【課題】 製造コストをかけることなく、十分な光電流を得ることができる表示装置を提供する。
【解決手段】 表示装置は、各画素ＴＦＴごとに２個ずつ設けられる画像取込み用のセンサとを有する。センサ内のフォトダイオードＤ１，Ｄ２を構成するｐ+領域４６とｎ+領域４８の間に、低濃度のｐ-領域４７またはｎ-領域を形成し、このｐ-領域４７またはｎ-領域の基板水平方向長さをｐ+領域４６やｎ+領域４８よりも長くするため、ｐ+領域４６とｎ+領域４８の間に形成される空乏層５３がｎ-領域に長く伸び、その結果、光電流が増えて光電変換効率がよくなるとともに、S/N比が向上する。 （もっと読む）

【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、耐光性を高め、高品位の画像を表示する。
【解決手段】 電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、これに接続された配線（３ａ、６ａ）と、ＴＦＴの少なくともチャネル領域を上側から覆う上側遮光層（３００、６ａ）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を下側から覆う下側遮光層（１１ａ）とを備える。基板には、配線に対向する領域に格子状やストライプ状の溝（１０ｃｖ）が掘られており、この溝内でチャネル領域に対向する領域に凹部（４０１）が更に掘られている。下側遮光膜は、該凹部内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】斜めからの入射光１１０、及び入射光１１０が乱反射を起こすことにより間接的に入射する光についても、遮光可能な薄膜トランジスタの構造及びその構造を工程数を増やすことなく簡易なプロセスで製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 活性層となるｐｏｌｙ−Ｓｉ膜１０４の両側のそれぞれにおいて、ゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５及び下地ＳｉＯ２膜１０３を遮光ＷＳｉ２膜１０２が露出するまで選択的異方性エッチングし、コンタクト開口部１０６を形成する。その後、ゲートＷＳｉ２層１０７をスパッタ成膜し、さらに、フォトレジスト１０８をマスクとしてドライエッチングを実施し、ゲートＷＳｉ２電極１１１とＷＳｉ２からなるサイドウォール１０９を同時に形成する。これにより、サイドウォール１０９の下端を遮光ＷＳｉ２膜１０２に接触させ上端をゲート絶縁ＳｉＯ２膜１０５上面とほぼ同一高さに位置させる。 （もっと読む）