【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜を形成することができるβ−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ｇａ_２Ｏ_３結晶をβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上、又はβ−Ｇａ_２Ｏ_３基板２上に形成されたβ−Ｇａ_２Ｏ_３系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ｇａ_２Ｏ_３結晶に一定周期で間欠的にＳｎを添加する工程を含む方法により、Ｓｎ添加β−Ｇａ_２Ｏ_３単結晶膜３を製造する。 （もっと読む）

光源はシリコンとフッ化カルシウム（ＣａＦ_２）の組合せをベースとしている。シリコン及びフッ化カルシウムは純粋である必要はなく、それらの電気的特性及び／又は物理的特性を制御するためにドープされてもアロイ化されてもよい。本光源は、例えば多層構造として配置されるシリコンとフッ化カルシウムの交互配置部を使用し、近赤外スペクトル領域の光を放射するように伝導帯のサブバンド間遷移を使用して動作することが好ましい。本光源は、量子カスケードレーザ、リング共振器レーザ、導波路型光増幅器を形成するように構成することができる。
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【課題】珪素結晶基板上のＩＩＩ族窒化物半導体層を用いて半導体素子を構成するに際し、結晶性及び表面の平坦性に優れるＩＩＩ族窒化物半導体層から半導体素子を構成できるようにする。
【解決手段】珪素単結晶基板と、その基板の表面に設けた炭化珪素層と、その炭化珪素層に接して設けたＩＩＩ族窒化物半導体接合層と、そのＩＩＩ族窒化物半導体接合層上にＩＩＩ族窒化物半導体からなる超格子構造層を備えた半導体素子において、炭化珪素層は立方晶で格子定数が０．４３６ｎｍを超え、０．４６０ｎｍ以下の、組成的に珪素を富裕に含む非化学量論的な組成の層とし、ＩＩＩ族窒化物半導体接合層は、組成がＡｌ_ＸＧａ_ＹＩｎ_ＺＮ_１−αＭ_α（０≦Ｘ、Ｙ、Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１、０≦α＜１、Ｍは窒素以外の第Ｖ族元素である。）とする。 （もっと読む）

【課題】電界発光（ＥＬ）素子および、希土類元素がドープされたシリコン（Ｓｉ）／二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）格子構造の形成方法の提供。
【解決手段】基板を被うＳｉ層のＤＣスパッタリングする工程１００４と、該Ｓｉ層へドープするための希土類元素のＤＣスパッタリングする工程１００６と、希土類元素がドープされたＳｉ層を被うＳｉＯ_２層のＤＣスパッタリングする工程１０１０と、格子構造を形成する工程１０１２と、希土類元素がドープされたＳｉ層においてナノ結晶を形成するためのアニール工程１０１４とを含む。一形態において、希土類元素およびＳｉは、同時ＤＣスパッタされる。格子構造において、ＳｉＯ_２層と希土類元素がドープされたＳｉ層が交互に複数積層されるように、ＳｉのＤＣスパッタリング、希土類元素のＤＣスパッタリング、およびＳｉＯ_２のＤＣスパッタリングする工程は５〜６０回繰り返される。 （もっと読む）