【課題】電気光学装置の遮光性能を向上させると共に開口率を高め、更に、非動作時におけるチャネル電流を抑制する。
【解決手段】電気光学装置用基板は、画素電極（９ａ）と電気的に接続された画素電極側ソース・ドレイン領域（１ｅ）とチャネル領域（１ａ´）との間に形成された第１接合領域（１ｃ）と、データ線（６ａ）と電気的に接続されたデータ線側ソース・ドレイン領域（１ｄ）とチャネル領域との間に形成された第２接合領域（１ｂ）とを有する半導体層（１ａ）、及び基板（１０）上で平面的に見て、チャネル領域に重なるように配置されたゲート電極（３１）を有するトランジスタ（３０）と、ゲート電極と、第１絶縁膜（４１）を介して互いに異なる層に配置されており、基板上で平面的に見て、第１接合領域に少なくとも部分的に重なるように形成されると共に、ゲート電極と電気的に接続された導電性遮光膜（７１０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流の発生を抑制しつつ、サイズの縮小化を図る。
【課題を解決するための手段】薄膜トランジスタは、基板（１０）上に形成されており、チャネル領域（３０ａ２）及びソースドレイン領域（３０ａ１、３０ａ３）を有する半導体層と、チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向配置されたゲート電極（３０ｂ）とを備える。基板は、薄膜トランジスタに電気的に接続された配線等のうち少なくとも一つが形成される主表面（１２´´）、並びに該主表面に対して斜めに傾いた傾斜面（１２´）を有し、半導体層のうち少なくとも前記チャネル領域は、傾斜面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】液晶パネル等の電気光学装置において、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効率よく抑制しつつ、動作の安定化を図る。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、チャネル領域、ソースドレイン領域及びＬＤＤ領域を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向するゲート電極（３０ｂ）と、半導体層より上層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された上側遮光膜（１）と、半導体層より下層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された下側遮光膜（１１）と、半導体層及び下側遮光膜間に積層され、少なくともＬＤＤ領域に重なる領域における膜厚よりソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成された下側層間絶縁膜（１２）とを備える。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体、ターゲット組成の再現性が高いスパッタリングターゲット、大面積均一性、再現性の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】Ｉｎ（インジウム）元素と、Ｓｎ（錫）元素と、６周期までの、３Ａ族元素、４Ａ族元素、５Ａ族元素、６Ａ族元素、７Ａ族元素、８族元素及びＳｎより原子番号の小さい４Ｂ族から選択される１種以上の元素Ｘを含む酸化物半導体。 （もっと読む）

【課題】ボトムゲート構造を有する薄膜トランジスタを含む表示装置において、遮光層とゲート電極との間の寄生容量の発生を軽減しつつ、光リーク電流の発生の抑制を図ることが可能になる表示装置を提供すること。
【解決手段】表示装置は、半導体層への光の入射を抑制するための遮光層（４０）と、第１絶縁膜（３１）と、薄膜トランジスタのゲート電極（２２）と、第２絶縁膜（３２）と、半導体層（２１）と、が順次積層された基板を含む。遮光層（４０）は、ゲート電極（２２）の少なくとも一部が遮光層（４０）と第１絶縁膜（３１）を介して重ならないようにして形成される。 （もっと読む）

【課題】従来よりも少ないマスク数で作製する薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の導電膜と、絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、第２の導電膜とを積層し、この上に３段階の厚さを有するレジストマスクを形成し、第１のエッチングを行って薄膜積層体を形成し、該薄膜積層体に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、その後レジストマスクを後退させて半導体層、ソース電極及びドレイン電極層を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。３段階の厚さを有するレジストマスクは、例えば、４階調のフォトマスクにより形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴを構成する半導体層の微細化に適しており、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減可能とする。
