【課題】帰還容量を低減し、耐電圧特性を向上させるとともに、トランジスタ素子の最大有能利得を増加させ、高周波領域における利得を向上させる。
【解決手段】半導体装置を、ゲート電極２と、ゲート電極２の上方に絶縁膜６を介して形成されたフィールドプレート電極７と、誘導性素子８とを備えるものとし、フィールドプレート電極７を、誘導性素子８を介して接地する。 （もっと読む）

【課題】導電性ＳｉＣ基板上にＧａＮ系のキャリア走行層を含む化合物半導体層を形成して化合物半導体装置を構成する場合において、優れたデバイス特性を実現することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型導電性ＳｉＣ基板１０上に、ｎ型導電性ＳｉＣ基板１０上に形成されたｉ型ＡｌＮバッファ層１２と、ｉ型ＡｌＮバッファ層１２上に形成され、Ｆｅが添加されたＧａＮバッファ層１６と、ＧａＮバッファ層１６上に形成されたｉ型ＧａＮ層１８と、ｉ型ＧａＮ層１８上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮ層２０と、ｎ型ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたソース電極２６及びドレイン電極２８と、ソース電極２６及びドレイン電極２８との間のｎ型ＡｌＧａＮ層２０上に形成されたゲート電極３４とを有している。 （もっと読む）

【課題】ゲートリーク電流の増加及び出力の低下を抑制しながら、コンタクト抵抗を低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子走行層３ａと、電子走行層３ａ上方に形成された電子供給層４ｂ、５ｂと、電子供給層４ｂ、５ｂ上方に形成されたゲート電極１１ｇと、ゲート電極１１ｇを間に挟んで形成され、電子走行層３ａに電圧を印加するソース電極１１ｓ及びドレイン電極１１ｄと、ソース電極１１ｓと電子走行層３ａとの間の電流経路に位置し、ソース電極１１ｓと接する第１の化合物半導体層６ｂと、ドレイン電極１１ｄと電子走行層３ａとの間の電流経路に位置し、ドレイン電極１１ｄと接する第２の化合物半導体層６ｂと、が設けられている。電子走行層３ａの表面は（０００１）面であり、第１の化合物半導体層６ｂ及び第２の化合物半導体層６ｂの表面は（０００−１）面である。 （もっと読む）

【課題】 パワーデバイスに必要な特性を確保しながら、コストを低減することができる窒化物半導体素子およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 ＣＡＶＥＴ１において、シリコン基板２上に、ＡｌＮ構造８を有するバッファ層４、電子走行層６、および電子供給層７を積層した構造を有し、電子走行層６および電子供給層７に跨る壁面１６を有する積層構造部３を形成する。バッファ層４と電子走行層６との間には、開口部１３を有するマスク層１２を形成する。ソース電極１８は、電子供給層７上に形成し、ゲート電極２０は、電子供給層７上におけるソース電極１８よりも壁面１６寄りの位置に設ける。ドレイン電極３０は、シリコン基板２の裏面２２側からシリコン基板２およびバッファ層４を貫通するように設ける。そして、壁面１６に沿って埋込電極１７を設け、開口部１３を介してドレイン電極３０に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】長期にわたって安定した動作が可能な化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上方に形成された電子走行層２と、電子走行層２上方に形成された電子供給層３と、電子供給層３上方に形成されたソース電極７ｓ、ドレイン電極７ｄ及びゲート電極７ｇと、が設けられている。ソース電極７ｓと電子供給層３との間の抵抗は、ゲート電極７ｇから離間するほど低くなっており、ドレイン電極７ｄと電子供給層３との間の抵抗は、ゲート電極７ｇから離間するほど低くなっている。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極材料の耐熱上の問題を克服し、ソース抵抗の低減が可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極９を挟んでソース電極８、ドレイン電極１０をそれぞれ形成するソース領域３、ドレイン領域６のいずれか一方または双方の領域にイオンを注入し活性化した第１の高濃度キャリア領域６と、ゲート電極９の直下に形成したチャネル領域４と第１の高濃度キャリア領域６との間の領域に、熱処理によりキャリアを拡散させた熱拡散領域７の第２の高濃度キャリア領域とを形成し、第１の高濃度キャリア領域６は、チャネル領域４と互いに隣接して形成される第２の高濃度キャリア領域７と隣接および／または一部重複し、かつ、チャネル領域４以上に深く形成した第２の高濃度キャリア領域７よりも深く形成する。第１の高濃度キャリア領域６のキャリア濃度を、チャネル領域４よりも高濃度の第２の高濃度キャリア領域７よりさらに高くする。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体から成るヘテロ接合電界効果型トランジスタに於いて、バリア層上に２次元電子ガス濃度を減少させずに略50nm以上のキャップ層を形成するには、シリコンを1×10¹⁹cm^-2程度の高濃度でドーピングする必要があるが、この様な高い濃度のシリコンを均一性良くドーピングするのは困難である。窒化物半導体では酸素及び窒素空孔の様なエピタキシャル成長中等に意図せずに混入するドナーがあるため、シリコンだけでドーピング濃度を制御することが難しい。
【解決手段】キャップ層５０内でヘテロ接合の形成により発生する分極の影響を受けるバリア層４０側の領域に、キャップ層５０を構成する窒化物半導体のバンドギャップ内の分極の効果によって決まるフェルミ・レベルよりも高いエネルギー位置に準位を形成する複数のドナーが、合計して２次元電子ガス濃度と同程度の濃度でドーピングされている。 （もっと読む）

