【課題】ダブルＬＤＤ構造を改善し、リーク電流のばらつきの少ない薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板１には、第１平面１１と、これより高い第２平面１２と、第１平面１１と第２平面１２を接続する段差１３とが形成されている。半導体薄膜２は、第１平面１１に沿った第１領域から、段差１３に沿った中間領域を経て、第２平面１２に沿った第２領域まで連続している。第１領域には、チャネル領域ＣＨとこれに連続する第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１とが形成され、第２領域には、ソースＳ又はドレインＤとなる導電性領域が形成され、中間領域には第１の低濃度不純物領域ＬＤＤ１と導電性領域とを接続する第２の低濃度不純物領域ＬＤＤ２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上、特に、遮光性の向上による光リーク電流の低減を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（１０Ａ，１０Ｂ）と、基材上に形成され、第１方向に延在する半導体膜（１３）と、半導体膜上にゲート絶縁膜（１５）を介して形成され、第１方向と交差する第２方向に延在するゲート電極（Ｇ）と、半導体膜の両側に前記第１方向に延在するよう形成された一対の凹部（１２）と、凹部内に配置された充填材料と、を有する。かかる構成によれば、凹部（１２）およびその内部の充填材料により、基板側からの光の入射が制限され、半導体膜（特に、チャネル）において発生する光リーク電流を低減できる。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクスディスプレイの画素設計を提供する。
【解決手段】ディスプレイ画素配置が提供され、行電極金属層５８は、画素電極層６４と金属層５０間に位置して、列５０ａを規定する。このような方法で、画素電極６４と列ライン５０ａ間の遮蔽を提供し、これにより、画素電極が列ラインと重複しても、近接する画素間のキャパシタカップリングを減少させることができる。よって、特に、列間の電荷共有に用いられる場合、デジタルーアナログ転換のパフォーマンスを改善する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性の向上、特に、遮光性の向上による光リーク電流の低減を図る。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、基材（１０Ａ，１０Ｂ）と、基材上に形成され、第１方向に延在する半導体膜（１３）と、半導体膜上にゲート絶縁膜（１５）を介して形成され、第１方向と交差する第２方向に延在するゲート電極（Ｇ）と、半導体膜の両側に前記第１方向に延在するよう形成された一対の凹部（１２）と、凹部内に配置された充填材料と、を有し、凹部の底面と半導体膜の底部の第１方向に延在する中心線（ＣＰ）との距離をＬｃと、凹部の底面間の距離をｔｃと、ｎを基材の屈折率とした場合、ｎｔｃ²＜４８８Ｌｃを満たす。本構成によれば、上記凹部（１２）により、基板側からの光の入射が制限され、光リーク電流を低減できる。さらに、凹部の深さの関数であるＬｃ等を上記式を満たすよう設定することで、光リーク電流を効果的に低減できる。 （もっと読む）

【課題】動作性能および信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有する画素部を有する。前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第１のゲート電極とを有し、前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に形成された前記ゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された第２のゲート電極とを有する。前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、及び一対の第２の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、及び一対の第３の不純物領域を有する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンとの密着性を考慮した上で、ソース電極及びドレイン電極の断線を防止する。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、薄膜トランジスタ１０１をアレイ状に配置した素子領域１０２を有するＴＦＴアレイ基板を備えたフォトセンサーであって、薄膜トランジスタ１０１の上部に設けられ、コンタクトホールＣＨ１が形成されたパッシベーション膜８と、コンタクトホールＣＨ１を介して薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続するフォトダイオード１００とを備え、ＴＦＴアレイ基板の素子領域の外側の周辺領域１０３では、パッシベーション膜８及びゲート絶縁膜３が除去され、周辺領域１０３のパッシベーション膜８のエッヂは、基板周辺のゲート絶縁膜３のエッヂと同じ位置、又はゲート絶縁膜３のエッヂより外側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素スイッチング用のＴＦＴに対する遮光性を高めつつ、開口率を向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、走査線（１１）及びデータ線（６ａ）と、画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、第１の接合領域（１ｂ）及び第２の接合領域（１ｃ）を有する半導体層（１ａ）と、半導体層における少なくとも第２の接合領域の一部を含む所定領域の側壁上に設けられた絶縁膜からなるサイドウォール（６１）と、走査線に電気的に接続され、チャネル領域にゲート絶縁膜（２）を介して対向するように配置されると共に、所定領域及びサイドウォールを覆うように設けられたゲート電極（３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】レジストパターンで覆われた薄膜トランジスタの特性を劣化させることなく、リソグラフィー直後の形状を維持してレジストパターンを硬化させることが可能は電子機器の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタＴｒが設けられた第１基板１上にレジストパターン２４が設けられた電子機器の製造方法であり、薄膜トランジスタＴｒを覆う状態で第１基板上にレジスト膜２２を塗布成膜し、このレジスト膜２２に対して露光および現像処理を行うことによりレジストパターン２４を形成する。