【課題】 ゲート容量が小さく、短チャネル効果が抑制された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を作製する。またゲート配線の配線抵抗を減少させ、回路面積の減少とＴＦＴの高速駆動を可能にする。
【解決手段】 ゲート電極を二層にし、下層の幅を上層よりも小さくすることにより、ゲート電極と半導体膜からなる活性層の重なる面積が小さくなる。これによりゲート容量を減少させ、短チャネル効果を抑制することができるので、ＴＦＴを高速駆動させることが可能である。また、ゲート電極と配線を一体形成せず別々に形成することによって、ＴＦＴによって構成される回路面積も縮小でき、高速化に寄与できる。 （もっと読む）

【課題】 照射方向の往路と復路とで照射ビームのエネルギー強度を可変することにより、均一な結晶膜を作製することのできるレーザ照射装置を提供すること。
【解決手段】 レーザ発振器と、ビーム強度可変手段と、レーザ光を照射面に対して斜めに入射するように設定されたレーザ照射装置において、前記レーザ光を前記照射面に対し相対的に走査するとともに、走査する方向によりビーム強度を可変することであり、更に、レーザは、連続発振の固体レーザ、気体レーザ、金属レーザ、または発振周波数が１０ＭＨｚ以上のパルスレーザであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 スタックコンタクトにおける接触抵抗を抑制させる。
【解決手段】 基板と、基板上に設けられた薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタの上層側に設けられた配線と、該配線と薄膜トランジスタの少なくとも半導体層とを層間絶縁する層間絶縁層と、該層間絶縁層に掘られており且つ基板面上で平面的に見て長手状に延びる第１の穴、及び、夫々、第１の穴の底部から層間絶縁層を貫通して半導体層の表面に至り且つ第１の穴の長手方向に沿って配列された複数の第２の穴を含んでおり、配線と半導体層とを層間絶縁層を介して接続するコンタクトホールとを備える。 （もっと読む）

【課題】 レーザ照射時の振動の発生を抑制し、一様なエネルギープロファイルを持つレーザビームを一方向に移動させることにより、信頼性のよい半導体装置を短時間で量産する。
【解決手段】 円柱状の回転体の表面に、回転体の曲率に沿って基板を回転体表面に吸着させ、回転体を回転させ、基板上に成膜された半導体膜を一度にレーザ照射する。また、回転体の回転軸方向に移動機構を設け、回転体が１回転したときに照射位置をずらすようにする。または回転体を回転させながら回転軸方向に移動させることも可能である。 （もっと読む）

【課題】 大面積の絶縁性透明基板上に積層構造のゲート電極を備えた薄膜トランジスタを形成する際に、エキシマレーザアニールによる不純物活性化処理を行っても、不純物注入領域以外の領域への熱ダメージが少ない半導体装置及びその製造方法、並びにこの半導体装置を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１上に設けられたポリシリコン層７上にゲート絶縁層３を介してゲート電極６を形成する。ゲート電極６をマスクにしてポリシリコン層７に不純物注入領域８を形成した後、ゲート電極６上に絶縁層４を形成し、これらを覆うように絶縁膜５を形成する。このとき、ゲート電極６上の絶縁膜５の表面に、ゲート電極６の周縁部で低く中央部で高くなる段差を形成し、更にゲート電極６中央部上の絶縁層４及び絶縁膜５が、不純物注入領域８上の絶縁膜５及びゲート絶縁層３よりもレーザ光に対する反射率が高くなるようにする。 （もっと読む）

【課題】 デバイス・チャネルに一軸性歪みを生成してキャリア移動度を向上させた半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体デバイスのデバイス・チャネルに一軸性歪みを生成する半導体デバイスおよびその形成方法を提供する。一軸性歪みは、引張り性または圧縮性とすることができ、デバイス・チャネルに平行な方向である。一軸性歪みは、歪み誘発ライナ、歪み誘発ウェル、またはそれらの組み合わせによって、二軸性歪み基板表面において生成することができる。一軸性歪みは、歪み誘発ウェルおよび歪み誘発ライナの組み合わせによって、緩和基板において生成することも可能である。また、本発明は、歪み誘発分離領域によって二軸性歪みを増大させるための手段も提供する。更に、本発明が提供するＣＭＯＳデバイスにおいては、ＣＭＯＳ基板のデバイス領域を別個に処理して、圧縮性または引張り性の一軸性歪み半導体表面を提供する。 （もっと読む）