【課題】オフ時に過剰に落ち込んだドレイン電流をより早期に回復させることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１と、基板１上に形成されたＡｌＮ層２と、ＡｌＮ層２上に形成され、ＡｌＮ層２よりも電子親和力が大きいＡｌＧａＮ層３と、ＡｌＧａＮ層３上に形成され、ＡｌＧａＮ層３よりも電子親和力が小さいＡｌＧａＮ層４と、が設けられている。更に、ＡｌＧａＮ層４上に形成されたｉ−ＧａＮ層５と、ｉ−ＧａＮ層５上方に形成されたｉ−ＡｌＧａＮ層６及びｎ−ＡｌＧａＮ層７と、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された窒化物系化合物半導体におけるソース−ドレイン間のリーク電流を低減する。
【解決手段】トランジスタ１００は、シリコン基板（図示せず）上の窒化物系化合物半導体１１の表面に、ゲート電極１２、ソース電極１３、ドレイン電極１４がそれぞれ形成されている。ソース電極１３またはドレイン電極１４の少なくとも一方は、ゲート電極１２と接続された補助電極１５で囲まれており、補助電極１５下の窒化物系化合物半導体１１に空乏層が形成されることによってリーク電流経路が遮断され、ソース−ドレイン間のリーク電流を効果的に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗低減、ゲート長短縮によるドレインコンダクタンス低下を防止できる半導体装置。
【解決手段】
基板１０上に順次配置された窒化物系化合物半導体層からなるバッファ層１２,アルミニウム窒化ガリウム層（Ａｌ_xＧａ_1-xＮ）（０．１≦ｘ≦１）からなるショットキー層１４と、ショットキー層１４上に配置されたソース電極１６およびドレイン電極１８と、ショットキー層１４に形成され,チャネルを細線状に分割する複数の溝２６と、溝２６およびチャネルを横断するゲート電極２０とを備え、溝２６の側壁部に対してソース電極１６との間で、オーミックコンタクトが形成されるため、ソース電極１６とショットキー層１４との間のコンタクト抵抗が低減でき、ゲート電極２０がショットキー層１４を囲むように形成され、２ＤＥＧ層２８内のキャリアの閉じ込め効果が高くなるため、ドレインコンダクタンスの低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に閾値電圧が異なる２種類以上の電界効果トランジスタを集積した半導体装置であって、閾値電圧の制御性が良い電界効果トランジスタを集積した半導体装置とその製造方法とを提供することを目的とする。
【解決手段】閾値電圧が異なるＥ−ＦＥＴとＤ−ＦＥＴとが基板３０１上に形成された半導体装置３０であって、基板３０１と、Ｅ−ＦＥＴとＤ−ＦＥＴとのそれぞれのチャネルとして機能する、基板３０１の上層に形成されたチャネル層３０３と、チャネル層３０３の上層に形成され、チャネル層３０３に電子を供給するためにドナーとなる不純物を含む、ＡｌＧａＡｓからなる電子供給層３０５とを備え、電子供給層３０５の領域のうちＥ−ＦＥＴとＤ−ＦＥＴとの少なくとも一方の領域は、さらに、フッ素原子を含む。 （もっと読む）

【課題】ソース電極およびドレイン電極の表面モフォロジーおよび延性を向上させて耐圧を向上させ、オン抵抗の増加を抑制した化合物半導体装置、その製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体装置１は、ソース領域２１およびドレイン領域２５が形成される化合物半導体層１０（第２化合物半導体層１２）と、ソース領域２１およびドレイン領域２５にそれぞれ対応して形成されたソース電極２２およびドレイン電極２６とを備える。ソース領域２１およびドレイン領域２５は、化合物半導体層１０に対してオーミック性を有する領域形成用オーミック金属によって形成され、ソース電極２２およびドレイン電極２６は、領域形成用オーミック金属２０ｒ、２４ｒを除去した領域へ新たに形成されソース領域２１およびドレイン領域２５に対してオーミック性を有する電極形成用オーミック金属２２ｍ、２６ｍによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 安定した表面を有するIII族窒化物基板を提供する。
【解決手段】 一実施形態に係るIII族窒化物基板は、表面層を有している。当該表面層は、３ａｔ．％の〜２５ａｔ．％の炭素を含み、且つ、５×１０^１０原子／ｃｍ^２〜２００×１０^１０原子／ｃｍ^２のｐ型金属元素を含んでいる。このIII族窒化物基板は、安定した表面を有するものとなる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣを素材として採用することで本来得られる特性をより確実に得ることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＪＦＥＴ１は、少なくとも上部表面１４Ａが炭化珪素からなるウェハ１０と、上部表面１４Ａ上に形成されたゲートコンタクト電極２１とを備える。ウェハ１０は、上部表面１４Ａを含むように形成されたイオン注入領域である第１のｐ型領域１６を含む。第１のｐ型領域１６は、上部表面１４Ａを含むように配置されるベース領域１６Ａと、突出領域１６Ｂとを含む。ベース領域１６Ａは、上部表面１４Ａに沿った方向における幅ｗ_１が、突出領域１６Ｂの幅ｗ_２よりも広い。ゲートコンタクト電極２１は、平面的に見てその全体が第１のｐ型領域１６に重なるように、第１のｐ型領域１６に接触して配置されている。 （もっと読む）

