【課題】コンタクトホールの微細化を図りつつ、コンタクトホールを形成する際のエッチング処理に起因する不具合を抑制する。
【解決手段】コンタクトホール形成方法は、第１レジストパターンをマスクとして、第２材料を含んでなる第２層を、エッチング液を用いてパターニングして、第１材料を含んでなる第１層を部分的に露出させる第１開口部を形成する第１エッチング工程と、第２レジストパターンをマスクとして、第４材料を含んでなる第４層を、エッチングガスを用いてパターニングして、形成された第１開口部の少なくとも一部に対応すると共に、第３材料を含んでなる第３層を部分的に露出させる第２開口部を形成する第２エッチング工程とを備える。第１材料は、エッチング液によりエッチングされる度合いが第２材料に比べて小さい材料であり、第３材料は、エッチングガスによりエッチングされる度合いが第４材料に比べて小さい材料である。 （もっと読む）

【課題】開口率の高い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。また、消費電力の低い半導体装置又はその作製方法を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた酸化物半導体層と、酸化物半導体層を覆うゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の導電層と第２の導電層との順で積層されたゲート電極を含むゲート配線と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極を含む前記ゲート配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、酸化物半導体層と電気的に接続され、第３の導電層と第４の導電層との順で積層されたソース電極を含むソース配線と、を有し、ゲート電極は、第１の導電層で形成され、ゲート配線は、第１の導電層と第２の導電層で形成され、ソース電極は、第３の導電層で形成され、ソース配線は、第３の導電層と第４の導電層で形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。画素電極層及び共通電極層は上方に形成される方を開口パターンを有する形状とし、下方に形成される方を平板状とする。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタに適した液晶表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含む薄膜トランジスタを有する液晶表示装置において、少なくとも該酸化物半導体層を覆う層間膜に、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜を用いる。透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜としては、着色層を用いることができ、有彩色の透光性樹脂層を用いるとよい。また、有彩色の透光性樹脂層及び遮光層を含む層間膜とし、透過する可視光の光強度を減衰させる機能を有する膜として遮光層を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】例えば、半導体装置用基板の製造プロセス中に生じ得る基板の収縮を抑制し、形
成されるべきパターン部等の位置ずれを一因として生じる不具合を低減でき、且つ製造コ
ストの増大及び生産性の低下を抑制する。
【解決手段】シリコン酸化膜形成工程では、ガラス基板（２１０）上に、ＣＶＤ法等の汎
用の成膜法を用いてシリコン酸化膜（２４１ａ）を形成する。この際、シリコン酸化膜中
（２４１ａ）の圧縮応力が１７０ＭＰａ以上になるように、シリコン酸化膜（２４１ａ）
の成膜条件を調整する。次に、アニール処理工程では、ガラス基板（２１０）の歪み点温
度以下であり、且つ、ガラス基板（２１０）上に形成されるべき半導体層の活性化温度以
上の温度であるアニール温度に処理温度が設定された温度条件下で、シリコン酸化膜（２
４１ａ）にアニール処理を施す。本実施形態では、ガラス基板（２１０）の基板の歪み点
温度は、約５００℃である。 （もっと読む）

【課題】例えば、高い膜質を有する多結晶シリコン層を活性層とする薄膜トランジスタを製造する。
【解決手段】第１膜（２１１）の上面（２１１ｔ）と、上面（２１１ｔ）に交差する第１膜（２１１）の側面（２１１ｓ）とによって構成された角部（２１２）をなくすように、第１膜（２１１）にスライスエッチング処理を施し、第１膜（２１１）から第２膜（２２０）を形成する。即ち、第２膜（２２０）の角部（２２２）の断面形状は、第１膜（２１１）の角部（２１２）に比べて、角が取れているように、或いは曲線で構成されるように形成されている。尚、スライスエッチング処理とは、第１膜（２１１）上から第１膜（２１１）にエッチング液を接触させることによって、通常のウェットエッチング法及びドライエッチング法に比べて、緩やかに、言い換えれば、マイルドに第１膜（２１１）をエッチング処理することをいう。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生を抑制しつつ、製造方法の簡素化を図る。
【課題を解決するための手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上に、第１の方向に延在する凸状の段差（１２ａ）を表面に有する下地膜（１２）と、下地膜上に第１の方向に交差する第２の方向に沿って長手状に形成され、凸状の段差に対応した段差を表面に有し、凸状の段差に重なる領域において、チャネル幅方向に沿った幅寸法が局所的に狭く形成された半導体層（３０ａ）と、半導体層にゲート絶縁膜（１３）を介して対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、配線等を電気抵抗値の少ない素材で形成することによって、高品位な画像表示を可能としつつ、光リーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、相交差するデータ線（６）及び走査線（１１）と、該交差に設けられた画素電極（９）と、（i）一の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域（１ａ´）を有する半導体膜と、（ii）ゲート電極（３ａ）とを含むトランジスタ（３０）と、ゲート電極上に配置された遮光部（１１ｂ）と、画素電極の下層側に形成された下部容量電極（７２）とを備える。第１及び第２絶縁膜には、遮光部とゲート電極とを接続する第１部分と、他の方向に沿って延在し、半導体膜の脇で遮光部と走査線とを電気的に接続する第２部分とを有するコンタクトホール（８０１）が形成され、画素電極及び下部容量電極は、保持容量（７０）を形成している。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを複数個直列に設ける場合、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供することにある。
【解決手段】複数個あるＴＦＴの少なくとも一部について、半導体膜とゲート電極膜が対向する面積のチャネル領域に対する相対的な面積が異なることにより、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加を抑制する構造の平面ディスプレイを提供する。 （もっと読む）

