【課題】 WP工程でのトランジスタの特性変動やゲート酸化膜の劣化を低減する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、チャネル領域と前記チャネル領域を挟む拡散領域とを有する半導体層と素子分離層とが第１の絶縁層を介して支持基板上に形成され、半導体層上のチャネル領域に第２の絶縁層を介してゲート電極が形成されるＳＯＩトランジスタを有する半導体チップを有し、また、半導体チップの第１の面には、SOIトランジスタと電気的に接続された第１の電極パッドと、支持基板と電気的に接続された第２の電極パッドとを有する。
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【課題】絶縁表面を有する基板上に、均一に結晶成長した結晶性珪素膜を得る。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に微結晶性を有する珪素膜を形成し、前記微結晶性を有する珪素膜の表面に珪素の結晶化を助長する金属元素を接して保持し、加熱処理を行って前記微結晶性を有する珪素膜よりも結晶性の高い結晶性珪素膜を形成し、前記結晶性珪素膜の表面をエッチングし、前記結晶性珪素膜にレーザー光を照射した後、加熱処理を行う。また、前記金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素を用いる。 （もっと読む）

【課題】有機薄膜トランジスタの製造工程を減らすと共に、高解像度有機半導体層を実現することができる有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板と、ある一方向に延びた複数のゲート線と、前記ゲート線と絶縁されて交差する複数のデータ線と、前記データ線に接続されているソース電極と、前記ソース電極と対向するドレイン電極と、前記ドレイン電極に接続されている画素電極と、前記ソース電極と前記ドレイン電極に接続されており、感光性を有する有機物質からなる有機半導体層とを備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 高い開口率を得ながら十分な保持容量（Ｃｓ）を確保し、また同時に容量配線の負荷(画素書き込み電流)を時間的に分散させて実効的に低減する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１０６と異なる層に走査線１０２を形成し、容量配線１０７が信号線１０９と平行になるよう配置する。各画素はそれぞれ独立した容量配線１０７に誘電体を介して接続されているため隣接画素の書き込み電流による容量配線電位の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

プラスチック基板上にアモルファスSi層を形成し、前記アモルファスSi層をレーザ照射により結晶化して得られる結晶性Si層形成基板の製造方法において、前記レーザの発振波長の光に対する前記プラスチック基板の透過率が30〜100％であることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】光漏れ電流を防止することができる薄膜トランジスタ基板、これを含む液晶表示装置及びこのような薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】光漏れ電流を効果的に最小化する薄膜トランジスタ基板、これを含む液晶表示装置及び薄膜トランジスタの製造方法が提供される。薄膜トランジスタ基板は、ゲートラインとゲートラインと交差するデータラインを含んで、ゲートラインから絶縁基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に絶縁されて形成された半導体層と、ゲート電極と少なくとも一部分が重なってゲート電極の周囲に配置された光遮断膜と、データラインから形成されて半導体層と少なくとも一部分が重なるソース電極と、ゲート電極を中心にしてソース電極と対向して前記半導体層と少なくとも一部分が重なるドレイン電極を含むトランジスタ構造及びトランジスタ構造上に絶縁されてドレイン電極と電気的に接続された画素電極を含む。 （もっと読む）

【課題】信号線と画素電極との間のオーミック性を確保できるアレイ基板を提供する。
【解決手段】コンタクトホールを含む層間絶縁膜上に、真空雰囲気下でボトムチタン層21、中間アルミ層22、トップチタン層23およびトップコート層24を連続的に積層する。塩素系ガスを用いたドライエッチングにてパターニングして信号線13とする。信号線13を覆う層間絶縁膜上にパッシベーション膜25を積層してからコンタクトホール26を設けて画素電極27を積層する。画素電極27を信号線13のトップコート層24上に直接積層して電気的に接続する。信号線13のトップコート層24と画素電極27との接続がオーミック接触となる。
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【課題】 レーザ光の照射により安定して効率よく結晶粒の位置とその大きさを制御した大粒径結晶を有する多結晶半導体膜を形成し、さらにその多結晶半導体膜を薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作可能な薄膜トランジスタを実現する。
【解決手段】 固体レーザの基本波の照射により多結晶半導体膜を形成する工程を含む半導体装置の作製方法であって、絶縁表面を有する基板上に下地絶縁膜を形成し、下地絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜上に絶縁膜を形成し、絶縁膜上に島状に基本波の吸収が可能な光吸収層を形成し、基本波の照射により前記島状の光吸収層を選択的に加熱することによって、半導体膜を所定の方向に結晶成長させて多結晶半導体膜を形成する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フィラメント１５から放出された熱電子を、ボロン元素を含有する材料ガスの分子に衝突させてボロンイオンを生成する際に、フィラメント１５の劣化を抑制して寿命を長くし、劣化したフィラメント１５の交換に起因する稼働ロスを低減できるようにする。
【解決手段】フィラメント１５を加熱手段１６，２７によりボロンの融点よりも高い温度に加熱する。これにより、フィラメント１５上にボロンが固相となって堆積するのを未然に防止することができるので、ボロンとフィラメント材料との間の化学反応を抑制してフィラメント１５の化学的劣化を抑えることができ、よって、ボロンイオンとの関係において熱による物理的劣化よりも化学的劣化の方が支配的なフィラメント１５の寿命を長くする。 （もっと読む）

