【課題】複数のターゲット表面上の反応ガスの分圧を互いに等しくし、各ターゲットを互いに同じ速度でスパッタできるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】
互いに離間して一列に並んで配置された複数のターゲット２１₁〜２１₄と、隣り合う二個のターゲット２１₁〜２１₄を一組として、一組のターゲット２１₁〜２１₄間に電圧が印加されるターゲット装置２０₁₂、２０₃₄とを有し、各ターゲット装置２０₁₂、２０₃₄は、一組のターゲット２１₁〜２１₄の側面と対向して配置された隔壁２３₁〜２３₄と、隔壁２３₁〜２３₄とターゲット２１₁〜２１₄との間に設けられたガス導入口２８₁〜２８₄と、真空槽１１の底面に設けられた主排気口２５₁₂、２５₃₄とをそれぞれ有し、ガス導入口２８₁〜２８₄から導入された反応ガスは、一組のターゲット２１₁〜２１₄間を通って主排気口２５₁₂、２５₃₄から真空排気される。 （もっと読む）

【課題】分子線エピタキシー（ＭＢＥ）による成膜に先立って、原料蒸発源セルの周辺に存する不純物を、原料を浪費することなく除去して所期の高真空度を達成し、容易且つ確実に信頼性の高い成膜を実現する成膜装置、成膜方法、及び化合物半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＭＢＥ装置は、原料１０が充填される坩堝１１と、坩堝１１を覆うように配置された第１のヒータ１３と、第１のヒータ１３を覆うように配置された熱反射板１４と、熱反射板を覆うように配置された第２のヒータ１５とを備えた原料蒸発源セル２と、原料蒸発源セル２の少なくとも一部を囲み、その壁面を液体窒素温度に冷却することができるシュラウド４とを含み構成される。 （もっと読む）

【課題】 基板のクリーニング効果、および、結晶成長の高品質化を実現する。
【解決手段】 本発明の分子線エピタキシャル成長装置は、水素ラジカル発生装置１０および分子線セル２３が、それぞれ独立して設けられている。そして、水素ラジカル発生装置１０から水素ラジカルが、分子線セル２３から成膜材料の分子線または原子線が、それぞれ別々に、基板処理室２０に供給されるようになっている。さらに、水素ラジカルは光励起により発生させる。これにより、水素ラジカルを放出ガスの発生なしに効率的に発生させることができ、基板２１のクリーニング効果、および、成膜材料中の不純物を除去する効果を顕著に高めることができる。 （もっと読む）