【課題】 液滴吐出法を用いてゲート配線あるいはゲート配線と同一工程で形成される配線を形成しかつ絶縁膜を薄膜化した場合における絶縁不良を防止する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ３０の少なくともゲート電極４１を兼ねるゲート配線４０の形成方法であって、上記ゲート配線４０の構成材料を含む液体材料を液滴として吐出する液滴吐出法を用いることによって、上記ゲート配線４０の一部４１を他の上記ゲート配線４０の部分よりも薄く形成する。 （もっと読む）

【課題】 環境温度が変化したり、経時変化が生じたりすると、輝度にバラツキが生じてしまう。本発明は、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、環境温度の変化の補償機能と経時変化の補償機能を備えた表示装置である。本発明の表示装置は、発光素子と、発光素子に接続する駆動用トランジスタと、モニタ用発光素子とを備えている。このモニタ用発光素子を利用して、環境温度の変化と経時変化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、保護膜なしに薄膜トランジスタを保護すると共に、製造コストを低減できる薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタアレイ基板は、ゲートラインに接続されたゲート電極と、前記ゲートラインと交差して画素領域を定義するデータラインに接続されたソース電極と、前記ソース電極間に介在されたチャンネルに対向するドレーン電極と、前記チャンネルの半導体層と、前記画素領域に位置し、前記ドレーン電極と接触するように実際に全ての画素電極が前記ドレーン電極に重畳される画素電極と、前記チャンネルに対応する前記半導体層上に形成され、前記チャンネルの半導体層を保護するためのチャンネル保護膜とを備える。 （もっと読む）

【課題】 より高精細なパターンの形成が可能な、液滴吐出法を用いた半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】 パターンが形成されたモールドを絶縁膜に押し付けた状態で絶縁膜の硬化を行なった後、モールドを取り外すことで、絶縁膜に凹部を形成し、導電材料を有する液滴を吐出することにより、凹部に導電膜を形成し、導電膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に島状の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 （もっと読む）

【課題】異物や膜残り等によるソース電極とドレイン電極との短絡、ドレイン電極やドレイン引出配線の断線及びＴＦＴ動作不良等による画素欠陥に対して、開口率を減少させることなく、点欠陥となる画素を容易かつ確実に修正することができ、液晶表示装置の歩留りを向上させることができるアクティブマトリクス基板を提供する。
【解決手段】基板上に、複数本の走査信号線及びデータ信号線と、信号線の交点に設けられ、ゲート電極が走査信号線に接続され、ソース電極がデータ信号線に接続された薄膜トランジスタと、上記薄膜トランジスタのドレイン電極又はドレイン引出配線に接続された画素電極とを備えるアクティブマトリクス基板であって、上記アクティブマトリクス基板は、データ信号線が少なくとも部分的に複線化された構造を有し、かつ修正用接続電極を備えるアクティブマトリクス基板である。 （もっと読む）

本発明は、透明導電酸化物層を含む第1の電極、有機活性層、第2の電極、および高分子基板層を少なくとも含み、透明導電層が、少なくとも250℃の温度で、除去可能な基板層上、または除去可能な基板層上に事前に適用された一つまたは複数の透明層上に適用され、高分子基板層が適用されると、除去可能な担体が除去される、可撓性有機電子装置を作製するための方法を提供する。本発明は、この方法によって得られる可撓性有機電子装置をさらに提供する。 （もっと読む）

【課題】 ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、ＴＦＴを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートＴＦＴ構造を採用し、ソース領域１１９及びドレイン領域１２０のパターニングとソース配線１２１及び画素電極１２２のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 （もっと読む）