本発明は電界効果トランジスタの製造方法に関し、シリコンの半導体基体（１）は、いずれもエクステンション（２Ａ、３Ａ）を有する第１の導電型のソース領域（２）及びドレイン領域（３）と、チャネル領域（４）の上に配置されたゲート領域（５）と、が表面に設けられ、エクステンション（２Ａ、３Ａ）及びチャネル領域（４）の隣接部分（４Ａ）の間のｐｎ接合が２つの逆の導電型のドーパントの注入（Ｉ_１、Ｉ_２）によって形成され、前記２つの逆の導電型のドーパントの注入（Ｉ_１、Ｉ_２）の前に、ｐｎ接合が形成される部分にアモルファス化注入が行われる。アモルファス化注入（Ｉ_０）及び前記２つのドーパント注入（Ｉ_１、Ｉ_２）はいずれも、ゲート領域（５）が形成される前に、半導体基体（１）の表面に対してほぼ９０度に等しい角度で行われる。この方法では、形成されるｐｎ接合の最も適切な部分、すなわち、表面に対して垂直に走る垂直部分は、極めて急峻で険しいだけでなく、注入の欠点がないので極めて低いリーク電流を有する。好ましくは、結晶構造のシリコンを再成長させるために低温アニールが用いられる。
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【課題】電力用デバイスにおいて双方向に電圧をブロックできるようにする。
【解決手段】大電流を搬送するチャンネルを得るＡｌＧａＮ／ＧａＮインターフェースを備えたIII族窒化物双方向スイッチであり、この双方向スイッチは、この双方向スイッチのために、電流を搬送するチャンネルを形成するための二次元電子ガスの発生を阻止したり、または可能にする少なくとも１つのゲートにより作動する。 （もっと読む）

窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。該デバイスは、電極規定層を包含する。電極規定層は典型的にはその内部に形成されたビアを有し、該ビア内に電極が（少なくとも部分的に）形成される。したがって、ビアは、電極の寸法を（少なくとも部分的に）規定する。いくつかの場合において、電極規定層は、窒化ガリウム材料領域上に形成された不動態化層である。 （もっと読む）