【課題】本発明は、半導体デバイスの製造方法及び半導体デバイスを含む集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体デバイス（１００）を製造する方法は、とりわけ、基板（１１０）上にゲート構造（１２０）を形成するステップオ、及びゲート構造（１２０）の近くの基板（１１０）にソース／ドレイン領域（１９０）を形成するステップを含む。本方法は、更に、ゲート構造（１２０）及び基板（１１０）をドライエッチングするステップ、及びゲート構造（１２０）及び基板（１１０）をドライエッチングするステップに続いて、ソース／ドレイン領域にフッ素を配置して、フッ化したソース／ドレインを形成するステップを含む。その後、本方法は、ゲート構造（１２０）とフッ化したソース／ドレインに金属スイサイド領域（５１０,５２０）を形成するステップを含む。 （もっと読む）