【課題】光源側にゲート電極膜を有するＴＦＴを複数個直列に設ける場合、光リーク電流の発生を抑えつつ、容量増加をも抑制することができる表示装置を提供することにある。
【解決手段】直列に設けれた複数個のチャネル領域のチャネル端のうち、映像信号線側及び画素電極側の最も近くに位置するチャネル端の外側に、対向するゲート端が位置し、当該チャネル端以外のチャネル端のうち少なくとも一つにおいて、チャネル端がゲート端のより近くに位置している。 （もっと読む）

【課題】、ポリシリコン膜に含まれる結晶欠陥を電気的に略不活性化させた場合でも、その後の工程での処理温度が限定されることがなく、かつ、能動層とゲート絶縁層との間に良好な界面を形成することができる半導体装置の製造方法、半導体装置および電気光学装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置１０ｔの製造工程では、電界効果型トランジスタ３０ｎの能動層となるシリコン膜１ｓを結晶化させた後、シリコン膜１ｓに酸素プラズマ照射ＯＰを行う酸素プラズマ照射工程と、酸素プラズマ照射工程によりシリコン膜１ｓに形成された表面酸化物１ｒを除去する表面酸化物除去工程とを行う。その後、シリコン膜１ｓをパターニングする。 （もっと読む）

【課題】例えば、画素スイッチング用素子として用いられる薄膜トランジスタについて、そのサイズを小さくすることによって生じる可能性があるＯＮ電流の減少を抑制する。
【解決手段】下地部（１３）は、ＴＦＴアレイ基板（１０）の基板面を基準としてＴＦＴアレイ基板（１０）の図中上側に向かって突出した凸部であり、下地絶縁膜（１２）の一部として一体として、又は下地絶縁膜（１２）とは別に形成されている。下地部（１３）の表面（１３ｓ）は、面（１３ｓ−１）と、面（１３ｓ−２）とから構成されている。チャネル領域（１ｃ）は、該チャネル領域（１ｃ）が表面（１３ｓ）に沿って延びるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生の抑制を図る。
【解決手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上、チャネル領域（３０ａ２）、ソースドレイン領域（３０ａ１及び３０ａ３）、並びに前記チャネル領域（３０ａ２）及びソースドレイン領域間に形成されたＬＤＤ領域（３０ａ４及び３０ａ５）を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。ＬＤＤ領域の少なくとも一部の領域は、半導体層における前記一部の領域を除く他の領域に比べて、結晶欠陥の数が多くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】例えば、液晶装置において、画素ピッチの微細化に対する要請に応じつつ、当該微細化によって得られるべき表示性能の向上を十分に享受可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ドレイン領域（１ｄ）の夫々の幅（Ｗ１）は、幅方向に沿って、チャネル領域（１ｃ）の幅（Ｗ３）より細い。加えて、ドレイン領域（１ｄ）の夫々の厚み（Ｔ１）は、チャネル領域（１ｃ）の厚み（Ｔ３）より薄い。したがって、ＴＦＴ（３０）のドレイン領域（１ｄ）の側面及び上面からなる表面の面積は、比較例に係るＴＦＴのドレイン領域の表面の面積より小さい。よって、ＴＦＴ（３０）によれば、ゲート電極（３ａ２）で遮光されないドレイン領域（１ｄ）の夫々の表面積を低減することができ、ＴＦＴ（３０）の上側から３次元的に照射される光のうちドレイン領域（１ｄ）が受ける光量を低減することが可能であり、光リーク電流を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ＬＤＤ構造を有するトランジスタにおけるリーク電流をより有効に低減できると共に比較的容易に製造可能な電気光学装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴ３０は、チャネル領域１ａ’、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、並びにデータ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを有する半導体膜１ａと、ゲート電極３ａとを含み、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃのうち少なくとも一方は、少なくとも部分的に、チャネル領域１ａ’よりも幅広に形成される。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素スイッチング用ＴＦＴの光リーク電流の発生を低減し表示画像の高品質化を図る。
