Fターム[5F140CE07]の内容
絶縁ゲート型電界効果トランジスタ (137,078) | 製造工程一般 (2,583) | 平坦化 (1,497) | CMP (1,242)
Fターム[5F140CE07]に分類される特許
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集積回路のトランジスタにおける金属ゲート構造および形成方法(高性能デバイスの金属置換ゲートのための構造および方法)
【課題】 高性能デバイスの金属置換ゲートのための構造および形成方法を提供する。
【解決手段】 まず、半導体基板(240)上に設けたエッチ・ストップ層(250)上に、犠牲ゲート構造(260)を形成する。犠牲ゲート構造(300)の側壁上に、1対のスペーサ(400)を設ける。次いで、犠牲ゲート構造(300)を除去して、開口(600)を形成する。続けて、スペーサ(400)間の開口(600)内に、タングステン等の金属の第1の層(700)、窒化チタン等の拡散バリア層(800)、およびタングステン等の金属の第2の層(900)を含む金属ゲート(1000)を形成する。
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集積化金属珪化物ゲート電極を有するトランジスタの形成方法
集積化した金属珪化物トランジスタゲート電極を有するトランジスタを半導体アセンブリ内に形成する方法を提供する。トランジスタゲートは部分的に、金属を溝内に存在させた状態でエピタキシャルシリコンと反応させることにより製造する。前記溝内で前記金属珪化物上にトランジスタゲート分離キャップ層を形成する。任意ではあるが溝スペーサを設けて所定の製造処理の臨界的な寸法上の制約を低減させ、従って、形状寸法が臨界的な寸法よりも小さいトランジスタを形成しうるようにすることができる。
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