Fターム[5F140BG37]の内容
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Fターム[5F140BG37]に分類される特許
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バンド設計超格子を有する半導体装置を製作する方法
複数の積層された層群を有する超格子を形成するステップによって、半導体装置を製作する方法である。また当該方法は、前記超格子を通って、前記積層された層群と平行な方向に、電荷キャリアの輸送が生じる領域を形成するステップを有する。超格子の各層群は、基本半導体部分を定形する複数の積層された基本半導体分子層と、該基本半導体部分上のエネルギーバンド調整層と、を有する。前記エネルギーバンド調整層は、基本半導体部分に隣接する結晶格子内に取りこまれた、少なくとも一つの非半導体分子層を有し、前記超格子は、超格子が存在しない場合に比べて、前記平行な方向において大きな電荷キャリア移動度を有する。また前記超格子は、共通のエネルギーバンド構造を有しても良い。
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ジュウテリウム置換窒化珪素含有材料の作製方法
少なくとも1種のジュウテリウム置換窒素化合物と水素同位体を含まない1または2以上の珪素含有化合物からのジュウテリウム置換窒化珪素含有材料作製方法を提供する。適するジュウテリウム置換窒素化合物として例えばNH2D、NHD2及びND3を用い、適する珪素含有化合物として例えばSiCl4及びSi2Cl6を用いる。本発明に従って得られるジュウテリウム置換窒化珪素含有材料は例えばトランジスタ装置中へ組み入れることができ、これにより得られたトランジスタ装置をDRAMセル中に用い、さらに得られたDRAMセルを電子システム中に用いることができる。
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半導体装置及びその製造方法
Si(100)基板の表面にシリコン酸化膜を形成した後、このシリコン酸化膜をプラズマ窒化して酸窒化シリコン膜にする。その後NOガス雰囲気中で770乃至970℃の温度条件下で熱処理することにより、ゲート絶縁膜における基板との界面部分の窒素濃度を1乃至10原子%にすると共に、基板と酸窒化シリコン膜との界面に存在する界面Si結合欠陥の結合手の方位角分布が、基板の[100]方位に対して25°以上の角度にピークをもつようにする。 (もっと読む)
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