【課題】ガラス基板など耐熱温度が低い基板を用いた場合にも、実用に耐え、且つ安定した特性を示す半導体デバイスを作製することが可能なＳＯＩ層を備える半導体基板を提供することを目的とする。
【解決手段】ＳＯＩ層とガラス基板との間に有機シランを材料の一つとして用い、熱ＣＶＤ法により５００℃〜８００℃の温度範囲で成膜された、リンガラス、ボロンガラス、リンボロンガラスのいずれかからなる１層もしくは複数層により形成された接合層を設けることで上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】電気的ストレスに対し、より安定なａ−ＩＧＺＯ系薄膜トランジスタと、それを使用した表示装置を得る。
【解決手段】活性層がＩｎ、Ｚｎを含み構成されたアモルファス酸化物である薄膜トランジスタであって、活性層の形成後に活性層に電気特性を安定化させるためのエネルギーを付与し、エネルギーを付与した活性層が、エネルギーを付与しない活性層に対して、昇温脱離分析により、温度範囲200℃から700℃において１．０５倍よりも多いＺｎを脱離する薄膜トランジスタ。活性層がＩｎ，Ｚｎを含むアモルファス酸化物で構成された薄膜トランジスタの製造方法であって、活性層を形成する工程の後に活性層に電気特性を安定化させるためのエネルギーを付与する工程を含む薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】結晶化するためのエネルギー線のエネルギー量のばらつきが不規則に発生しても比較的安定した大きさの結晶化領域や良質の２次元結晶を得ることの可能な半導体薄膜の結晶化方法、良好な特性を有する薄膜半導体装置の製造方法及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】非単結晶半導体薄膜に周期的な強度分布を有するパルスエネルギー線を照射して、前記半導体薄膜の照射された部分を溶解し、前記パルスエネルギー線の遮断後凝固させることにより、前記パルスエネルギー線照射領域内のエネルギー強度が極小である付近に発生する結晶核から放射状に結晶を成長させて２次元結晶化領域を形成する半導体薄膜の結晶化方法であって、前記パルスエネルギー線の照射は、前記半導体薄膜の第１の照射位置に第１のエネルギー線を照射する第１の照射工程と、前記第１の照射位置からずらし、少なくとも前記結晶核を含む第２の照射位置に第２のエネルギー線を照射する第２の照射工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐｏｌｙ−Ｓｉ層およびａ−Ｓｉ層が積層されたボトムゲートのＴＦＴにおいて、固定電荷の影響によるリーク電流の増大を防止する。
【解決手段】ゲート電極１０３を覆ってゲート絶縁膜１０４が形成され、ゲート絶縁膜１０４上にｐｏｌｙ−Ｓｉ層１０７が形成され、その上にａ−Ｓｉ層１０８が形成され、さらにその上に、ｎ＋Ｓｉ層１０９、ソース／ドレイン電極１１３が形成され、ＴＦＴ全体はパッシベーション膜１１６によって覆われている。チャネル部からはチャネルエッチングによってａ−Ｓｉ層１０８が除去されている。したがって、チャネル部に誘起される電荷はゲート電極１０３による影響が支配的となり、チャネル付近のパッシベーション膜１１６に固定電荷２００が形成されても、固定電荷２００の影響によるリーク電流の増大は抑止される。 （もっと読む）

