Fターム[5F140BK37]の内容
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | ソース・ドレイン領域、電極及びSD近傍領域の製造 (13,929) | ソース・ドレイン電極形成後の処理 (1,157)
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半導体装置
【課題】
酸化シリコン層、窒化シリコン層の積層ライナを備えたSTIを有し、帯電を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板の表面から下方に向かって形成され、前記シリコン基板の表面に活性領域を画定するトレンチと、前記トレンチの内壁を覆う酸化シリコン層の第1ライナ層と、前記第1ライナ層の上に形成された窒化シリコン層の第2ライナ層と、前記第2ライナ層の上に形成され、前記トレンチを埋める絶縁物の素子分離領域と、前記活性領域に形成されたpチャネルMOSトランジスタと、前記pチャネルMOSトランジスタを覆って,前記シリコン基板上方に形成され,紫外光遮蔽能を有さない窒化シリコン層のコンタクトエッチストッパ層と、前記コンタクトエッチストッパ層の上方に形成され、紫外光遮蔽能を有する窒化シリコン層の遮光膜と、を有する。
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