【課題】 簡素な工程にも拘わらず、Ｃｒ膜又はＡｌ膜から成る電極とコンタクトホールに形成される透明導電膜との間のコンタクト抵抗を低減できるアクティプマトリクス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁層１３，１５中の異なる深さ位置に在るフッ素を含むガスを用いたドライエッチングにより揮発しない金属膜１２，１４にそれぞれ達するように１マスクプロセスによって複数のコンタクトホールを形成するアクティブマトリクス基板の製造方法であっつて、ＣＨＦ３とＣＦ４とＯ２との混合ガスを用いてドライエッチングを行って複数のコンタクトホールを形成する工程と、複数のコンタクトホールに対して酸素アッシングを行う工程と、複数のコンタクトホール内に透明導電膜を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で、コスト削減が可能な半導体装置の作製方法を提供する。また、レジストを用いずとも所望の形状の半導体層を有する半導体素子を有する半導体装置の作製方法を提供する。また、基板上に形成された配線の欠陥を修正する際の効率を上げ、歩留まり及び量産性を高めることが可能な半導体装の作製方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する基板の一方の面に光吸収層を形成し、透光性を有する基板の他方の面側からマスクを介してレーザビームを光吸収層に照射する。当該照射により、レーザビームのエネルギーが光吸収層に吸収される。当該エネルギーによる光吸収層内における気体の放出や光吸収層の昇華等により光吸収層の一部を解離させ、透光性を有する基板から光吸収層の一部を剥離させ、対向する基板上に選択的に光吸収層の一部を転写し、基板上に層を形成する。 （もっと読む）

ピクセル回路およびピクセル回路を作成する方法、撮像装置および光変換装置を含む処理システム、光変換装置から電荷を受け取り、蓄積するためのフローティング拡散領域、ならびにピクセルの動作に使用するための透明トランジスタであって、透明トランジスタは少なくとも部分的に光変換デバイスを覆い、それによって、光変換デバイスは透明トラジスタを通して通過する光を受け取る。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクやレジストを使用することなく、薄膜加工を簡単な工程で精度良く行う方法、また、低コストで半導体装置を作製する方法を提案する。
【解決手段】基板１００上に第１の層１０１を形成し、第１の層１０１上に光吸収層１０３を形成し、光吸収層１０３に選択的にレーザビーム１０５を照射する。光吸収層１０３がレーザビーム１０５のエネルギーを吸収することで、光吸収層１０３内における気体の放出、光吸収層１０３の昇華または蒸発等により、一部が物理的に解離する。即ち、光吸収層の一部にレーザビーム１０５を照射し、当該照射領域の一部を除去する。残存する光吸収層１１３をマスクとして用いて、第１の層１０１をエッチングすることにより、従来のフォトリソグラフィー技術を用いずとも、第１の層１０１を所望の場所及び形状に加工することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板の表示領域の外側にあるアモルファスシリコンを脱水素化、多結晶シリコン化させる際の、多結晶シリコンの質を向上させる。
【解決手段】 前記基板の表示領域にアモルファスシリコンを用いたＴＦＴ素子を有する複数の画素を形成するとともに、該表示領域の外側に、多結晶シリコンを用いた複数個の半導体素子を有する駆動回路を形成する表示装置の製造方法であって、前記駆動回路を形成する領域およびその周辺領域のアモルファスシリコンのみを第１の連続発振レーザを照射して脱水素化した後、前記脱水素化された領域のみに第２の連続発振レーザを照射して前記アモルファスシリコンを多結晶シリコンにし、前記第１の連続発振レーザを照射する領域は、前記第２の連続発振レーザを照射する領域よりも広い表示装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】可撓性表示装置用表示板の製造方法を提供する。
【解決手段】表示板を製造する方法は、可撓性絶縁基板上にゲート線を形成する段階、ゲート線上にゲート絶縁膜を積層する段階、ゲート絶縁膜上に半導体層を形成する段階、そして半導体層上にソース電極を含むデータ線及びドレーン電極を形成する段階を含み、半導体層を形成する段階は１００℃〜１８０℃の温度でプラズマ強化化学気相蒸着により遂行することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、絶縁層の照射領域を除去し絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】光吸収層を形成し、光吸収層上に絶縁層を形成し、光吸収層及び絶縁層に選択的にレーザ光を照射し、光吸収層の照射領域及び絶縁層の照射領域を除去し光吸収層及び絶縁層に開口を形成し、開口に光吸収層と接するように導電膜を形成する。露出した光吸収層と接するように開口に導電膜を形成することによって、光吸収層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。 （もっと読む）

