本発明は、例えば電流閉じ込め層として機能する、Ｉｎ含有量量がゼロではないＡｌＩｎＮ層（７）を有するIII−窒化物複合デバイスに関する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その内部に規定される少なくとも１つの開口部を有する。ＡｌＩｎＮ層（７）は、その下にあるＧａＮ層などに対する格子不整合が少ないように成長され、その結果、デバイス内の付加的な結晶ひずみを抑制する。最適化された成長条件を用いて、ＡｌＩｎＮの抵抗率を１０^２Ω．ｃｍよりも高くする。その結果、より小さな抵抗率を有する層を、多層半導体デバイス内の電流ブロック層として用いるときに生じる電流の流れが、抑制される。結果として、ＡｌＩｎＮ層が開口部を有し、レーザーダイオードデバイス内に配置されると、デバイスの抵抗率は相対的に低くなり、デバイスの性能が向上する。
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【課題】 動作時のオン抵抗を充分に小さくすることが可能な高耐圧のＦＥＴ及びその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ｐ型ＧａＮチャネル層１６がその上下をｎ型ＧａＮソース層１８及びｎ型ＧａＮドレイン層１４によって挟まれた積層構造をメサ形状に加工してその側面に傾斜面を形成し、この傾斜面におけるｐ型ＧａＮチャネル層１６の傾斜した側面上にＳｉＯ_２ ゲート絶縁膜２４を介してゲート電極４０Ｇａ、４０Ｇｂを設けている。即ち、ｐ型ＧａＮチャネル層１６の傾斜した側面をチャネル領域としている。このため、そのチャネル長をｐ型ＧａＮチャネル層１６の厚さによって制御することが可能となり、容易かつ高精度に短チャネル長化を達成することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜を用いた酸化物トランジスタを低コストで効率的に製造することを目的とする。
【解決手段】ソース電極４、ドレン電極４及びゲート電極２の３つの電極、チャネル層６及びゲート絶縁膜３の各要素を基板上に形成してなる酸化物トランジスタにおいて、上記各要素の少なくとも２以上をそれぞれ電気抵抗率の異なるＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ膜で形成した。 （もっと読む）

本発明は光起電薄膜太陽電池（３１０）を提供し、この電池（３１０）は垂直に向けたパレット（３２０）ベースの基材（３１０）を一続きの反応チャンバー（３３０、３４０）へ提供することによって製造され、その反応性チャンバー（３３０、３４０）では複数の層が順次このパレット（３２０）上で形成され得る。 （もっと読む）