【課題】 パワー半導体デバイスを、通常OFF（エンハンスメントモード）デバイスとしたり、かなり低い閾値電圧を有する通常ON（空乏モード）デバイスとする。
【解決手段】 III属窒化物のパワー半導体デバイスに、段形状のヘテロ接合部を設ける。 （もっと読む）

【課題】
５〜１０Ｖ程度のスナップバック耐圧をもつデバイスをセルフアライン法で実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】
主ゲート６ａの隣に所定の間隔をおいて配された２個以上の副ゲート６ｂ、６ｃと、副ゲート６ｂ、６ｃの下であってソース／ドレイン層９ａ、９ｂの端部から主ゲート６ａの端部近傍まで連続的に配されるとともに、ソース／ドレイン層９ａ、９ｂと同電位型であり、不純物の濃度がソース／ドレイン層９ａ、９ｂよりも低濃度である低濃度層７ａ、７ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 簡易な工程でかつ安価に製造でき、しかも高温高湿下でのドレイン耐圧の低下を防止でき、微細化も図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】 ソース電極７０およびドレイン電極８０の上部における保護膜９０に、第１の開口部としてイオンスルー領域１０２を設ける。保護膜９０上に封止樹脂を塗布して半導体装置をパッケージする。このとき、イオンスルー領域１０２内にも封止樹脂を充填して、封止樹脂とソース電極７０およびドレイン電極８０とを直に接触させる。これにより、高温高湿雰囲気下において、封止樹脂内における保護膜９０との界面に蓄積した可動イオンは、イオンスルー領域１０２を通ってソース電極７０およびドレイン電極８０へと排出され、Ｎ^- 型延長ドレイン領域３０に影響を与えなくなるため、ドレイン耐圧を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 高アバランシェ耐量を有する、高耐圧且つ超低オン抵抗の窒化物含有電力用半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の実施の一形態に係る窒化物含有半導体装置は、ソース電極４に電気的に接続され、ゲート電極６よりもドレイン電極５側に突出して延在するｐ型窒化ガリウム（ＧａＮ）層３が、バリア層としてのノンドープ又はｎ型窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）層２上に形成されているものである。 （もっと読む）

本発明のＬＤＭＯＳトランジスタは、段付きシールド構造及び／又は第１及び第２ドレイン延長領域を具備し、前記第１ドレイン延長領域は、前記第２ドレイン延長領域よりも高いドーパント濃度を有し、前記シールドによって被われている。

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縦方向、横方向に交互に配置されたソース領域（２２）、ソースボディ領域（２６）、ドリフト領域（２０）、ドレインボディ領域（２８）、およびドレイン領域（２４）をそれぞれ有するセル（１８）を、減表面電界を達成するための構造とともに有する、電界効果トランジスタである。実施形態における構造は、ソースまたはドレイン領域（２２、２４）近傍にゲート領域（３１）を定義する縦方向に離間された絶縁ゲートトレンチ（３５）と、ドリフト領域（２０）近傍に縦方向に延在する電位プレート領域（３３）と、を含むことができる。代替的に、別個の電位プレート領域（３３）または縦方向に延在する半絶縁フィールドプレート（５０）をドリフト領域（２０）近傍に設けてもよい。このトランジスタは、双方向切り替えに適している。
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