【課題】光路短縮型アレイレンズを用いることにより、レンズ間距離を小さくし、光路長を短縮した、エネルギー分布を均一化するビームホモジナイザ及びそれを用いたレーザ照射装置の提供。
【解決手段】ビームホモジナイザは、第２主点がビーム入射側前方に位置する光路短縮型前側アレイレンズと第１主点がビーム射出側後方に位置する光路短縮型後側アレイレンズと集光レンズとを備え、更に前記前側アレイレンズの第２主点と前記後側アレイレンズの第１主点との間隔を前記後側アレイレンズの焦点距離とした。光路短縮型アレイレンズには、２枚以上のアレイレンズで構成されるシリンドリカルレンズアレイ、フライアイレンズ等の合成アレイレンズ、又は前後両面に曲面を持つシリンドリカルレンズアレイ、フライアイレンズ、クロスドシリンドリカルレンズアレイ等の両面に曲面を持つアレイレンズを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】非接触でデータの送受信が可能な半導体装置は、鉄道乗車カードや電子マネーカードなどの一部では普及しているが、さらなる普及のためには、安価な半導体装置を提供することが急務の課題であった。上記の実情を鑑み、単純な構造のメモリを含む半導体装置を提供して、安価な半導体装置及びその作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】有機化合物を含む層を有するメモリとし、メモリ素子部に設けるＴＦＴのソース電極またはドレイン電極をエッチングにより加工し、メモリのビット線を構成する導電層とする。 （もっと読む）

【課題】 良好な電気的特性のトランジスタが得られるようにし、これによって半導体装置の微細化や高密度化を可能にし、さらには３次元に積み重ねることをも可能にした、半導体装置の製造方法とこの製造方法によって得られる半導体装置を提供する。
【解決手段】 基体１上に形成された結晶性半導体膜３のうち第１の部分以外の少なくとも第２の部分及び第３の部分に不純物を注入する第１の工程と、第２の部分および第３の部分にそれぞれソース及びドレインを形成する第２の工程とを備える。第２の工程において、少なくとも第２の部分および第３の部分に対して加熱処理を施すことにより、第１の部分の少なくとも一部をシードとする第２の部分及び第３の部分の固相エピタキシー過程を誘起する。 （もっと読む）

【課題】素子の高効率化およびコンパクト化が可能な，有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板３００上に半導体層３１０，ゲート電極３３０及びソース／ドレイン電極３５０，３５５を含む薄膜トランジスタ，及びソース／ドレイン電極３５０，３５５と接続される第１の電極３６０を同一層に形成し，第１の電極３６０上に積層され，少なくとも有機発光層を有する有機膜層３８０と，有機膜層３８０上に積層される第２の電極３９０とを含み，ソース／ドレイン電極及び第１の電極は，透明導電膜と，透明導電膜の下部に，０.１〜０.３原子％のＳｍ，０.１〜０.５原子％のＴｂ，０.１〜０.４原子％のＡｕ及び０.４〜１.０原子％のＣｕを含むＡｇ合金で形成される反射膜とを含んで形成される有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。 （もっと読む）

