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自己組織化単分子層を含む電子デバイスおよびこれを製造する方法
【課題】 電子特性が向上した分子層を有する電子デバイスを提供すること。
【解決手段】 電子デバイスは、ソース領域およびドレイン領域と、ソース領域およびドレイン領域に隣接して配置され、少なくとも1つの共役分子を含む自己組織化単分子層と、自己組織化単分子層に隣接した導電性基板と、を含む。
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有機薄膜トランジスタ
【課題】特殊な技術を要せず、簡単な製造方法でキャリア移動度が高い有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体層に重量平均分子量2000以上のπ共役系ポリマー及び分子量2000以下のπ共役系オリゴマーを含有することを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
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絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置及びその製造方法
【課題】シリコン基板上のSi1−xGex層を用いた素子構造において、電流駆動能力の高いMISFETを含む半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】シリコン基板101上に、Si1−xGex層103を形成し、このSi1−xGex層103にMISFETを形成する。ソース層及びドレイン領域106,107の接合深さを、前記Si1−xGex層103とシリコン層とが接する面を越えないようにする。
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D/A変換回路及び半導体装置
【課題】 高いビット数のデジタル信号に対応し、線形性が良く、占有面積の小さいD/A変換回路を提供する。
【解決手段】 複数の容量を有するD/A変換回路であって、複数の容量は、第1電極と、第1電極に接している第1誘電体と、第1誘電体に接している第2電極と、第2電極に接している第2誘電体と、第2誘電体に接している第3電極とをそれぞれ有しており、第2電極は、第1電極及び第3電極と重なっており、第2電極は、第1電極及び第3電極と重なっている部分において開口部を有しており、第2電極が有する開口部において、第1誘電体及び第2誘電体にコンタクトホールが形成されており、コンタクトホールを介して第1電極と第3電極が接続されていることを特徴とするD/A変換回路。
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