【課題】表示パネルと同一基板上に音源素子を駆動回路も内蔵可能に搭載した画像表示装置を置提供する。
【解決手段】ポリシリコンの薄膜トランジスタＰＴＦＴが形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）基板５００に画素を構成する薄膜トランジスタＰＴＦＴと、発熱層７００と断熱層７０１および放熱層７０２の積層構造からなる音波発生デバイスＳＰ０１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電界効果トランジスタの特性に精度よくフィッティングし、従来のシリコン系の複雑な電流モデル式に比べて簡便な電流モデル作成方法を提供する。
【解決手段】電界効果トランジスタのドレイン電流のシミュレーションに用いられる電流モデルを実測の電流-電圧特性データから求めるための電流モデル作成方法であって、電流モデルは、ドレイン電流の主要部となる第１の電流項、ドレイン電流の立ち上がりに関する第２の電流項、およびリーク電流に関する第３の電流項の３つの電流項の和からなるものである。 （もっと読む）

【課題】静電気からスイッチング素子などの破壊を防止するために走査配線同士及び／又は信号配線同士を接続する保護回路を、少ないフォトリソグラフィ工程でスイッチング素子と同時に形成することができるアレイ基板の製造方法を提供することである。
【解決手段】走査配線２ａ同士及び／又は信号配線３ａ同士を半導体膜１０で接続して保護回路５，６とする簡易な構成を採用すると共に、信号配線３ａに供される導電膜３とスイッチング素子８に供される半導体膜１０とを同時にパターニングする場合において、導電膜３上に所定のパターンのレジストを形成するに際し、保護回路５，６領域のレジスト１３，１４の所定部位の厚みｔ２，ｔ３を薄く形成すると共に、スイッチング素子８領域のレジスト１２の所定部位の厚みｔ１を保護回路領域５，６のレジスト１３，１４の薄肉部１３ａ，１４ｂの厚みｔ２，ｔ３よりも薄く形成する。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い表示装置又は素子の面積の大きい半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】隣接する画素電極（又は素子の電極）の間に設けられた配線との下方にマルチゲート構造のＴＦＴのチャネル形成領域を設ける。そして、複数のチャネル形成領域のチャネル幅の方向を前記画素電極の形状における長尺方向と平行な方向とする。また、チャネル幅の長さをチャネル長の長さよりも長くすることでチャネル形成領域の面積を大きくする。 （もっと読む）

【課題】フォトリソ工程を簡便に削減できるパター形成方法を考案し、液晶表示装置の製造工程を大幅に削減できるＴＦＴの新しい製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。そして、このレジストマスクを用いたリフトオフの方法で導電体膜のパターン形成を行う。あるいは、別に形成した膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクをエッチングマスクにして積層した材料膜のうち複数の材料膜を順次に加工する。このような新規なパターン形成方法および加工方法により、従来の技術で５回のフォトリソ工程で製造していた液晶表示装置を２回あるいは３回のフォトリソ工程で製造する。 （もっと読む）

【課題】フォトマスクを使用することなく、微細な加工パターンを高い位置精度で形成する方法、代表的には半導体装置を製造する工程の中でのコンタクト開口に関する方法を提示する。
【解決手段】基板上に薄膜を形成し、薄膜上に層間絶縁膜を形成し、層間絶縁膜及び薄膜に開口部を形成する位置と重なる領域に液滴吐出法によりレンズ材料となる液状物質を着弾させマイクロレンズを形成し、レーザ光をマイクロレンズに照射し薄膜に集光することにより、薄膜及び層間絶縁膜の一部を除去して開口部を形成する。 （もっと読む）

