【課題】画素の積層構造の単純化を図りつつ、トランジスタのオン電流を増加させる。
【解決手段】電気光学装置は、半導体層１ａよりも上層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第１ゲート電極３ａと、半導体層１ａよりも下層側に配置され、チャネル領域１ａ’に重なると共に走査線１１ａに電気的に接続された第２ゲート電極３ｂとを有するＴＦＴ３０と、第２ゲート電極３ｂと同層に配置されるデータ線６ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画素内のＴＦＴにおける光リーク電流の発生を低減する。
【解決手段】電気光学装置用基板は、本体部３１ａと、この本体部３１ａから半導体層１ａの脇でＹ方向に沿って画素電極側ＬＤＤ領域１ｃの側へ少なくとも画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに隣接するように延設された第１延設部３２ａと、この第１延設部３２ａのうち本体部３１ａよりも画素電極側ソースドレイン領域１ｅの側寄りに位置する部分うち少なくとも一部からＸ方向に沿って延設された第２延設部３２ｂとを有するゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス（例えば、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）またはダイオード）の下にフィールド・シールドを組み込んだ半導体構造を提供すること。
【解決手段】このフィールド・シールドは、ウエハ上で上下の絶縁分離層にはさまれている。ローカル相互接続が、上側絶縁分離層を通って延在しており、デバイスの選択されたドープした半導体領域（例えば、ＦＥＴのソース／ドレイン領域またはダイオードのカソードもしくはアノード）にフィールド・シールドを接続する。例えば、ＢＥＯＬで帯電している間にデバイス内に流入する電流は、ローカル相互接続によって、上側絶縁分離層を離れフィールド・シールド内へと分流される。その結果、電荷は、上側絶縁分離層内に蓄積されるのではなく、フィールド・シールドから下側絶縁分離層内へ、そしてその下の基板内に流れ込む。このフィールド・シールドはさらに、下側絶縁分離層または基板内に閉じ込められた電荷に対する防護障壁を提供する。 （もっと読む）

【課題】駆動回路素子を同一基板上に一体的に有する液晶表示装置において、表示コントラストの劣化を抑えつつ駆動回路の安定動作を図る。
【解決手段】アレイ基板１０は、表示領域Ｒ１及び駆動回路領域Ｒ２に区画された透明基板１２と、前記表示領域Ｒ１に形成され表示領域Ｒ１にマトリクス状に配置された画素電極４４を駆動する第１薄膜トランジスタ２０と、前記透明基板１２の前記駆動回路領域Ｒ２に形成され前記第１薄膜トランジスタ２０に駆動信号を供給する第２薄膜トランジスタ５０と、前記第１薄膜トランジスタ２０の下層側に設けられた導電性の第１遮光膜１４と、前記第２薄膜トランジスタ５０の下層側に設けられた導電性の第２遮光膜４４と、を備え、前記第１遮光膜１４がアース接続され接地電位に設定され、前記第２遮光膜４４が前記第２薄膜トランジスタ５０のゲート電極５６と電気接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、（ｉ）走査線（１１）と第１の絶縁膜（１２）を介して異なる層に配置され、Ｙ方向に沿った半導体層（１ａ）と、（ｉｉ）半導体層に対して走査線と反対側の層に配置されたゲート電極（３）とを含むトランジスタ（３０）と、トランジスタよりも第２の絶縁膜（４１）を介して上層側に配置された蓄積容量（７０）とを備える。更に、第１の絶縁膜には、半導体層の脇にＹ方向に沿って延在する第１部分（８２１）と、走査線の一部と重なると共にＸ方向に沿って延在する第２部分（８２２）とを有する、ゲート電極と走査線とを接続するコンタクトホール（８１０）が形成され、蓄積容量は、コンタクトホールに起因して第２の絶縁膜の上層側表面に生じた凹部（７１０）を覆うように形成され、凹状部分（７０ｔ）を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、液晶表示装置に係り、特に、液晶表示装置用アレイ基板とその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、液晶表示装置用アレイ基板にデータ配線と薄膜トランジスタを構成する時、アクティブ層がデータ配線の外側及びゲート電極の外側へと露出されないように構成することを特徴とする。また、前述した構成を含む液晶表示装置用アレイ基板を、３マスク工程によって製作する。従って、本発明による液晶表示装置は、前記アクティブ層に光による光電流が発生しないので、波状ノイズ及び薄膜トランジスタの漏洩電流の特性を最小化する長所があって、マスク工程の単純化により費用及び時間を節約することができる。 （もっと読む）

