【課題】トランジスタ特性が変動しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜（６ｅ、５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が変化しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜（６ｅ、５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ特性が変動しにくい薄膜トランジスタを容易に作り分けること。
【解決手段】ボトムゲート構造の第１薄膜トランジスタである駆動トランジスタ６と、トップゲート構造の第２薄膜トランジスタであるスイッチトランジスタ５とを形成する際、基板１０と第１絶縁膜１１の間に駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａとスイッチトランジスタ５の第２遮光膜５ｅを形成する工程と、第２絶縁膜１２とパッシベーション膜１４の間にスイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａと駆動トランジスタ６の第１遮光膜６ｅを形成する工程を別工程にし、それ以外の薄膜トランジスタの構成を共通の工程によって形成する。こうして、ゲート電極（６ａ、５ａ）と遮光膜６ｅ（５ｅ）を形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 （もっと読む）

【課題】微結晶シリコンを備える薄膜トランジスタにおいて、光リーク電流、及び、電界起因のリーク電流を抑制することが可能な技術を提供することを目的とする。
【解決手段】薄膜トランジスタは、ゲート電極２上にゲート絶縁膜６を介して順に形成された微結晶シリコン膜８、非晶質シリコン膜９、及び、Ｎ型非晶質シリコン膜１０を含む半導体層２５と、微結晶シリコン膜８の端部８ｂと接触し、かつ、Ｎ型非晶質シリコン膜１０と接続されたドレイン電極１２とを備える。半導体層２５は、平面視においてゲート電極２の外周よりも内側に形成され、微結晶シリコン膜８の端部８ｂは、Ｎ型非晶質シリコン膜１０と同じＮ型の導電型を有する。 （もっと読む）

【課題】遮光層の端部で回折した光が半導体層に照射されＴＦＴ特性の変動を引き起こしているため、この光の照射を防止する事により、高い表示品質をもつ液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第３の遮光層１０８の端部で回折した光１１７を完全に遮光するため、半導体層１０３をゲート電極１０４と第２の遮光部１０６とで覆うことによって、回折した光の照射を防止し、ＴＦＴ特性の変動を回避でき、良好な表示画像を得る事ができる。 （もっと読む）

【課題】半導体電子素子を含む電子装置の微細化、及び低コスト化を実現する。
【解決手段】半導体膜を含む電子素子を複数備える電子装置であって、電子素子の素子間に素子分離領域が存在し、素子分離領域は、バンドギャップが１．９５ｅＶ以上である半導体膜と、絶縁体膜と、素子分離電極と、を含み、素子分離電極は、絶縁体膜によって素子分離領域の半導体膜と隔てられ、電圧が印加されて素子分離領域の半導体膜を高抵抗化し、電子素子間を電気的に分離するための電極であることを特徴とする電子装置。 （もっと読む）

【課題】低コストに製造することができ、ＴＦＴのオフリーク電流を低減することが可能なアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板２０１は、基板１上に形成されたゲート電極２及びゲート絶縁膜３と、結晶性半導体膜４１及び／又は非晶質半導体膜４２からなるチャネル層と、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄとを備えたＴＦＴ１０４と、画素電極９とが複数対アレイ状に配置されたものである。チャネル層はゲート電極２の形成領域内に形成され、ソース電極５ｓ及びドレイン電極５ｄはチャネル層の形成領域内に形成されており、ゲート絶縁膜３上のゲート電極２より離間した位置にソース配線５ａが形成され、ソース配線５ａが、ソース電極５ｓの直上に形成され、さらにソース電極５ｓ上から延設された酸化物導電膜からなる接続配線６ａを介してソース電極５ｓに接続されている。 （もっと読む）

【課題】データを保持する期間を確保しつつ、単位面積あたりの記憶容量を高めることができる記憶装置の提案を目的の一とする。
【解決手段】記憶素子と、記憶素子における電荷の蓄積、保持、放出を制御するための、酸化物半導体を活性層に含むトランジスタと、記憶素子に接続された容量素子とを有する記憶装置。上記容量素子が有する一対の電極の少なくとも一方は、遮光性を有している。さらに、上記記憶装置は遮光性を有する導電膜或いは絶縁膜を有しており、上記活性層が、遮光性を有する電極と、遮光性を有する導電膜或いは絶縁膜との間に位置する。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】絶縁表面上に設けられたｎチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が引っ張り応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物元素が導入され、絶縁表面上に設けられたｐチャネル型ＴＦＴを有する半導体装置は、半導体膜が圧縮応力を受けるように、導電膜、例えばゲート電極に不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】結晶性半導体膜を備え、光リーク電流の発生が抑制され、トランジスタ特性が良好なＴＦＴを提供する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板１００において、結晶性半導体膜５はソース電極１２側及び／又はドレイン電極１３側がＴＦＴ１０８の外側でかつゲート電極２の外側の領域に引き出されており、ソース電極１２又はソース配線１１０と結晶性半導体膜５との接触部ＳＣとゲート電極２との間、及び／又は、ドレイン電極１３と結晶性半導体膜５との接触部ＤＣとゲート電極２との間に、ゲート電極２と同層の金属遮光膜３を備えている。結晶性半導体膜５のソース電極１２又はソース配線１１０と結晶性半導体膜５との接触部ＳＣとゲート電極２との間、及び／又は、ドレイン電極１３と結晶性半導体膜５との接触部ＤＣとゲート電極２との間に、ｎ型不純物が導入された不純物導入領域を形成してもよい。 （もっと読む）