【解決手段】基板上に、走査線１１、走査線に交差するデータ線６、画素電極、第１及び第２の方向のうち一方の方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域３０ａ３、第２の方向に沿ったソース長を有するソース領域３０ａ１、第１の方向に沿ったドレイン長を有するドレイン領域３０ａ５、チャネル領域及びソース領域間に形成された第１の接合領域３０ａ２、並びにチャネル領域及びドレイン間に形成された第２の接合領域３０ａ４を有し、ドレイン領域で折れ曲がっている半導体層３０ａ、チャネル領域に対向する本体部３０ｂ１、折れ曲がった部分に沿って少なくとも第２の接合領域を包囲する包囲部３０ｂ２を有するゲート電極３０ｂと、包囲部から立ち上がり又は立ち下がっており、第２の接合領域を囲む側壁部３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体層の段切れの発生を防止して製造歩留りを向上できる薄膜トランジスタを提供すること。
【解決手段】ＴＦＴ素子２０は、基板１１と、基板１１上に形成された遮光層２２と、遮光層２２を覆う絶縁層２４と、絶縁層２４上に形成されており、チャネル領域２１ｃを有する半導体層２１と、を備え、遮光層２２は、半導体層２１と平面的に交差する方向に直線状に延在するとともに、チャネル領域２１ｃの少なくとも一部に平面的に重なるように配置された第１の部分２２ａと、第１の部分２２ａの延在方向に沿うとともに、半導体層２１に平面的に重なるように配置された第２の部分２２ｂと、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気光学装置の蓄積容量の容量値を向上させると共に、歩留りを向上させる。
【解決手段】電気光学装置は、基板上（１０）に、互いに交差して延在するデータ線（６ａ）及び走査線（１１）と、データ線及び走査線の交差に対応して配置されたトランジスタ（３０）と、トランジスタよりも上層側に積層されており、下側電極（７１）、誘電体膜（７５）及び上側電極（３００）が順に積層されてなる蓄積容量（７０）と、蓄積容量及びトランジスタに電気的に接続された画素電極（９ａ）と、基板上で平面的に見て、上側電極及び下側電極が誘電体膜を介して相対向している第１領域を囲む第２領域の少なくとも一部、且つ第２領域において下側電極の下地面の上層側に形成されたスペーサ絶縁膜（４９）と、下地面の下層側に積層され、エッチングレートがスペーサ絶縁膜とは異なる絶縁性のエッチングストッパ層（４５）とを備える。 （もっと読む）

【課題】製造が容易であり、閾値の変動が抑制され、安定したノーマリオフ動作を実現し、しかも消費電力も小さく抑えることができる薄膜トランジスタ、アクティブマトリクス基板、及び撮像装置を提供する。
【解決手段】ソース・ドレイン電極８４，８６と、酸化物半導体を含む活性層８８と、ゲート電極８２と、第１の絶縁膜１４と、第２の絶縁膜１８と、活性層に対してゲート電極とは反対側に設けられており、該ゲート電極とは独立して電位が固定されるバイアス電極８１と、を有する薄膜トランジスタ８０。前記薄膜トランジスタが支持基板上に配列され、好ましくは各バイアス電極が互いに接続して電気的に共通化しているアクティブマトリクス基板１。電荷検出用薄膜トランジスタとして前記薄膜トランジスタが設けられている撮像装置２。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、高品質なカラー画像を表示する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、画素の開口領域を区画する非開口領域に、互いに交差するように配置されたデータ線（６ａ）及び走査線（３ａ）と、データ線より上層側に形成されており、平坦化処理が施された平坦部（２４０）及び平坦部より下層側に掘り下げられた凹部（２５０）を有する層間絶縁膜（４３）と、平坦部上に形成されたシールド層（２１０）と、層間絶縁膜より上層側に、少なくとも凹部を埋めるように形成されたカラーフィルタ（２２０）と、カラーフィルタより上層側に、データ線及び走査線の交差に対応するように形成された画素電極（９ａ）とを備える。 （もっと読む）