【課題】 スイッチングトランジスタ領域のＳｉ−Ｈ結合が安定し、誘電体キャパシタ領域の強誘電体酸化膜に酸素欠損が発生しない半導体装置、その製造方法及びそれを使用した電子機器を提供する。
【解決手段】 ガラス等の基板１上に形成されたポリシリコン薄膜にソースドレイン拡散層４とチャネル領域３が形成され、更に、ゲート絶縁膜５を介してゲート電極６が形成されている。そして、層間絶縁膜８上に水素化窒化シリコン膜１１が形成されており、これにより、スイッチング用薄膜トランジスタ７を含む能動素子領域の水素濃度を高く保つことができ、シリコン薄膜におけるＳｉ−Ｈ結合が安定する。また、水素化窒化シリコン膜１１の上に導電性酸化膜により形成された下部電極１２を介して強誘電体膜１３を設けることにより、強誘電体容量素子層の酸素濃度を高く保つことができ、強誘電体膜１３における酸素欠損の発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 高速な応答特性を有する薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，ＢにＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置され、ゲート電極が形成された基板上に堆積し、該ゲート電極に対応するようにＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 基板にダメージを与えることなく酸化亜鉛等の膜を形成することができる膜形成方法等を提供する。
【解決手段】 成膜室１２４内で、対向して配置され、少なくともその一方が高純度の亜鉛からなる一組のターゲットＡ，Ｂに、ＤＣ電圧を印加し、両ターゲットＡ，Ｂ間に発生させたプラズマによりスパッタリングする。スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置された基板上に堆積し、該基板表面にＺｎＯ膜を形成する。 （もっと読む）

後に絶縁層およびシリコン薄膜が形成される基板中のシリコン薄膜の焼鈍方法が開示される。本方法は、基板が処理中に変態しない温度範囲内でシリコン薄膜を加熱または予備加熱して、そこに内因性キャリヤを生成させることにより、抵抗をジュール加熱が可能な値に低下する工程；および予備加熱されたシリコン薄膜に電界を印加して、ジュール加熱をキャリヤの移動によって引き起こすことにより、結晶化を行い、結晶欠陥を排除し、結晶成長を確実にする工程を含む。本方法を用いると、予備加熱条件に従って、ａ−Ｓｉ薄膜、ａ−Ｓｉ／ポリ−Ｓｉ薄膜またはポリ−Ｓｉ薄膜にジュール加熱が選択的に引き起こされ、それによって良好な品質のポリ−Ｓｉ薄膜が、非常に短時間に、基板を損傷することなく作製される。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタを備えた平板表示装置を提供する。
【解決手段】 各駆動薄膜トランジスタの活性層の結晶粒の差によって、そして、駆動薄膜トランジスタの活性層のサイズを変更せずホワイトバランスを合せ、各副画素に最適の電流を供給することによって適正な輝度を得、寿命を短縮させないようにするためのものであって、自己発光素子を備えた複数の副画素を含む画素と、前記各副画素に備えられて少なくともチャンネル領域を有する半導体活性層を備え、前記自己発光素子に各々接続されて電流を供給するものであって、前記活性層の少なくともチャンネル領域が前記副画素別にその結晶粒のサイズまたは形状が相異なるように備えられた駆動薄膜トランジスタと、を含むことを特徴とする平板表示装置。 （もっと読む）

【課題】 短い時間で良質の結晶成長をなすことができるポリシリコンの結晶化方法を提供する。
【解決手段】 非晶質シリコン薄膜が蒸着された基板１１０にあって、固定手段とレーザー発生装置間の遮断領域と階段状の透過領域で構成されたマスクにレーザービームを照射して、前記非晶質シリコン薄膜に照射された領域が溶融した領域との界面でグレーンが各々成長して、第１グレーン領域１１４ａと核生成領域と第２グレーン領域１１４ｂで構成された階段状の領域を形成する第１結晶化段階と；前記マスクを横長さだけ移動して、同一な照射した後に再結晶化して、重畳された部分のグレーンが成長して、横方向に新しい結晶領域が形成される第２結晶化段階を含む方法。 （もっと読む）

【課題】 電気特性の優れた多結晶ＴＦＴを提供する。
【解決手段】多結晶膜３を堆積させる工程、堆積した多結晶膜のうち所望の位置４のみを残すようにエッチングする工程、残された部分的な多結晶膜の中で所望の結晶方位の結晶粒５だけを、しかも所望の結晶面（ファセット）６を出した状態になるように異方性エッチングする工程、さらに、こうして得られた結晶核の上に膜を堆積し結晶化させる工程を用いる。 （もっと読む）