【課題】スパッタ法などで保護層を形成する際の半導体層が受けるダメージの不均一性によるＴＦＴ間の特性ばらつきを改善し、このＴＦＴを用いるアクティブマトリクス型表示装置の画像の均一性を向上させる。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、アモルファス酸化物からなる半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、保護層とを含む。保護層は、半導体層の上に半導体層と接して設けられる。半導体層は、少なくともチャネル層として機能する第１の層と、第１の層よりも高抵抗な第２の層とを含む。第２の層は、半導体層において保護層側に設けられる。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加することなく、N型及びP型TFTのチャネルの不純物濃度を個別に制御でき、またチャネル長を安定して形成できるTFT基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上にN型及びP型のTFTが形成されているとともに、TFTと同層の半導体膜にN型不純物がドープされた領域を下部容量電極とし、金属膜からなる上部容量電極との間にゲート絶縁膜と同層の絶縁膜を介在させた容量が形成されたTFT基板の製造方法であって、第１及び第２のマスクをハーフトーンマスクとして、第１及び第２のマスクを用いて前記N型及びP型TFTのゲート及び上部容量電極を加工し、N型TFTのチャネルと、N型TFTのソース及びドレインと、P型TFTのチャネルと、P型TFTのソース及びドレインと、下部容量電極となる領域の半導体膜の不純物濃度を前記第１のマスクと第２のマスクのパターンにより作り分ける工程を含む。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴの特性を向上させることができる薄膜トランジスタ装置を提供すること。
【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタ装置は、基板上に形成される半導体層と、半導体層上であって少なくとも保持容量となる領域に形成される導電膜と、半導体層及び導電膜上に形成されるゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上であって導電膜と対向する位置に形成される上部電極、及びチャネル領域と対向する位置に形成されるゲート電極と、ゲート電極及び上部電極上に形成される第１層間絶縁膜と、第１層間絶縁膜上に形成され第１コンタクトホールを介してソース領域に接続されるソース電極と、第１層間絶縁膜上に形成され第２コンタクトホールを介してドレイン領域に接続されるドレイン電極とを有し、半導体層の端部の側面と当該半導体層の底面とのなす角度は２０度以上５０度以下であり、導電膜の端部の側面と当該導電膜の底面とのなす角度は０度を超え５０度以下である。 （もっと読む）

【課題】ノイズを効果的に抑制するとともに、高い画質を得ることができる放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過した放射線を吸収することにより発光する蛍光体膜と、上部電極、下部電極、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜を有し、該光電変換膜が、光電変換部と、非晶質酸化物により形成された活性層を有する電界効果型薄膜トランジスタを有し、前記電界効果型トランジスタが、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする放射線撮像素子。 （もっと読む）

【課題】 ランプ光を照射して熱処理を行う際に、光吸収特性の異なる材料を含む被処理体に対しても、均一な熱処理を可能とする熱処理方法及び熱処理装置を提供すること。
【解決手段】 放電ランプから光を照射して、可視域および赤外域における光の吸収特性が異なる少なくとも２種以上の材料を含む被処理体を、前記放電ランプから放射された光を、前記異なる光の吸収特性に対応して所定の波長の光を除去するフィルタユニットを通して前記被処理体に照射する熱処理方法であって、前記フィルタユニットが、紫外光あるいは可視光の少なくとも一部を反射し、他の波長域の光を透過または吸収する選択反射ミラーを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上にｎチャネル型及びｐチャネル型電界効果トランジスタがそれぞれ層間絶縁層を介して積層している半導体装置とする。ｎチャネル型及びｐチャネル型電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は層間絶縁層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている。応力を有する絶縁膜によって半導体層へ与えられる歪み、半導体層の面方位、又はチャネル長方向の結晶軸を制御することによって、ｎチャネル型とｐチャネル型電界効果トランジスタとの移動度の差を軽減し、電流駆動能力及び応答速度を同等とする。 （もっと読む）

【課題】アモルファスＳｉ−ＴＦＴに関し、Ａｌ−Ｎｉ系合金からなる電極配線層を半導体層に直接接合可能とする素子の接合技術を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体層とＡｌ−Ｎｉ系合金からなる電極配線層と透明電極層とを備え、前記半導体層と前記電極配線層とが直接接合された部分を有する素子の接合構造において、電極配線層に直接接合された半導体層は、１．０×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３〜１．０×１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３のリンと、５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３〜１×１０^２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３の窒素を含有したアモルファスＳｉであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】表示装置の画素を構成する電界効果トランジスタの高性能化を実現し、且つ電界効果トランジスタの微細加工技術に依拠することなく、画素内の電界効果トランジスタ数を増やしても電界効果トランジスタ数の増加に伴い低下した画素の開口率を向上及び画素に占める電界効果トランジスタの面積の削減を図ることのできる表示装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】半導体基板より分離され、絶縁表面を有する支持基板に接合された半導体層を有する電界効果トランジスタが、平坦化層を層間に設けて複数積層された画素を複数具備する表示装置とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶半導体層を有するＳＯＩ構造の基板を大面積化する。
【解決手段】矩形状の複数の単結晶半導体基板をトレイに配置する。トレイには、単結晶半導体基板を収めるための凹部が形成されている。トレイに配置した状態で、水素イオンをドープして所望の深さに損傷領域し、また、複数の単結晶半導体基板表面に接合層を形成する。損傷領域および接合層を形成した複数の単結晶半導体基板をトレイに配置して、ベース基板と貼り合わせる。加熱処理することにより、損傷領域に沿って単結晶半導体基板を分割することで、ベース基板に薄片化された複数の単結晶半導体層が形成される。 （もっと読む）