次に、レジストパターン２４が形成された第１基板１を乾燥処理する。その後、薄膜トランジスタＴｒのチャネル部ｃｈに対して波長２６０ｎｍよりも短波長の光が照射されることを防止した状態で、乾燥雰囲気下において乾燥処理後のレジストパターン２４に対して紫外線または可視光の少なくとも一方を照射する。次に、レジストパターン２４を熱硬化させる。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、走査線の上層側に設けられ、走査線と交差するデータ線（６ａ）と、データ線の上層側に、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に、画素電極に容量絶縁膜（７５）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）と、走査線の上層側且つデータ線の下層側に設けられ、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、及びデータ線と同一層からなると共に走査線に電気的に接続されたゲート電極（３ａ）にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、積層構造の単純化を図り、しかも高品質な表示を可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、走査線（１１）と、走査線の上層側に設けられ、走査線と交差するデータ線（６ａ）と、データ線の上層側に、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極の下層側に、画素電極に容量絶縁膜（７５）を介して対向するように設けられた容量電極（７１）と、走査線の上層側且つデータ線の下層側に設けられ、データ線に電気的に接続されたデータ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極に電気的に接続された画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、及び走査線と同一層からなると共に走査線に電気的に接続された第１ゲート電極（３ａ）にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたチャネル領域（１ａ’）を有する半導体層（１ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板１０と、データ線６ａ及び走査線１１と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極９ａと、半導体層１ａと、半導体層より第１の絶縁膜２を介して上層側に配置されると共に遮光性の導電膜を含んでなり、且つ、半導体層のチャネル領域に重なる本体部３ａと、この本体部から半導体層の脇で、半導体層の第２の接合領域１ｃの側へ少なくとも第２の接合領域に隣接するように延設された延設部３１とを有するゲート電極３とを備える。更に、ゲート電極と同一膜からなり、半導体層の画素電極側ソースドレイン領域１ｅと少なくとも部分的に重なると共に画素電極及び画素電極側ソースドレイン領域と電気的に接続された遮光部４１０を備える。 （もっと読む）

【課題】表示品質を向上させたアレイ基板及びこれを含む表示パネルを提供することを目的とする。
【解決手段】アレイ基板は、ゲート配線ＧＬ、ゲート配線ＧＬと交差するデータ配線ＤＬ、ゲート配線ＧＬ、及びデータ配線ＤＬと接続される第１スイッチング素子１０、第１スイッチング素子１０と電気的につながって画素領域に形成され、開口パターン１７２、２５２が形成される画素電極及び開口パターン１７２、２５２が形成される領域に形成されて凸凹パターンを含む光遮断配線１２２を含む。これにより、漏れ光を最小化し、対比率を向上させることにより、表示品質を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの光リーク電流を低減させる装置及び方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタアレイパネルの製造方法であって、下記のステップを含む。即ち、（i）基板上に、ゲートライン及び遮蔽パターンを含むパターン化された第１導電層を形成するステップと、（ii）前記パターン化された第１導電層及び基板上に、ゲート絶縁層を形成するステップと、（iiｉ）前記ゲート絶縁層上に、パターン化された半導体層を形成するステップと、（iv）前記パターン化された半導体層上に、ソース及びドレインを有するパターン化された第２導電層を形成し、且つ、データラインがソースに電気的接続されるステップと、（v）前記パターン化された第２導電層及び基板上に、パターン化された保護層を形成するステップと（vi）前記パターン化された保護層上に、パターン化された透明導電層を形成するステップとを含む方法。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、光リーク電流の発生を低減し、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上において、互いに交差して延在するデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して規定される画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、第１の接合領域（１ｂ）、及び第２の接合領域（１ｃ）を有する半導体層（１ａ）と、第１の接合領域を覆うように島状に設けられた第１絶縁膜（３１ａ）と、第２の接合領域を覆うように島状に設けられた第２絶縁膜（３１ｂ）と、チャネル領域にゲート絶縁膜（２）を介して対向すると共に、第１及び第２絶縁膜上に延在されているゲート電極（３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】高性能な半導体装置を低価格で提供する。