【課題】枚葉式の基板処理装置におけるウェット処理において、基板に帯電する電荷量を抑制することが可能な電気光学装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】電気光学装置用の基板を鉛直軸周りに回転し、該基板の一方の面に対して複数の処理液を順次供給することにより前記基板を処理し、該処理中において前記基板側に開口した環状の複数の処理液案内部が上下方向に多段に配置されて構成される処理液回収手段により、前記基板から飛散する処理液を回収する電気光学装置の製造方法において、前記処理液回収手段の最も上方に設けられた前記処理液案内部のみにより、前記複数の処理液を回収し、前記処理液案内部に連通する複数の処理液回収経路を、前記回収された複数の処理液に応じて経路切換手段により切り換えることで、前記回収された複数の処理液を種類ごとに分離する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】該ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板は基板と、前記基板に形成され、相互に交差し、画素領域を少なくとも１つ画成する少なくとも１本のゲートラインと少なくとも１本のデータラインと、前記画素領域に形成された画素電極と、前記画素領域におけるゲートラインとデータラインとの交差部に形成され、前記ゲートラインに接続するゲート電極と、前記データラインに接続する第１のソース・ドレイン電極と、前記画素電極に接続する第２のソース・ドレイン電極と、を有する薄膜トランジスタと、前記基板に形成され、前記データラインに平行な少なくとも１本の共通電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板浮遊効果に起因する半導体層の電気的特性の劣化を抑制し、優れた電気的特性を示す、半導体基板の製造方法、半導体基板、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板２００の一方面側に非単結晶半導体層２１０を形成し、非単結晶半導体層２１０の上面に絶縁層２１１を設ける。そして、絶縁層２１１側から単結晶半導体基板２００中にイオン注入を行い、イオン注入層２０５を形成する。イオン注入後、単結晶半導体基板２００の絶縁層２１１側に支持基板５００を貼り合せ、単結晶半導体基板２００における、非単結晶半導体層２１０とは反対の表層部をイオン注入層２０５にて分離し、支持基板５００上に単結晶半導体層２２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板浮遊効果を防止できる信頼性の高いものを簡便な工程で得ることができ、ひいては製造コストの低減を実現した、半導体基板の製造方法、半導体基板、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板２００の一方面側に絶縁膜２１１を設け、絶縁膜２１１側から単結晶半導体層２００中に水素イオンを注入し、内部に剥離層２１２を形成し、絶縁膜２１１側から単結晶半導体基板２００中に水素イオンを注入し、絶縁膜２１１との界面に欠陥層２１３を形成する。剥離層２１２及び欠陥層２１３を形成した後、単結晶半導体基板２００の絶縁膜２１１側に支持基板５００を貼り合わせる。貼り合わせ工程の後、単結晶半導体基板２００を剥離層２１２で分離し、支持基板５００上に単結晶半導体層２２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させることなく、オン電流の増加、オフ電流の減少、及び、サブスレッショルド特性の急峻化を図ることができる半導体素子及び表示装置を提供する。
【解決手段】ボトムゲート電極、ボトムゲート絶縁膜、半導体層、トップゲート絶縁膜及びトップゲート電極がこの順に積層された構造を有する半導体素子であって、上記ボトムゲート電極は、遮光性を有し、平面視したときに、トップゲート電極と対向する半導体層中の領域よりも広く、かつ上記領域を覆う半導体素子。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、光による誤動作を防止する。
【解決手段】電気光学装置は、透明基板（１０）と、この透明基板上に設けられた複数の反射型の画素電極（９ａ）と、透明基板上における画素電極よりも下層側に且つ画素電極と重なるように夫々設けられており、画素電極と電気的に接続された複数のトランジスタ（３０）とを備える。更に、透明基板における画素電極が設けられた面とは反対側の面に設けられており、光を吸収する光吸収体（５００）を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを通して画素電極に印加される表示信号を保持する保持容量を備える表示装置において、保持容量を形成する電極間の絶縁耐圧を向上して歩留まりの向上を図る。
【解決手段】保持容量１Ｃにおいて、下層保持容量電極１２、薄い下層保持容量膜１４、ポリシリコン層１５Ｃ、上層保持容量膜１６Ｃ、上層保持容量電極１８が積層される。ポリシリコン層１５Ｃはレーザーアニールによる結晶化により形成される。保持容量１Ｃのポリシリコン層１５Ｃは微結晶となりその表面の平坦性が良好となる。ポリシリコン層１５Ｃ（保持容量電極）のパターンは、開口部ＯＰの底部より大きく形成され、その外周部のエッジが開口部ＯＰの傾斜部Ｋ上又は開口部ＯＰの外のバッファ膜１３上に配置されるようにした。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置において、走査線内を伝播する迷光を遮光する構造により遮光性を高め、明るく高品位な画像表示を実現する。
【解決手段】基板上に、画素電極（９ａ）と、該画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスタ（３０）と、該薄膜トランジスタのゲート電極（３ｇ）に走査信号を供給する走査線（３ａ）と、薄膜トランジスタのソース領域に画像信号を供給するデータ線（６ａ）とを備える。ゲート電極を構成する第１導電層と走査線を構成する第２導電層とは、別層である。 （もっと読む）