式（Ｉａ）の少なくとも１つの部を含むモノマー化合物もしくはポリマー化合物［式中、Ｘは、ＣＲであり、その際、Ｒは、Ｈもしくは請求項１に定義される置換基であるか、又はこの部を有する、例えば式（Ｉｂ）もしくは（Ｉｃ）の別のケトピロール部であり、全ての他の記号は請求項１に定義したものである］は、有機溶剤中で良好な溶解度を示し、そして優れた皮膜形成特性を示す。さらに、本発明によるポリマーを半導体デバイスもしくは有機光起電性（ＰＶ）デバイス（太陽電池）で使用した場合に、高い効率のエネルギー変換、優れた電界効果移動度、良好なオン／オフ電流比及び／又は優れた安定性を観察できる。
（もっと読む）

【課題】寸法制御性を向上させ、生産性の低下を抑制することができる半導体基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明に係る半導体基板の製造方法は、第１の半導体膜及び前記第１の半導体膜上に形成される第２の半導体膜を含む積層膜を有する半導体基板の製造方法であって、積層膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、フッ素原子を含むガス及び塩素原子を含むガスを含む混合ガスを用いたドライエッチングにより、レジストパターンを介して第１の半導体膜の端部をテーパ形状にエッチングするエッチング工程とを有し、エッチング工程では、第１の半導体膜の端部のテーパ形状の表面は、庇状のレジストパターンに覆われてエッチングされ、第２の半導体膜の縦方向のエッチングレートが、第１の半導体膜の縦方向のエッチングレートより大きい。 （もっと読む）

【課題】室温領域で液晶性を有し、高い移動度を持つ新規な有機導電材料を提供する。
【解決手段】下記の一般式で表される完全縮環ポルフィリン二量体よりなる液晶性ｎ型有機導電体材料、及びそれを用いた有機光電子デバイス。
（もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ層間絶縁層を介して積層している半導体装置とする。複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は層間絶縁層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている。複数の電界効果トランジスタはそれぞれ前記半導体層に歪みを与える絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン基板を劈開して剥離を行う場合であっても、剥離面の平坦性を保持したまま剥離が可能であるＳＯＩ基板の製造方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】面状、線状又は矩形状のイオンビームを半導体基板に照射して、半導体基板の主表面から所定の深さに第１のイオンを添加することにより剥離層を形成し、半導体基板に形成された剥離層の一部に第２のイオンを添加し、半導体基板の主表面とベース基板の一主表面とを対向させ、絶縁膜の表面とベース基板とを接合させ、半導体基板を、剥離層を劈開面として劈開させることにより、ベース基板上に単結晶半導体層を形成する工程を含み、第２のイオンの質量数を第１のイオンの質量数と同一又は第１のイオンの質量数より大きくする。 （もっと読む）

【課題】複数の表示素子を駆動するＴＦＴアレイにおいて、ムラがなく明るい高品位な映像を得ることができるＴＦＴアレイを提供する。
【解決手段】電流駆動される複数の表示素子をそれぞれ駆動する複数のＴＦＴを有するＴＦＴアレイにおいて、１つの表示素子に対してキャリア移動度の異なる少なくとも２つのＴＦＴを備える。 （もっと読む）

【課題】
下地との優れた密着性を有し、銅やシリコンの拡散を防止し低抵抗銅配線を備えた液晶画像表示装置を提供する。
【解決手段】
アモルファスシリコン等を形成した基板上に、窒化物の生成自由エネルギが負の金属を添加した銅−金属合金ターゲットを用いて窒素＋アルゴン雰囲気で金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金層を形成する。次にアルゴンのみで銅と金属の合金膜を成膜することで拡散バリアを有する金属元素を含有する銅を主成分とする合金膜と、金属元素と窒素とを含有する銅を主成分とする合金膜との積層配線を形成する。 （もっと読む）