【課題】薄膜化した場合においても、ＳＢＤが生じ難く、高い絶縁破壊耐性（ＴＺＤＢ、ＴＤＤＢの改善）が経時的に得られるゲート絶縁膜、かかるゲート絶縁膜の製造方法および評価方法、さらに、このゲート絶縁膜を用いた半導体素子、信頼性の高い電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】ゲート絶縁膜３は、半導体基板（基材）２上に化学的気相成膜法を用いて成膜され、平均厚さが１０ｎｍ以下のものであり、シリコン、酸素原子および水素原子で構成され、その密度が２．５ｇ／ｃｍ^３以下なる関係を満足することにより、ソフトブレークダウンが生じるまでに流れる総電荷量が、４０Ｃ／ｃｍ^２以上となるよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノワイヤ等の線状構造体を配置するときに、その位置やや数量をコントロールする。
【解決手段】基板上にゲート電極と絶縁層が形成された基体を用意し、その上にソース電極１１とドレイン電極１２を形成する。ソース電極の端部付近に凹凸形成部分２４−１とドレイン電極の端部付近に凹凸形成部分２４−２を形成し、次にＳｉナノワイヤ２５を分散させた分散液２３を、チャネルの中心部分に滴下させる。そして、凹凸形成部分の凹部に分散液中のＳｉナノワイヤ２５を挿入させる。そして、凹部に整列配向したＳｉナノワイヤ２５を、両電極に接合させる。 （もっと読む）

【課題】チャネル材料として絶縁体−半導体相転移物質膜を利用した電界効果トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電界無印加時に、表面にホール電荷が流入しない第１状態と、負電界が印加されることにより、表面に多量のホール電荷が流入して導電性チャネルを形成する第２状態とを選択的に示す絶縁体−半導体相転移物質膜を備える電界効果トランジスタである。該絶縁体−半導体相転移物質膜上には、ゲート絶縁膜が配置され、絶縁体−半導体相転移物質膜に一定の大きさの負電界を印加させるためのゲート電極がゲート絶縁膜上に形成される。ソース電極及びドレイン電極は、絶縁体−半導体相転移物質膜が第２状態にある間、導電性チャネルを介してキャリアが移動するように、絶縁体−半導体相転移物質膜の両側から互いに対向するように配置される。
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【課題】膜中の欠陥を低減させるとともに、良質で誘電率の高いシリコン酸窒化膜を提供する。
【解決手段】
シアン化合物を、好ましくはアルコール類、ケトン類、ニトリル類及びエーテル類に代表される非水溶媒に溶解させた溶液３中において、半導体基板１に０．５Ｖ以上１０Ｖ以下の電圧を印加して該半導体基板１上に薄膜６を形成することにより、該膜中にシアノ結合を含むシリコン酸窒化膜が形成することができる。 （もっと読む）

【課題】所望の比誘電率を有し、機械的強度に優れる絶縁膜、この絶縁膜を容易に形成し得る絶縁膜の形成方法、この絶縁膜を備える半導体素子、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、導電体同士を絶縁するものであって、絶縁性粒子４１の集合体の間隙を、当該絶縁膜の膜強度を向上させる絶縁性の充填物４２で充填してなるものである。この絶縁膜は、充填物４２として、絶縁性粒子４１の比誘電率と異なる比誘電率の材料を用いることにより、その比誘電率を調整したものである。例えば、充填物４２として、絶縁性粒子４１の比誘電率より低い比誘電率の材料を用いることにより、絶縁膜全体の比誘電率を調整（低下）することができ、かかる絶縁膜は、層間絶縁膜に好適に適用される。 （もっと読む）

【課題】所望の比誘電率を有し、機械的強度に優れる絶縁膜、この絶縁膜を容易に形成し得る絶縁膜の形成方法、この絶縁膜を備える半導体素子、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の絶縁膜は、導電体同士を絶縁するものであって、絶縁性基材４２中に、当該絶縁膜の膜強度を向上させる絶縁性粒子４１を含有してなるものである。この絶縁膜は、絶縁性粒子４１として、絶縁性基材４２の比誘電率と異なる比誘電率の粒子を用いることにより、その比誘電率を調整したものである。例えば、絶縁性粒子４１として、絶縁性基材４２の比誘電率より低い比誘電率の粒子を用いることにより、絶縁膜全体の比誘電率を調整（低下）することができ、かかる絶縁膜は、層間絶縁膜に好適に適用される。 （もっと読む）

【課題】短チャネル化の限界に関する指針を明確とし、高いオン／オフ比と高速動作の両方を満たすことができる構成の電界効果トランジスタを提供することである。
【解決手段】電界効果トランジスタは、チャネル長を隔て活性層４に接して形成されたソース電極２とドレイン電極３、及びソース電極２とドレイン電極３の間に形成されたゲート電極１を有し、チャネル長がＬμｍで、かつ活性層４のうちでソース−ドレイン間の距離が最短となるように電流の流れる領域の厚さがｄnmである。所望のオン／オフ比をｘとするとき、Ｌとｄは下記の条件を満たす。
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【課題】スイッチング動作における駆動力を向上する。
【解決手段】基板１とドレイン領域２からなる第一導電型の半導体基体の一主面側にヘテロ半導体層３０を形成する工程と、所定の開口を有するマスク層をマスクとして用いて、ヘテロ半導体層３０を選択的に、かつ所定の厚みを残すようにエッチングする工程と、ヘテロ半導体層３０の露出した部分を酸化する工程と、該酸化によって形成された酸化膜１０をエッチングしてヘテロ半導体領域３を形成する工程と、ヘテロ半導体領域３並びに半導体基体に接するようにゲート絶縁膜４を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】導通時における駆動力を向上させる。
【解決手段】所定の開口を有するマスク層を用いて、基板１とドレイン領域２からなる半導体基体の一主面側に所定の溝１５を形成する工程と、少なくとも溝１５の側壁に接して、該溝１５からはみ出すように埋め込み領域１１を形成する工程と、半導体基体並びに埋め込み領域１１に接するようにヘテロ半導体層３０を形成する工程と、ヘテロ半導体層３０をパターニングし、ヘテロ半導体領域３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子および受光素子の提供、ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子の製造方法の提供、かかる受発光素子を利用した光電子集積チップ、データ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたトンネルＳｉＯ_２層と、該トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたＳｉ殻内にＧｅ核を内包した量子ドットと、該量子ドット上及び前記トンネルＳｉＯ_２層上に形成されたコントロールＳｉＯ_２層と、該コントロールＳｉＯ_２層上に形成されたゲート電極層と、を有する。ＭＯＳ電界効果トランジスタ型量子ドット発光素子は、半導体基板と、該半導体基板上に形成されたゲートＳｉＯ_２層と、該ゲートＳｉＯ_２層上に形成されたドープＳｉ層、Ｇｅ層及びドープＳｉ層を順次積層してなる積層ゲート電極層と、を有する。 （もっと読む）

ＭＯＳ回路の過電圧保護のための横型高電圧接合デバイスは、基板領域によって第２接合領域から分離された第１接合領域を有する基板を含む。ＭＯＳゲート電極は基板領域の上に重なり、ゲート誘電体層によってそこから分離される。ＭＯＳゲート電極の対向辺に隣接してサイドウォールスペーサが存在し、基板領域の上に重なる。基板領域は、第１および第２接合領域の間の無接合半導体領域によって画定される。入力保護回路は横型高電圧接合デバイスを使用して、電圧過渡を接地ノードに転送する。
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