複数のアクティブエリア（１２、１４、１６）が電界領域（１８）によってそれぞれ分離された集積回路（１０、２５０）と、その集積回路（１０、２５０）の製造方法である。第１アクティブエリア（１２）と電界領域（１８）上に第１ポリシリコンフィンガー（２０）が形成され、第２アクティブエリア（１６）と電界領域（１８）上に第２ポリシリコンフィンガー（２２）が形成される。第１アクティブエリア（１２）と電界領域（１８）上に第１絶縁層（１６８）が形成され、第２アクティブエリア（１６）と電界領域（１８）上の第１絶縁層（１６８）の一部上に第２絶縁層（１７０）が形成される。第１の電気相互接続（１７５）は、第１ポリシリコンフィンガー（２０）上に第１ポリシリコンフィンガーから誘電的に絶縁されて形成され、第２電気相互接続（１７７）は第２アクティブエリア（１６）上に第２アクティブエリアから誘電的に絶縁されて形成される。第１電気相互接続（１７７）は第２ポリシリコンフィンガー（２２）に電気的に結合される。
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【課題】ＴＦＴのオフ電流を低減させる半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】平坦化絶縁膜上に形成された半導体層と、平坦化絶縁膜及び半導体層上に酸化窒化珪素膜を用いて形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に銅又は銅元素を主成分とする合金を用いて形成されたゲート電極と、ゲート絶縁膜及びゲート電極上に酸化窒化珪素膜を用いて形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されコンタクト部を介して半導体層に接続する画素電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置において、オン抵抗の増加抑制及び高耐圧化を両立する。
【解決手段】高耐圧半導体装置は、支持基板１０１と、絶縁膜１０２と、活性層１０３とを備えるＳＯＩ基板に形成され、活性層１０３に形成されたＮ型ウェル領域１０５及びＰ型ドレインオフセット領域１０４と、ウェル領域１０５上に形成されたＰ型ソース領域１０６と、ドレインオフセット領域１０４上に形成されたＰ型ドレイン領域１０８と、少なくとも活性層１０３のソース領域１０６及びドレインオフセット領域１０４に挟まれた領域上に形成されたゲート絶縁膜１１０と、ゲート絶縁膜１１０上に形成されたゲート電極１１１とを備えると共に、ドレインオフセット領域１０４の下に形成されたＮ型ディープウェル領域１１２を更に備え、ディープウェル領域１１２形成用Ｎ型不純物の濃度ピークは、ドレインオフセット領域１０４形成用Ｐ型不純物の濃度ピークよりも深い位置に存在する。 （もっと読む）

【課題】単結晶シリコン薄膜トランジスタの有機発光ディスプレイ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
単結晶シリコンチャンネルを有するスイッチングトランジスタとドライビングトランジスタとによる単結晶シリコン２Ｔ−１Ｃ構造の半導体回路部がプラスチック基板に形成される構造を有する有機発光ディスプレイである。本発明による単結晶シリコンの製造工程は、結晶成長板に単結晶シリコン及びバッファ層を形成した後、絶縁層上から水素イオンを注入して単結晶シリコン層から所定の深さに位置する分割層を形成する。単結晶シリコン層は、基板に付着され、分割層は、外部に加えられる熱エネルギーによって分割される。これにより、基板上に所定の厚さの単結晶シリコンフィルムを形成できる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜に高誘電体膜を用いても短チャネル効果の抑制を図る。
【解決手段】シリコン基板１０１と、このシリコン基板１０１上に形成されたゲート絶縁膜１０８と、このゲート絶縁膜１０８上に形成されたゲート電極１０９，１１０と、このゲート電極１０９，１１０を挟むようにシリコン基板１０１から形成され、シリサイド１１５，２０２からなるソース及びドレインとをそれぞれ具備したＮＭＩＳＦＥＴとＰＭＩＳＦＥＴとを具備する半導体装置であって、ゲート絶縁膜１０８の材料は高誘電体膜であること、及びゲート電極の材料は金属であることの少なくとも一方の条件を満たし、且つＮＭＩＳＦＥＴ及びＰＭＩＳＦＥＴを構成するシリサイドの材料は、それぞれ異なる。 （もっと読む）

【課題】不純物濃度を低減せずにドリフト部分の電界を緩和し高耐圧で低いオン抵抗の半導体装置を実現する。
【解決手段】絶縁性の半導体基板上に形成したボディ領域とドレイン領域の間に定格電圧を印加したとき、ボディ領域とドレイン領域の間に挟まれたｐ型とｎ型の２つのドリフト領域が完全に空乏化するように両者の厚さを選定する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＳ基板において単結晶シリコン層にかかる圧縮応力を緩和すること。
【解決手段】剛体である基板１２と、基板の第１主面１２ａに形成された凹部２２を充填して形成された応力緩和層１４と、第１主面の一部を被覆して、基板に形成された素子形成層１６とを備える。基板は、応力緩和層および素子形成層よりも熱膨張係数の大きな材料からなる。素子形成層の側面１６ｂは、応力緩和層の上面１４ｃと、この上面に形成された絶縁性応力伝達層１８を介して電気的に非導通の状態で接続されている。 （もっと読む）