【課題】半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的に透明な板状の第１の基材５としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用いその厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成した。続いて実質的に透明な板状の第２の基材３として同様にコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用いその厚さ方向の一方の面に実質的に透明な半導体回路２を形成した。カラーフィルターが第１の基材５の反対側に臨む面と、第２の基材３が半導体回路２の反対側に臨む面とを向かい合わせた状態で、第１の基材５の前記フィルター配列パターンと第２の基材３の半導体回路２とを位置合わせし、第１の基材５と第２の基材３をカラーフィルター４を介して重ね合わせて接合した。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上した、速い応答時間の薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】光による照射に対して感光性を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であって、光による照射はトランジスタの特性を高め、かつトランジスタ状態のパラメータを制御する。トランジスタは、絶縁基板と、ソース電極と、ドレイン電極と、トランジスタのチャネルを形成する第１の半導体材料と、ゲート電極と、ゲート電極および半導体層の間の絶縁層を含む。第２の半導体材料が、半導体層ならびにソース電極およびドレイン電極の少なくとも一つの間に電気的に接続されて配置される。第２の半導体材料は光導電性である。 （もっと読む）

本発明は、基板上に金属からなる第１電極、１層以上の有機物層、および第２電極を順次形成するステップを含む有機電子素子の製造方法であって、１）前記有機物層を形成する前に前記第１電極上に前記第１電極より酸化率の高い金属を用いて層を形成するステップ、２）前記第１電極より酸化率の高い金属を用いて形成した層を酸素プラズマ処理して金属酸化物層を形成するステップ、および３）前記金属酸化物層を不活性気体でプラズマ処理して除去するステップ、を含む有機電子素子の製造方法およびその方法によって製造された有機電子素子を提供する。
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【課題】塗布プロセスで製造でき、トランジスタ特性が良好で、酸素に対して安定で経時劣化が十分抑制された有機半導体材料、有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】下記一般式で表される化合物を含有する有機半導体材料。
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本発明は、ポリアリレートを含む有機薄膜トランジスタのゲート電極絶縁膜形成用組成物、およびその組成物からなる、有機半導体チャネルと接するゲート絶縁膜を含む有機薄膜トランジスタを提供する。
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【課題】製造工程数を減らして製造費用を節減した有機ＴＦＴアレイ基板及びその製造方法を得る。
【解決手段】本発明の有機ＴＦＴアレイ基板は、基板１５１上に形成されたデータライン及びデータラインに交差するゲートライン１５２と；データラインに接続されたソース電極１６０と；ソース電極１６０から一定間隔に離隔されたドレイン電極１６２と；ソース電極１６０とドレイン電極１６２とが離隔された領域にチャネルを形成するための有機半導体層１６４と；有機半導体層１６４上に形成されるゲート電極１５８と；有機半導体層１６４とゲート電極１５８との間に形成される有機ゲート絶縁膜１７４と；ゲート電極１５８を形成するためにゲート電極上１５８に形成されたゲートフォトレジストパターン１７５と；ドレイン電極１６２に接続された画素電極１７６とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、透過型液晶表示装置、半導体回路の製造方法および透過型液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的に透明な基材３としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用い、その一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成し、その上に透明樹脂からなるオーバーコートを付与してから、カラーフィルター層の上に保護フィルムを貼った。基材３が前記カラーフィルターの反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンに位置合わせして設けた。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ特性に優れた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されておりチャンネル領域を介して離隔配置されているソース電極およびドレイン電極と；前記ソース電極および前記ドレイン電極を少なくとも一部分露出させながら、前記チャンネル領域を囲んでいる開口領域を定義する隔壁と、前記チャンネル領域を覆っており、結晶粒の大きさが互いに異なる第１サブ層と第２サブ層を有する有機半導体層と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体回路とカラーフィルターの位置合わせが容易な構造体、反射型表示装置、半導体回路の製造方法および反射型表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 実質的に透明な板状の基材３としてコーニング社製無アルカリガラス１７３７(厚さ０.５mm)を用い、その厚さ方向の一方の面にR(赤)、G(緑)、B(青)のカラーフィルター層４を形成し、そのうえに透明樹脂からなる保護層を形成した。前記カラーフィルターが基材３の反対側に臨む面に、実質的に透明な薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに導通される電気的接点を有する実質的に透明な導電材料によって構成される配線とを有する半導体回路を、前記フィルター配列パターンと位置合わせを行って設けた。 （もっと読む）