【解決手段】
歪点７５０℃以上のガラス基板と水素打ち込み層を有する単結晶シリコンでなるボンドウェハとを、ガラス基板に形成された絶縁性シリコン膜とボンドウェハに形成された酸化膜とを挟むように、室温で貼り合わせた後、第１の加熱処理を行い、第１の加熱処理後、ボンドウェハの水素打ち込み層の部分で、ボンドウェハの一部を剥離することにより、ガラス基板上に単結晶シリコン薄膜を形成し、ガラス基板と単結晶シリコン薄膜とに第２の加熱処理を行い、第２の加熱処理後、単結晶シリコン薄膜をパターニングして活性層を形成し、活性層上にゲイト絶縁膜を形成し、ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】遮光部材を設けなくてもバックライトからの光がＴＦＴの半導体層に入射し難くしてＴＦＴの光リーク電流を低減させた、明るく、表示画質が良好で、しかもＴＦＴの信頼性が高い液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置は、スイッチング素子として、透明基板１１上に形成されたゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１３、半導体層１６、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄとを有するＴＦＴを備えた液晶表示装置において、ゲート電極Ｇ上のゲート絶縁膜１３は、中央部に周縁部よりも薄くされた凹部１４が形成されていると共に、ゲート絶縁膜１３の中央部から周縁部に亘って傾斜面１５が形成されており、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、絶縁膜１３の傾斜面１５に対応する位置のゲート半導体層１４上を経て、凹部１４の底に対応する位置の半導体層１６上でそれぞれの端部が対向するように配置されている。 （もっと読む）

【課題】従来のＬＰＳ膜よりも平均結晶粒径が大きく、且つ、従来の固相結晶化膜（例えば、ＣＧＳシリコン膜）よりも平均結晶粒径が小さい結晶質半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の結晶質半導体膜の製造方法は、第１および第２主面を有する透明な基板を用意する工程と、基板の第１主面上に所定のパターンの遮光層を形成する工程と、遮光層の少なくとも一部を覆う半導体膜であって、遮光層と重ならない第１領域と、遮光層と重なる第２領域とを有する非晶質状態の半導体膜を形成する工程と、第２主面側から半導体膜に光を照射し第１領域の半導体膜だけを選択的に結晶化することによって第１結晶領域を形成する工程と、その後に、第２領域の半導体膜を固相結晶化することによって第２結晶領域を形成する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、互いに交差して延在すると共に遮光性の導電膜を夫々含んでなるデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、半導体層（１ａ）と、半導体層におけるチャネル領域（１ａ’）にゲート絶縁膜（２）を介して対向するように配置されたゲート電極（３ａ）と、画素電極に電気的に接続されると共に、半導体層における画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）を覆うように設けられた遮光膜（３１ａ）とを備える。半導体層における第２の接合領域（１ｃ）は、基板上で平面的に見て、データ線及び走査線の交差する交差領域（９９ｃｒ）内に少なくとも部分的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上に設けられるデータ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、画素電極（９ａ）と、半導体層（１ａ）と、ゲート電極（３ａ）から画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）側に延設され、ゲート絶縁膜（２）より厚い第１層間絶縁膜部分（２０２）を介して半導体層の上又は下に積層された第１延設部分（３１ａ）と、ゲート電極から第１延設部分を介して更に延設され、第１層間絶縁膜部分よりも薄い第２層間絶縁膜部分（２０５）を介して半導体層の上又は下に積層された第２延設部分（３２ａ）とを備える。第１延設部分は、基板上で平面的に見て、走査線及びデータ線の交差する交差領域（９９ｃｒ）内に少なくとも部分的に配置されている （もっと読む）

【課題】電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、該基板上の画素領域（１０ａ）に配列された複数の画素電極（９ａ）と、該複数の画素電極を夫々スイッチング制御する複数の薄膜トランジスタ（３０）とを備える。薄膜トランジスタの半導体層（１ａ）は、チャネル領域（１ａ´）を中央にソース領域（１ｄ）及びドレイン領域（１ｅ）間で長手状に延び、薄膜トランジスタのゲート電極（３１ａ）は、チャネル領域に重なる部分の脇から、半導体層と距離を隔てたまま半導体層に沿って突出する突出部（３２ａ）を有する。該突出部は、その根元側におけるチャネル領域とソース又はドレイン領域との間にある接合領域（１ｃ）との第１距離（α）よりも、その先端側におけるソース又はドレイン領域との第２距離（β）の方が、短くなる形状を有する。 （もっと読む）