【課題】ＩＩＩ−Ｖ族チャネルとＩＶ族ソース−ドレインとを有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族材料のエネルギーレベルの密度とドーピング濃度をＩＩＩ−Ｖ族材料とＩＶ族材料のヘテロエピタキシと素子の構造設計によって高める。本発明の方法は、基板１００上にダミーゲート材料層を堆積し、フォトリソグラフィでダミーゲート材料層にダミーゲートを区画することと、ダミーゲートをマスクとして使用し、セルフアライン型イオン注入によってドーピングを行い、高温で活性化を行い、ソース−ドレイン１０８を形成することと、ダミーゲートを除去することと、ソース−ドレインのペアの間の基板にエッチングで凹陥部を形成することと、凹陥部にエピタキシャル法によりチャネル含有スタック素子１１２を形成することと、チャネル含有スタック素子上にゲート１２０を形成することと、を含む。 （もっと読む）

ＩＩＩ族窒化物トランジスタ・デバイスを形成する方法は、ＩＩＩ族窒化物半導体層上に保護層を形成するステップと、ＩＩＩ族窒化物半導体の一部を露出するように保護層を貫通するビアホールを形成するステップと、保護層上にマスキングゲートを形成するステップとを含む。マスキングゲートは、ビアホールの幅より大きい幅を有する上部を含み、ビアホールの中に延びる下部を有する。この方法はさらに、マスキングゲートを注入マスクとして用いて、ＩＩＩ族窒化物層内にソース／ドレイン領域を注入するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】能動素子とＭＩＭキャパシタとを備え、その製造工程の短縮を可能とする構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板上に、オーミック電極を備えた能動素子と、下側電極と上側電極との間に誘電体層が介在するＭＩＭキャパシタとが設けられた構造を有し、下側電極とオーミック電極とが同じ構造を有する。例えば、ＧａＡｓ基板１０上に、能動素子としてのＦＥＴと、ＭＩＭキャパシタとが設けられたＭＭＩＣ１００では、ＦＥＴのオーミック電極たるソース・ドレイン電極１６ａ・１６ｂと、ＭＩＭキャパシタの下側電極１６ｃとを同時に形成することにより、これらを同じ金属からなる構造とする。 （もっと読む）

【課題】安定してノーマリオフ特性を有するリセスゲート型ＨＦＥＴを製造することができるリセスゲート型ＨＦＥＴの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＧａＮ層とＡｌＧａＮ層とのヘテロ接合部を有し、ＡｌＧａＮ層上にゲート電極が形成されているリセスゲート型ＨＦＥＴを製造する方法であって、基板上にＧａＮ層を形成する第１工程と、ＧａＮ層上に第１のＡｌＧａＮ層を１ｎｍ以上３ｎｍ以下の厚さに形成する第２工程と、第１のＡｌＧａＮ層の表面のうちゲート電極形成領域以外の領域の少なくとも一部の表面上に第２のＡｌＧａＮ層を再成長により形成する第３工程と、第１のＡｌＧａＮ層の表面のゲート電極形成領域にゲート電極を形成する第４工程と、を含む、リセスゲート型ＨＦＥＴの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体層のチャネル領域のキャリア移動度を高くし、且つ大きな絶縁破壊電界強度のゲート絶縁膜を有する窒化物化合物半導体トランジスタを提供すること。
【解決手段】基板１上に形成された窒化物化合物半導体層３と、窒化物化合物半導体層３上に形成されたシリコン窒化膜６よりなる第１のゲート絶縁膜と、シリコン窒化膜６上に形成され且つシリコン窒化膜７よりも絶縁破壊強度の大きな材料の膜７からなる第２のゲート絶縁膜と、第２のゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極８ｇと、ゲート電極８ｇの側方で窒化物化合物半導体層５ｓ、５ｄにオーミック接触するオーミック電極１０ｓ，１０ｄを有する。 （もっと読む）