【解決手段】電気光学装置用基板の製造方法は、基板（１０）上に半導体膜（１ａｐ）を形成する工程と、半導体膜上に半導体膜の酸化を防止するための酸化防止膜（７００）を形成する工程と、酸化防止膜及び半導体膜を、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により一括でパターニングすることにより、半導体層（１ａ）を形成する工程と、半導体層上に酸化防止膜が形成されている状態で、酸化処理を施すことにより、半導体層の少なくとも一部の側面を酸化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】迷光を発生させることなく、隣接するデータ線間の干渉を防止することのできる反射型電気光学装置および投射型表示装置を提供すること。
【解決手段】反射型電気光学装置１００において、素子基板１０では、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａに挟まれた領域にＹ方向に延在する透光性導電膜からなるシールド線７ａが形成されているため、Ｘ方向で隣接するデータ線６ａ同士の間に寄生する容量が極めて小さい。素子基板１０において、基板１０ｄは透光性基板であり、シールド線７ａは透光性導電膜からなるため、対向基板２０側から入射した光が画素電極９ａで挟まれた隙間領域９ｓで漏れて素子基板１０側に入射した際、かかる光はシールド線７ａを透過した後、基板１０ｄを透過する。従って、シールド線７ａでの反射に起因する迷光の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】高温（６００℃以上）の加熱処理回数を低減し、さらなる低温プロセ
ス（６００℃以下）を実現するとともに、工程簡略化及びスループットの向上を
実現することを課題とする。
【解決手段】本発明は結晶構造を有する半導体膜へマスク１０６ｂを用いて希ガ
ス元素（希ガスとも呼ばれる）を添加した不純物領域１０８を形成し、加熱処理
により前記不純物領域１０８に半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタ
リングを行った後、前記マスクを用いてパターニングを行い、結晶構造を有する
半導体膜からなる半導体層１０９を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、省スペースを実現しつつ、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上において、互いに交差して延在するデータ線（６ａ）及び走査線（３ａ）と、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）及び画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）を有する半導体層（１ａ）と、半導体層の上層側に形成された遮光性を有する上部容量電極（３００）と、上部容量電極の下層側に容量絶縁膜（７５）を介して形成されており、上部容量電極と蓄積容量（７０）を構築する下部容量電極（７１）とを備える。上部容量電極は、半導体層及び下部容量電極と少なくとも部分的に重なる平面部、及び平面部から半導体層と同じ層又は半導体層より下層側の位置にわたって設けられる側壁部を有する。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生を抑制することができ、有機ＥＬなどの電流駆動素子に好適な半導体装置、半導体装置の製造方法、及び、その半導体装置を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、チャネル領域を有する半導体層１８とを備え、チャネル領域が、結晶成分の体積率をＶｃとし、非結晶成分の体積率をＶａとしたときＶｃ／Ｖａ＞４を満たす酸化物半導体で構成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性が向上するＴＦＴ基板及びそれを用いた液晶表示装置並びにそれらの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明にかかるＴＦＴアレイ基板１は、外部から接続可能なゲート配線端子２８及びゲート配線端子２８から延在するゲート配線６を構成する透明導電膜３ａを有する。さらに、ＴＦＴアレイ基板１は、ゲート配線端子２８上では除去され、透明導電膜３ａ上において透明導電膜３ａのパターンの内側に形成された金属膜３ｂを有する。また、金属膜３ｂは、ゲート絶縁膜１５によって覆われる。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板上に形成される不揮発性メモリ素子において、外部の光が電荷保持部に当ることにより、保持した電荷が、活性化し逃げることを防止することを課題とする。
【解決手段】絶縁基板上に不揮発性メモリ素子を備え、前記不揮発性メモリ素子が、電荷保持膜と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両側にソースとドレインとを備える半導体層を備え、前記電荷保持膜が、少なくともその一部の上側と下側とに設けられた、上側遮光体及び下側遮光体の間に位置していることを特徴とする半導体記憶装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】マスク数の少ない薄膜トランジスタ及び表示装置の作製方法を提供する。