【課題】導電膜を有する半導体装置は、導電膜の内部応力の影響を受ける。内部応力について検討する。
【解決手段】単結晶シリコン基板に形成されたｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が引っ張り応力を受けるように、導電膜には不純物が導入され、単結晶シリコン基板に形成されたｐチャネル型ＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置において、チャネル形成領域が圧縮応力を受けるように、導電膜には不純物が導入されている。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 （もっと読む）

【課題】製造効率が良く、かつ、光リーク電流の発生が抑制されたＴＦＴを提供する。
【解決手段】ＴＦＴ１０１は、ゲート電極２が、基板１側から見て、第１の金属遮光膜Ａと絶縁膜Ｂと第１の金属遮光膜Ａよりも形成面積の小さい第２の金属遮光膜Ｃとの積層構造を有し、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうち一方がゲート回路に電気的に接続され、他方がゲート回路から絶縁された構造を有するものであり、第１の金属遮光膜Ａは、半導体積層膜１０の形成領域を含む領域に形成されており、チャネル層８において、少なくともソース電極１１とドレイン電極１２との間の領域１３は、第１の金属遮光膜Ａと第２の金属遮光膜Ｃのうちゲート回路に電気的に接続された金属遮光膜と近接し、チャネル層８の両端部は、ゲート回路から絶縁された金属遮光膜と近接するよう、第１の金属遮光膜Ａ及び第２の金属遮光膜Ｃが形成されたものである。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を有するトランジスタにおいて、ゲート絶縁層を酸化ガリウム膜として、酸化物半導体層と接する構成とする。また、酸化物半導体層の上下を挟むように酸化ガリウム膜を配置することによって信頼性の向上を実現する。また、ゲート絶縁層は、酸化ガリウム膜と酸化ハフニウム膜の積層構造としてもよい。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチングによりパターニングするとき、半導体膜のチャネル領域が放射ダメージを受けないようにする。
【解決手段】窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。そして、レジストパターン２６、２６および第２のチャネル保護膜６をマスクとしたプラズマエッチングで、オーミックコンタクト層形成用膜２５および半導体膜形成用膜２１をパターニングする。この時、エッチング源のプラズマからの紫外線やＸ線等の放射は、遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６によって防ぐことができ、半導体膜４のチャネル領域が放射ダメージを受けることはない。なお、遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６は、後工程で２つに分離される。 （もっと読む）

【課題】安定した電気光学特性を有する電気光学装置を製造可能な電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置の製造方法は、基板上に画素回路と、画素回路を駆動制御する駆動回路とを形成するステップＳ１〜ステップＳ５と、画素回路および駆動回路を構成する構造物上に第１層間絶縁膜を形成するステップＳ６と、第１層間絶縁膜の高さが他の部分に比べて高い部分の第１層間絶縁膜の表面に少なくとも１つの凹部を形成するステップＳ７と、凹部が形成された第１層間絶縁膜に平坦化処理を施すステップＳ８と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】Ａ／Ｄ変換回路の構成を簡略にする。
【解決手段】入力された第１の信号を、第２の信号に変換するＡ／Ｄ変換回路を有し、Ａ／Ｄ変換回路は、第１の信号の電圧と、逐次的に値が変化する基準となる電圧と、を比較する比較回路と、比較回路の比較結果に応じて、逐次的に値が変化するデジタル値であるデジタル信号を第４の信号として出力し、且つ第３の信号に応じて、第１の信号の電圧値に対応するデジタル値のデジタル信号を第２の信号として出力するＡ／Ｄ変換制御回路と、入力された第４の信号をアナログ信号に変換し、変換したアナログ信号を第５の信号として出力するＤ／Ａ変換回路と、を有し、比較回路は、ソース、ドレイン、第１のゲート、及び第２のゲートを有し、第１のゲートに第１の信号が入力され、第２のゲートに第５の信号が入力され、ソース及びドレインの一方の電圧が第３の信号の電圧となるトランジスタを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、３マスク工程による液晶表示装置用アレイ基板で島状に半導体層を構成することにより、マスク数の減少と信頼性を向上する。また、マスク数の減少のために３マスク工程で液晶表示装置用アレイ基板を製作する過程で、リフトオフ工程による不良を最小化することができる。
【解決手段】本発明は液晶表示装置及びその製造方法に係り、３マスク工程の核心工程であるリフトオフ工程時スパターリング法を利用して保護膜パターンを形成することによってリフトオフ不良を最小化する。また、アクティブ及びオーミックコンタクト層を含む半導体層をデータ配線、ソース及びドレイン電極と別個のマスクを利用して島状にゲート電極内に形成することによって漏れ電流を防止する。 （もっと読む）

【課題】 微結晶Ｓｉ薄膜トランジスタの光リーク電流を抑制し、液晶ディスプレイ等の光照射下で使用する場合に、クロストークやコントラストの低下等の表示特性の劣化を低減する。
【解決手段】 基板上に設けられたゲート電極と、ゲート電極を被覆するように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられ、微結晶Ｓｉ層と非晶質Ｓｉ層とを含むチャネル層と、チャネル層上の一方に設けられたソース電極と、チャネル層上の他方に設けられたドレイン電極とを備えた薄膜トランジスタに関する。そして、この実施形態において、ソース電極およびドレイン電極の夫々は、第１の層と、前記第１の層よりも下側に設けられた第２の層とを含み、前記第２の層は第１の層よりも反射率が低い導電膜の層で構成される。 （もっと読む）