【課題】高い信頼性を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたｉ−ＧａＮ層２（キャリア走行層）と、ｉ−ＧａＮ層２上に形成されたｎ−ＡｌＧａＮ層４（キャリア供給層）と、が設けられている。また、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上に形成されたＴａ膜１１ｓ及び１１ｄと、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄ上に形成されたＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄと、が設けられている。更に、夫々Ｔａ膜１１ｓ及び１１ｄにＡｌ膜１２ｓ及び１２ｄを介さずに電気的に接続されたＡｕ膜１４ｓ及び１４ｄと、ｎ−ＡｌＧａＮ層４上においてＴａ膜１１ｓ及び１１ｄの間に位置するゲート電極１３ｇと、が設けられている。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流を低減することができ、好ましくは高い閾値電圧を得ることができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ｉ−ＧａＮ層５（電子走行層）と、ｉ−ＧａＮ層５（電子走行層）上方に形成されたｎ−ＧａＮ層７（化合物半導体層）と、ｎ−ＧａＮ層７（化合物半導体層）上方に形成されたソース電極２１ｓ、ドレイン電極２１ｄ及びゲート電極２１ｇと、が設けられている。そして、ｎ−ＧａＮ層７（化合物半導体層）のソース電極２１ｓとドレイン電極２１ｄとの間の領域内でゲート電極２１ｇから離間した部分にリセス部７ａ（凹部）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】性能を確保しながらコストを低減することができる化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、外部に連通する開口部が設けられたｎ−ＧａＮ層４を形成し、その後、ｎ−ＧａＮ層４上に、ＧａＮ層５、ＡｌＧａＮ層６、ｉ−ＧａＮ層７、ｉ−ＡｌＧａＮ層８、ｎ−ＡｌＧａＮ層９及びｎ−ＧａＮ層１０を形成する。次いで、ＫＯＨ水溶液中において、ｎ−ＧａＮ層４に紫外線を照射して、光電気化学エッチングによりｎ−ＧａＮ層４を溶解させる。 （もっと読む）

【課題】リセス構造中に形成された電極を具備する半導体装置において、オン抵抗を低く、かつ信頼性を高くする。
【解決手段】図１（ｂ）に示されるように、全面に第１の絶縁層１０３を形成する。次に、図１（ｃ）に示されるように、フォトリソグラフィを行い、フォトレジストパターン１０４を形成する。次に、図１（ｄ）に示されるように、第１の絶縁層１０３のドライエッチングを行う。次に、図１（ｅ）に示されるように、半導体積層構造をエッチングする。次に、図１（ｆ）に示されるように、この状態で第１の絶縁層１０３のウェットエッチングを行う。次に、図１（ｇ）に示されるように、この状態で電極材料１０５を全面に形成する。次に、図１（ｈ）に示されるように、フォトレジストパターン１０４を除去する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗及びゲートリーク電流の小さいノーマリオフ型の電界効果半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】電流通路を形成するための少なくとも１つの半導体層を有している主半導体領域と、前記主半導体領域の一方の主面上に配置された第１の主電極６と、前記主半導体領域の一方の主面上に前記第１の主電極６から離間して配置された第２の主電極７と、前記主半導体領域の一方の主面上における前記第１の主電極と前記第２の主電極との間に配置されたゲート電極８と、前記主半導体領域と前記ゲート電極８との間に配置された金属酸化物半導体膜１０とを備えている電界効果半導体装置の製造方法であって、前記金属酸化物半導体膜１０を構成する金属材料を含有する薄膜を、前記主半導体領域上に蒸着させることを特徴とする電界効果半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを低減することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＧａＮ層２と、ＧａＮ層２上に形成されたｎ型ＡｌＧａＮ層３と、ｎ型ＡｌＧａＮ層３上に形成されたソース電極１１ｓ及びドレイン電極１１ｄと、ｎ型ＡｌＧａＮ層３上においてソース電極１１ｓ及びドレイン電極１１ｄとの間に位置し、Ｎを含み、開口部２２が形成されたＡｌＮ層５と、開口部２２内からＡｌＮ層５の上方まで延在するゲート電極１１ｇと、が設けられている。更に、開口部２２内においてゲート電極１１ｇとＡｌＮ層５とを絶縁するＳｉＮ膜７が設けられている。 （もっと読む）