【課題】特に高精細、高開口率の表示装置用基板を作製するに際し、画素電極と走査線、信号線等の配線との短絡によるリーク欠陥を低減して、高い表示品質及び歩留りを実現することができる表示装置用基板、その製造方法、及び、それを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁性基板上に、走査線、信号線及びスイッチング素子を備え、更に層間絶縁膜及び画素電極を備えた表示装置用基板であって、上記スイッチング素子は、走査線と信号線とが交差する交差部に設けられ、走査線に接続されたゲート電極と、信号線に接続されたソース電極と、画素電極に接続されたドレイン電極とを有し、上記層間絶縁膜は、スイッチング素子のドレイン電極と画素電極とを接続させるコンタクトホールを有し、上記表示装置用基板は、走査線及び／又は信号線の上層、特に走査線と画素電極とが基板面垂直方向から見て重なっている領域に保護層が設けられたものである表示装置用基板である。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械式装置が有する微小構造体と電気回路とを同一の絶縁表面上に同一工程を経て作製する。
【解決手段】微小電気機械式装置は、絶縁表面を有する基板上にトランジスタを有する電気回路と、微小構造体を有する。微小構造体とトランジスタとは、絶縁層と半導体層の積層体を有する。すなわち、構造層は、ゲート絶縁層と同じ絶縁膜から形成された層を含み、かつトランジスタの半導体層と同じ半導体膜から形成された層を含む。さらに、微小構造体は、トランジスタのゲート電極、ソース電極、ドレイン電極に用いられる導電層を犠牲層に用いることで作製される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ特性の向上した表示装置を提供する。
【解決手段】本発明は表示装置とその製造方法に関するものであって、本発明による表示装置は絶縁基板と、絶縁基板上に形成されておりシリコンおよびフッ素を含む半導体層と、少なくとも一部が半導体層上に形成されるソース電極と、少なくとも一部が半導体層上に形成されておりソース電極とチャンネル領域を介して離隔されているドレイン電極と、半導体層とソース電極の間および半導体層とドレイン電極の間に形成されるオーミックコンタクト層と、半導体層上に形成される絶縁膜とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ピクセル口径比（開口率）を増大し、静電容量性クロストークを減少させたＴＦＴアレイ、およびそのＴＦＴアレイを有するアクティブ・マトリックス方式の液晶ディスプレイ、および製造方法を提供すること。
【解決手段】複数のコンタクト・バイアスあるいは開口部を有するフォトイメージ形成型絶縁層をアドレス線とピクセル電極間に設け、両者を重複可能とする。この絶縁層により静電容量性クロストークを減少し、かつピクセル開口率を増加させる。フォトイメージ形成型絶縁層の厚さは、前記重複領域で約１．５μｍから２．５μｍであり、前記液晶ディスプレイは少なくとも約６５％のピクセル口径比と約４０から５００μｍのピクセル間隔を有する。 （もっと読む）

【課題】近年、基板上に様々の透明酸化物半導体素子が試作されており、なかでも電気伝導性が高いインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）が透明電極としてよく使われている。多くの場合、基板上に成膜されたＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ等を含み構成される透明酸化物半導体膜をエッチングする過程又はエッチング終点において、前記膜はＩＴＯ層又は他のインジウムを含む酸化膜と共存する。その際、半導体素子性能の安定するために、酸化物積層構造の選択性エッチング方法が必要になる。本発明は、物質の違いによって顕著にエッチング速度が異なり、高選択性エッチングの出来るエッチング液を用いたインジウムを含む酸化物エッチング方法を提供する。
【解決手段】酢酸、有機酸、塩酸又は過塩素酸のいずれか一種を含むエッチング液を利用することを特徴とする前記インジウムを含む酸化物膜の選択性エッチング方法を提供する。ここで、前記有機酸はクエン酸を含む。 （もっと読む）

【課題】走査線に印加される電圧に起因する焼き付き防止手段を備えた横電界方式、つま
りＩＰＳモードないしＦＦＳモードの液晶表示パネルを提供すること。
【解決手段】平行に設けられた複数の走査線１２及びコモン配線１３と、前記走査線１２
と直交する方向に設けられた複数の信号線１７と、複数の前記走査線１２及び信号線１７
で区画された領域に形成された共通電極１４及び画素電極２１と、を有する横電界方式の
液晶表示パネルにおいて、前記走査線１７上の絶縁膜の表面の少なくとも一部は導電性材
料からなるシールド電極２２により被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）