【解決手段】第１の絶縁膜と、第１の導電膜と、第２の絶縁膜と、半導体膜と、不純物半導体膜と、第２の導電膜とを積層し、この上にレジストマスクを形成し、第１のエッチングにより第１の絶縁膜の上部までエッチングして薄膜積層体を形成し、該薄膜積層体に対してサイドエッチングを伴う第２のエッチングを行ってゲート電極層を形成し、その後第２のレジストマスクによりソース電極及びドレイン電極等を形成することで、薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いてジシランガスで基板上に半導体膜を成膜する際、工程数を増やすことなく、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるととともに、各結晶粒の平均グレインサイズが適切な大きさとなるよう半導体膜を形成することができることにより、表示不良の少ない信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を、ＣＶＤ装置内に導入して、ヒータ上に載置するステップＳ１と、ヒータを、６００℃〜６３０℃に加熱することによって基板を設定された成膜温度まで加熱するステップＳ２と、ＣＶＤ装置内に、ジシランガスを１０ｓｃｃｍ〜３０ｓｃｃｍの流量で導入して、基板上に、ａ−ｓｉ膜を成膜するステップＳ３とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】貼り合わせにおいて、一方の基板に対して他方の基板の位置ずれが生じたとして
も、他方の基板における遮光膜によって、表示領域における各画素の開口率のばらつきを
低減させ、液晶装置毎に、画素の開口率がばらつくことを防ぐとともに、一方の基板のト
ランジスタを確実に遮光することができる構成を有する電気光学装置を提供する。
【解決手段】対向配置された一対の基板を有する液晶装置であって、ＴＦＴ基板に、走査
線１１ａとデータ線６ａとがマトリクス状に交差するように形成されているとともに、走
査線１１ａとデータ線６ａとの交差領域８０に、ＴＦＴ３０の半導体層１が設けられてお
り、対向基板に、ＴＦＴ３０を遮光する、半導体層１と少なくとも一部が平面視した状態
で重なる島状のＢＭ２５が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置を用いて基板上に半導体膜を成膜する際、各結晶粒のグレインサイズが略均一となるとともに、面内において略均一な膜厚の半導体膜を形成することができることにより、信頼性の高いトランジスタを製造できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を、ＣＶＤ装置内に導入して、ヒータ上に載置し、ヒータを加熱することによって基板を設定された成膜温度まで加熱するステップＳ１と、ＣＶＤ装置内にモノシランガスを導入して、基板上に、非晶質の第１の半導体膜を第１の膜厚に成膜するステップＳ２と、ＣＶＤ装置内にジシランガスを導入して、第１の半導体膜上に、非晶質の第２の半導体膜を第１の膜厚よりも厚い第２の膜厚に成膜して、第１の半導体膜及び第２の半導体膜により、半導体膜を設定厚さに形成するステップＳ３と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】信号配線の寄生容量の増加を抑制しつつ、薄膜トランジスタからのリーク電流の発生を抑制することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波に対して遮光性を有する導電性部材により形成され、半導体層６で発生した電荷を収集する下部電極１４を延伸させて、信号配線３のＴＦＴスイッチ４との接続部を含む一部分の電磁波の照射面側に遮光部を形成する。 （もっと読む）

【課題】液晶等の電気光学装置において、簡易な構成で、トランジスタにおける効果的な遮光を実現する。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、画素毎に設けられた画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）、画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）、第１の接合領域（１ｂ）、第２の接合領域（１ｃ）、及び容量下部電極（１ｆ）を有する半導体層（１ａ）と、容量絶縁膜（７５）と、チャネル領域及び容量下部電極を除くと共に第１及び第２の接合領域を含む部分を覆うように設けられた部分絶縁膜（２０２）と、容量絶縁膜を介して、容量下部電極と蓄積容量を構築する容量上部電極（７２）と、チャネル領域にゲート絶縁膜（２）を介して対向するゲート電極（３ａ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、信頼性を向上させると共に、高品質な画像を表示可能とする。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、画素電極（９ａ）と、チャネル領域（１ａ’）、データ線側ソースドレイン領域（１ｄ）若しくはその延在部、並びに画素電極側ソースドレイン領域（１ｅ）若しくはその延在部を有する半導体層（１ａ）と、半導体層上に形成された開口を有するストッパ膜（２００）と、層間絶縁膜（２０２、４１、４２）とを備える。データ線は、第１コンタクトホール（８１）を介して第１接続領域に電気的に接続されている。 （もっと読む）