【課題】 電気光学装置において、他の不具合を発生させずに光リーク電流の発生を抑制し、高品位な表示を可能とする。
【解決手段】 基板上に、チャネル領域を有する半導体層を含んで構成された薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタにより駆動される表示用電極と、半導体層の上層側及び下層側の少なくとも一方に積層された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜の半導体層側とは反対側に積層された、チャネル領域を遮光するための遮光膜とを備えている。層間絶縁膜における半導体層とは反対側の表面には、チャネル領域のうち少なくともチャネル領域の縁部を遮光可能な領域において、半導体層に向かって局所的に窪んだ凹部が形成されている。遮光膜は、少なくとも凹部内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 長期的には光照射による有機半導体層の劣化を防止し、短期的には照射される光の変化などが有機半導体素子の動作の不安定な要因や一種のノイズとして振舞うことを防止することが可能な有機半導体素子技術を提供すること。
【解決手段】 カーボンブラックを１２重量％混入したポリカーボネート基板２０１上に、絶縁膜２１２ｂを設けた後、カソード電極２０２を作製し、この上に、有機半導体材料２０４を蒸着などで作製している。その上に、アノード電極２０３を作製する。基板材料にポリカーボネートを電気的絶縁層を兼ねて利用し、遮光層として裏面側にポリカーボネートの原料（２１１ａ）にフィラーとしてカーボンブラックを約１２重量％混合したものを塗布することで作製した。有機半導体材料および電極と前記遮光性ポリカーボネートの間に絶縁性の膜２１２ｂを設けてもよいが、基板材のポリカーボネート材の絶縁性を利用してもよい。 （もっと読む）

【課題】 アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置において、プリチャージ回路、サンプリング回路等が有するＴＦＴの下側からの戻り光等に対する遮光性能を高め、優れたスイッチング特性により高品質の画像表示を行う。
【解決手段】 液晶装置（２００）は、一対の基板間に挟持された液晶層（５０）と、基板にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備える。このＴＦＴや、プリチャージ回路（２０１）及びサンプリング回路（３０１）のＴＦＴの下側には、遮光層が設けられている。 （もっと読む）

コンタクトエッチストップ層（１１６）を設けることによって、異なるトランジスタ型（１００Ｎ），（１００Ｐ）のチャネル領域内の応力を効果的に制御することができる。その際、コンタクトエッチストップ層（１１６）の引張応力部分と圧縮応力部分は、ウェット化学エッチング、プラズマエッチング、イオン注入、プラズマ処理などの十分に確立されたプロセスによって得ることができる。このため、プロセスを著しく複雑にすることなく、トランジスタ（１００Ｎ），（１００Ｐ）の性能を大きく改善することができる。
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大きな引張応力を有する半導体デバイスを提供することを目的とする。半導体デバイスは、ソース領域及びドレイン領域を備える基板を有する。ソース領域及びドレイン領域の各々は、それぞれ、複数の分離されたソース区画及びドレイン区画を含む。シャロートレンチ分離（ＳＴＩ）領域がソース領域の２つの分離されたソース区画間及びドレイン領域の２つの分離されたドレイン区画間に形成される。ゲート積層体が基板に形成される。引張誘起層が基板上に形成される。引張誘起層はＳＴＩ領域、ソース領域、ドレイン領域及びゲート積層体を覆っている。引張誘起層は基板に引張応力を生じさせることが可能な絶縁体である。

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半導体装置、例えば、ｐｎ接合（１０１）を有するダイオード（２００）がこのｐｎ接合の近傍に、そして、これを跨ぐこともある絶縁材料の電界形成領域（２０１）を有する。電界形成領域（２０１）は好ましくは高誘電率を有し、容量性電圧結合領域（２０４，２０５）を介してｐｎ接合に印加されるのとほぼ同じ電圧に結合される。ｐｎ接合（１０１）間に逆電圧が印加され且つ装置が非道通時に、電界形成領域（２０１）が存在しない場合に存在しうるｐｎ接合空乏領域の限界を超えて延びる電界形成領域の一部分に容量性電界が存在し、電界形成領域内の電界が拡張された電界を誘起し、この拡張された電界は対応して拡張されたｐｎ接合空乏領域（２０８，２０９）までとされ、装置の逆絶縁破壊電圧を増加させる。
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【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴと凹部又は凸部を有する反射電極とを形成する方法であって、製造工程数及び製造コストの削減が図られた方法、及びこの方法が適用された液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 金属膜７の上に感光性膜８を形成し、この感光性膜８から残部８１、８２及び８３を形成し、この残部８１、８２及び８３をマスクとして金属膜７をエッチングし、この残部８１、８２及び８３を剥離せずに感光性膜９及び反射電極膜１０を形成する。 （もっと読む）