【課題】液晶装置等の電気光学装置の表示性能を高める。
【解決手段】電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、複数のデータ線６ａ及び複数の走査線１１の交差に対応して設けられた画素電極９ａと、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ´、データ線側ソースドレイン領域１ｄ、画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃを有する半導体層１ａと該半導体層１ａよりも絶縁膜２を介して上層側に配置されると共にチャネル領域１ａ´に重なるゲート電極３１ａを含むＴＦＴ３０とを備える。絶縁膜２には、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに沿った長手状の溝８１０が形成されており、ゲート電極３１ａは、チャネル領域１ａ´に重なる部分から溝８１０内の少なくとも一部に延設された溝内部分３３を有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ駆動によるアクティブマトリクス駆動方式の液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴの下側からの光に対する遮光性能とＴＦＴのスイッチング特性とを改善する。
【解決手段】一対の第１及び第２基板（１、２）間に挟持された液晶（５０）と、第１基板にマトリクス状に設けられた画素電極（１１）と、これをスイッチング制御するＴＦＴ（３０）とを備えた液晶表示パネル（１００ｂ）において、ＴＦＴに対向する位置において第１基板とＴＦＴとの間に高融点金属からなる遮光層（３ｂ）を設け、この遮光層に重ねて多結晶シリコン層（４ｂ）を設ける。 （もっと読む）

【課題】オフ時のリーク電流の発生を抑制し、画像品質を向上させる。
【解決手段】画素スイッチング素子１０２のチャネル端からドレイン部に渡る領域の電位と、その領域に対面する導電層の電位とが反転駆動時において同電位になるように、その対面する導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。即ち、本発明はＴＦＴの新規な構造と生産性の高い製造工程を提供するものである。
【解決手段】 耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する （もっと読む）

【課題】電気光学装置において、画素スイッチング用のＴＦＴの性能を向上させると共に遮光性を高める。
【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、データ線（６ａ）及び走査線（１１ａ）と、データ線及び走査線の交差に対応して設けられた画素電極（９ａ）と、画素電極に接続されており、チャネル領域（１ａ´）とソース領域（１ｄ）との間に形成された第１のＬＤＤ領域（１ｂ）と、チャネル領域とドレイン領域（１ｅ）との間に形成された第２のＬＤＤ領域（１ｃ）とを有する半導体層（１ａ）、及びチャネル領域に重なるゲート電極（３ａ）を有するトランジスタ（３０）とを備える。更に、ゲート電極と、絶縁膜（４１ａ）を介して互いに異なる層に配置されており、第１及び第２のＬＤＤ領域と少なくとも部分的に重なるように形成されると共にゲート電極と電気的に接続された第１遮光部（１１ａ）を備える。 （もっと読む）

【課題】新たなフォトマスクを必要とすることなく配線とソース・ドレイン領域との接触抵抗を低減させることが可能な電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び電気光学装置用基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置１００ａは、ＴＦＴ基板１０ａ及び対向基板２０ａを有する。ＴＦＴ基板１０ａには、ＴＦＴ素子３０、データ線６ａが形成されている。ＴＦＴ素子３０の高濃度ソース領域１ｄのうちデータ線６ａと接する部位には、チタンシリサイドの層が形成されている。同様に、容量電極３００のうちシールド層用中継層６ａ１と接する部位、及び中継電極７１９のうち第２中継電極６ａ２と接する部位にも、チタンシリサイドの層が形成されている。これにより、接触抵抗を低減することができる。 （もっと読む）