【課題】保持容量の単位面積当たりの容量値を高めるための構成を利用して、ゲート絶縁
層の下層側に形成された下層側導電層への電気的な接続を効率よく行うことのできる電気
光学装置の製造方法、電気光学装置、およびこの電気光学装置を備えた電子機器を提供す
ること。
【解決手段】液晶装置の素子基板１０を構成するにあたって、ゲート絶縁層４の厚い下層
側ゲート絶縁層４ａを形成した後、ドライエッチングにより下電極３ｃと重なる部分およ
び下層側導電層層接続用コンタクトホール８９の形成領域の下層側ゲート絶縁層４ａを除
去する。次に、薄い上層側ゲート絶縁層４ｂを形成し、この上層側ゲート絶縁層４ｂを保
持容量１ｈの誘電体層４ｃとして用いる。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で高性能な薄膜トランジスタを製造する有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】有機半導体層と、有機半導体層内のチャネル領域に対向するように形成されたゲート電極と、チャネル領域を挟むソース電極及びドレイン電極とを具備してなる有機薄膜トランジスタの製造方法において、有機半導体層は、ソース電極及びドレイン電極を覆うように有機半導体からなる層を設ける工程と、チャネル領域に相当する有機半導体からなる層上に保護層を設ける工程と、有機半導体からなる層に、活性エネルギー線を照射することにより有機半導体を除去する工程、を経て形成されることを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れ、大気中あるいは高湿度下においても経時安定性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、有機半導体層、ソース電極及びドレイン電極を有する有機薄膜トランジスタにおいて、前記有機半導体層の膜密度が１．１５〜１．３３ｇ／ｃｍ³であることを特徴とする有機薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】 従来の有機TFTに比べチャネルを伝導するキャリアの移動度が大きな値を持つTFTの製造方法を提供すること。
【解決手段】 基板上にパターニングしたゲート電極が設けられ、前記基板上および前記ゲート電極上にゲート絶縁膜が設けられ、
前記ゲート絶縁膜上にソース電極およびドレイン電極が離間して設けられ、
前記ソース電極と前記ドレイン電極との間にはチャネルとなるべき領域が設けられ、
その領域と、前記ソース電極又は前記ドレイン電極のいずれか一方との境界線は直線状であり、
前記その領域と、前記ドレイン電極又は前記ソース電極のいずれか一方との境界線は非直線状であり、かつ、その境界線は連続的又は不連続的な形状であって、かつ、その境界部分は複数個の凹部を有し、
前記その領域表面は親水性を有し、前記その領域の周囲領域は撥水性を有する部材を準備し、
前記その領域に有機分子を含有した溶液を供給し、前記溶液を乾燥することを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層以外の絶縁層を誘電体層として利用することにより、保持容量の耐
電圧や静電容量のばらつきを小さく抑えることのできる電気光学装置、電子機器、および
電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の素子基板１０では、画素電極２ａにおいて下電極３ｃにパッシベ
ーション膜８を介して対向する部分を保持容量１ｈの上電極として用いる。保持容量１ｈ
において、画素電極２ａと下電極３ｃとの間には、ゲート絶縁層４が厚さ方向の全体にわ
たって除去された第１の除去領域４ｃが形成されている、また、下層側導電層層接続用コ
ンタクトホール８９の形成領域には第２の除去領域４ｆを形成する。 （もっと読む）

【課題】有機半導体層をシャドーマスクなしに製造すると同時に、有機半導体層が化学薬品からの損傷を防ぐ液晶表示装置用アレイ基板及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の液晶表示装置用アレイ基板は、ゲート電極を露出させるゲートコンタクトホール２４３を有し、感光性有機絶縁物質で構成される第１保護層と、第１保護層の上部に形成され、ゲートコンタクトホール２４３を通じてゲート電極と接触してデータ配線と交差して画素領域を定義し、第２金属で構成されるゲート配線２５０とを含み、有機半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極２３５は、同一形状であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】塗布膜から、簡便に、キャリア移動度の高い良好な結晶性有機半導体薄膜を提供し、またこれを用いた有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上に有機半導体材料溶液を供給、塗布して有機半導体薄膜を形成する場合に、有機半導体薄膜に、０．５μｍ以上１００μｍ以下の短辺をもつ線状の非被膜部が存在させることにより単一結晶性領域を形成しやすくし異方性結晶の形成による不整合をなくし分子配列の歪や乱れによるキャリア移動度低下のない有機半導体薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】第１の目的は、簡便なウェットプロセスで製造でき、トランジスタ特性に優れた有機半導体膜及び該有機半導体膜を用いた有機薄膜トランジスタを提供することであり、第２の目的は、大気中あるいは高温、高湿度下においても経時安定性に優れた有機薄膜トランジスタを提供することである。
【解決手段】比誘電率ε_rが１．８〜１２．０である有機溶媒を１×１０^-2〜１×１０³ｐｐｍ含有することを特徴とする有機半導体膜。 （もっと読む）

【課題】塗布法によってキャリア移動度の高い有機半導体層を形成できる有機半導体膜の形成方法、及び該有機半導体膜の形成方法によって形成される有機半導体膜を有する有機薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】有機半導体材料を含む塗布液を基板の上に供給、塗布して、乾燥させることにより有機半導体膜を形成する有機半導体膜の形成方法において、該有機半導体材料を含む塗布液の供給から乾燥の間に、塗布液供給領域内に５℃以上１００℃以下の温度差を有することを特徴とする有機半導体膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタ及びこの製造方法、並びにこれを利用した表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の有機薄膜トランジスタは、ベース基板上に形成された酸化膜と、前記酸化膜上に配置され、第１ソース電極部及び第２ソース電極部を有するソース電極と、前記酸化膜上に配置され、第１ドレイン電極部及び前記第２ソース電極部と隣接するように配置された第２ドレイン電極部を有するドレイン電極と、前記第２ソース電極部及び前記第２ドレイン電極部を露出させる開口部を有する有機膜パターンと、導体または不導体の特性を有し、前記開口部を介して前記第２ソース電極部及び前記第２ドレイン電極部を電気的に接続する有機半導体パターンと、前記有機半導体パターンを覆うゲート絶縁膜と、前記有機半導体パターンと対応する前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ用途に有用な有機半導体材料を分子設計し、得られた有機半導体材料を用いて、高いキャリア移動度を示し、ＯＮ／ＯＦＦ比が高く、且つ、高耐久性（酸化安定性及び経時安定性向上）を併せ持つ、有機半導体膜、有機半導体デバイス及び有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】２環以上の芳香環が共役をもって直接または間接的に連結した部分構造または２環以上の芳香環が縮合した部分構造を有する化合物を含有する有機半導体材料において、該化合物が、下記一般式（ａ）で表される置換基を少なくとも１つ有することを特徴とする有機半導体材料。
【化１】
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