【課題】動作特性を損なうことなく短チャネル化及び微細化を行うことができる有機又は無機トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。
【解決手段】有機トランジスタは、基板１の表面に形成された導電層２上の絶縁層３及びそれを含む内面に形成される。導電層２は、ソース又はドレイン電極６に接続される。ゲート電極４は、絶縁層３上にある多孔質金属膜内にあり、ゲート絶縁膜５は、ゲート電極４を覆うようにして形成される。有機半導体層７は、ソース又はドレイン電極６とドレイン又はソース電極８との間に挟まれ、有機トランジスタのチャネルは、有機半導体層７とゲート絶縁膜５との界面に垂直方向に形成される。 （もっと読む）

【課題】 トランジスターの金属層間の静電気を防止できるようにしたトランジスターとその製造方法及び発光表示装置を提供する。
【解決手段】 上記課題を解決するために，本発明に係る発光表示装置の代表的な構成は，第１幅Ｗ１で形成される半導体層１５０と，少なくとも一つの第１金属層１５６と，上記第１金属層１５６と交差して第２幅Ｗ２で形成される第２金属層１５８とを有し，少なくとも上記半導体層１５０と上記第２金属層１５８が重畳される位置において，上記半導体層１５０の第１幅Ｗ１が，上記第２金属層１５８の第２幅Ｗ２より広いことを特徴とする。これによりソース／ドレイン金属層が半導体層の内側に位置するようになり，ゲート金属層にチップが発生しても静電気を防止することができる。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを用いたディスプレイを目的とする。特に、ナノワイヤ画素トランジスタ、ナノワイヤロウトランジスタ、ナノワイヤカラムトランジスタおよびナノワイヤエッジ電子回路を用いた液晶ディスプレイについて説明する。ナノワイヤ画素トランジスタは、液晶を含む画素に印加される電圧制御に使用される。１対のナノワイヤロウトランジスタに接続されたロウトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタをオン／オフするために使用される。ナノワイヤカラムトランジスタは、ナノワイヤカラムトランジスタに接続されたコラムトレースに沿って配置されたナノワイヤ画素トランジスタ全面に印加される電圧を制御するために使用される。
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本発明は、印刷可能半導体素子を製造するとともに、印刷可能半導体素子を基板表面上に組み立てるための方法及びデバイスを提供する。本発明の方法、デバイス、デバイス部品は、幅広いフレキシブル電子デバイス及び光電子デバイス並びにデバイスの配列を高分子材料を備える基板上に形成することができる。また、本発明は、伸張形態で良好な性能が得られる伸縮可能な半導体構造及び伸縮可能な電子デバイスも提供する。 （もっと読む）

有機物を含有する半導体層（１５）と、少なくとも互いに電気的に非接触である第一電極（１６）、第二電極（１２）及び第三電極（１４）を含む電界効果トランジスタであって、半導体層（１５）の上方に第一電極（１６）が配置され、半導体層（１５）の下方に第二電極（１２）が配置され、半導体層（１５）の側方に第三電極（１４）が配置され、半導体層（１５）は第一電極（１６）、第二電極（１２）及び第三電極（１４）から選ばれるいずれか２つの電極と電気的に接合され、各電極（１２，１４，１６）間には電気的絶縁体層（１３，１７）を介在させ、第一電極（１６）は半導体層（１５）の上方を半導体層（１５）の外周部より外側にはみ出して覆っている。これにより、有機半導体を用いた電界効果トランジスタであっても、空気や水に強く、かつ長寿命な電界効果トランジスタ及びそれを用いた表示装置を提供する。 （もっと読む）

本発明は、半導体構成用の構造に関する。半導体を含む溶液の堆積を補助するレジスト構造は、直接、あるいは介在層を介して基板に結合される。このレジスト構造は、半導体を含む溶液（３０９）を堆積するくぼみ（３０１）と、くぼみ（３０９）の縁部の少なくとも一部に整列し、突出部（３０７）によってくぼみ（３０９）から分離した溝（３０５）とを備える。好ましくは、溝（３０５）は、くぼみ（３０９）を取り囲む。この溝により、半導体を含む溶液を固定する作用が得られ、それによって濡れ性が改善し、それにしたがって、より大きな体積の半導体を所与の区域に付着させることができる。
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