Fターム[5F110HK17]の内容
薄膜トランジスタ (412,022) | ソース、ドレイン−低抵抗層 (42,553) | 材料 (26,322) | 材料の特性が規定 (425)
Fターム[5F110HK17]に分類される特許
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電子素子の製造方法および電子素子
【課題】 有機半導体層との相性のよい電極を形成した電子素子の製造、及びその製造方法により製造された電子素子を提供する。
【解決手段】 基板上に有機半導体及び/または有機導電体の前駆体の層を形成し、該層を加熱して、有機半導体及び/又は有機導電体の前駆体を有機 半導体及び/または有機導電体とすることにより、パターニングされた電極を形成することを特徴とする電子素子の製造方法、及び該製造方法により製造された電子素子。
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適切なソース、ドレイン及びチャネル材料を有する電界効果トランジスタとそれを有する集積回路
ノーマリーオンのトランジスタはソース(10)、ドレイン(11)及びチャネル(7)を備える。ソース、ドレイン及びチャネル材料は、NMOS型トランジスタではドレイン材料の電子親和力Xdがチャネル材料の電子親和力Xcより低く、ソース材料の電子親和力Xsがチャネル材料の電子親和力Xcより高くなるように(Xd<Xc<Xs)選択される。さらに、PMOS型トランジスタではドレイン材料の価電子帯の上限Edがチャネル材料の価電子帯の上限Ecより高く、ソース材料の価電子帯の上限Esがチャネル材料の価電子帯の上限Ecより低くなるように(Es<Ec<Ed)材料が選択される。
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高分子酸コロイドを用いて生成した電子用途向け水分散性ポリピロール
少なくとも1種のポリピロールおよび少なくとも1種のコロイド形成性高分子酸の水性分散液を含む組成物が、このような組成物の製造方法で得られる。新規な組成物は、有機発光ダイオードディスプレイなどの有機電子デバイス、メモリ記憶装置、電磁遮蔽、エレクトロクロミックディスプレイ、薄膜トランジスタ、電界効果抵抗デバイスをはじめとする電子デバイスにおいて有用である。
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トランジスタの製造方法
ソース・ゲーティッドトランジスタの製造方法が提供される。ゲート(4)が基板上に設けられ、続けてゲート絶縁膜(6)及び半導体層(8)が設けられる。層は、フォトレジスト(12)、及びマスクとして機能するゲート(4)を用いた基板(2)を介しての背面照明を用いて、ソースをゲート(4)に揃えるようにパターン形成される。ソースとドレインとの間隔もまた、スペーサ技術を用いて自己整合され得る。
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両極性発光電界効果トランジスタ
トランジスタのチャネル長を規定する長さLによって分離される電子注入電極及び正孔注入電極と接触する有機半導体層を備え、発光元の有機半導体層の領域は、電子注入電極及び正孔注入電極の両方からL/10より離れている両極性発光トランジスタ。
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