも２個のゲート電極４１，４２と、隣り合うゲート電極の間に挟まれて配置された導電領域４５とが備えられる。導電領域は、一端に、上記隣り合うゲート電極に挟まれている導電領域よりも幅が広い幅広部分を有し、隣り合うゲート電極の間の距離が幅広部分の幅よりも狭い。更に、幅広部分を介して２個のオーミック電極の間に直列に抵抗４４，４６が接続されている。 （もっと読む）

本発明のヘテロ電界効果トランジスタは、ＩｎＰ基板（２１）と、前記ＩｎＰ基板上にバッファ層（２２）を介して形成されたチャネル層（２３）と、前記チャネル層より大きいバンドギャップを有する半導体で構成され該チャネル層とヘテロ接合するよう形成されたスペーサ層（２５ａ）と、前記スペーサ層に隣接するように形成されたキャリア供給層（２６）とを備え、前記チャネル層が、化学式Ｇａ_ｘＩｎ_１−ｘＮ_ｙＡ_１−ｙで表され、前記ＡがＡｓ又はＳｂであり、前記組成ｘが０≦ｘ≦０．２であり、かつ前記組成ｙが０．０３≦ｙ≦０．１０である化合物半導体で構成された所定の半導体層を有している。
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トランジスタ構造体であって、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）半導体基板と、インジウムアルミニウムガリウムヒ素（ＩｎＡｌＧａＡｓ）格子整合層と、格子整合層の上に配設されるインジウムアルミニウムヒ素（ＩｎＡｌＡｓ）バリア層と、バリア層上に配設されるＩｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ下部チャネル層であって、ｙは下部チャネル層のＩｎ含有量のモル分率である、Ｉｎ_ｙＧａ_１−ｙＡｓ下部チャネル層と、下部チャネル層上に配設されるＩｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層であって、ｘは上部チャネル層のＩｎ含有量のモル分率であり、ｘはｙと異なる、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層と、Ｉｎ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ上部チャネル層上のＩｎＡｌＡｓショットキー層とを有するトランジスタ構造体。下部チャネル層は、上部チャネル層のバンドギャップより大きいバンドギャップを有し、下部チャネル層は、上部チャネル層のバルク電子移動度より低いバルク電子移動度を有する。 （もっと読む）